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    접촉 압력 및 가스 농도 감지 장치
    1.
    发明申请
    접촉 압력 및 가스 농도 감지 장치 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022131427A1

    公开(公告)日：2022-06-23

    申请号：PCT/KR2020/018947

    申请日：2020-12-23

    Applicant: (재)한국나노기술원

    Inventor： 전동환 ,  김성수

    IPC: G01N21/01 ,  G01N21/27 ,  G01N21/03 ,  G01N21/3504

    Abstract: 본 발명은 접촉 압력 및 가스 농도 감지 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 접촉 압력 감지 장치는, 외부로부터의 접촉 압력에 따라 변위를 발생하는 프레임과; 프레임에 광을 조사하는 적어도 하나의 광원; 및 광원으로부터 조사된 광이 프레임에 부딪쳐 프레임의 변위에 따라 대응하여 반사하는 광을 감지하는 적어도 하나의 광센서를 포함하고, 상기 광센서에 의해 상기 프레임의 접촉 압력에 의한 변위 발생 부위에 조사된 광의 반사광을 검출함으로써 상기 프레임의 변위에 따른 접촉 압력을 감지한다.

    저마늄을 이용한 반도체 소자의 접합 영역에서의 결함 치유 방법
    3.
    发明申请
    저마늄을 이용한 반도체 소자의 접합 영역에서의 결함 치유 방법 审中-公开
    用锗处理半导体器件结点的缺陷方法

    公开(公告)号：WO2014104552A1

    公开(公告)日：2014-07-03

    申请号：PCT/KR2013/009502

    申请日：2013-10-24

    Applicant: (재)한국나노기술원 ,  성균관대학교 산학협력단

    Inventor： 박원규 ,  허종곤 ,  전동환 ,  박진홍 ,  심재우

    IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600℃~700℃에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在半导体器件的接合区域处理缺陷的方法，包括以下步骤：通过在衬底上生长p-Ge层来沉积电极; 通过在p-Ge层上的离子注入形成n + Ge区域，或通过原位掺杂和在p-Ge层上蚀刻，或沉积氧化物层，在原位上进行图案化，蚀刻和掺杂 p-Ge层; 形成用于封盖的氧化物层; 并在600〜700℃下进行1〜3小时的热处理。 通过热处理，可以处理n + / p结的Ge缺陷，并且通过热处理加深接头可以相对降低，从而使泄漏电流最小化并提高半导体器件的性能。 此外，该方法可用于高堆叠半导体器件或制造相同的结构。

    다중접합 태양전지 및 그 제조방법
    5.
    发明授权
    다중접합 태양전지 및 그 제조방법 有权
    多结太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR101734077B1

    公开(公告)日：2017-05-12

    申请号：KR1020150188846

    申请日：2015-12-29

    Applicant: (재)한국나노기술원

    Inventor： 김강호 ,  김영조 ,  정상현 ,  김창주 ,  전동환 ,  신현범 ,  박원규 ,  강호관 ,  이재진

    IPC: H01L31/068 ,  H01L31/046 ,  H01L31/18 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본발명은다중접합태양전지및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른다중접합태양전지의제조방법은, 기판의상면에하부, 중부, 상부태양전지층및 포토레지스트층을차례로적층형성하는단계와; 포토레지스트층및 그하부의상부태양전지층의일부를각각메사식각하는단계와; 상부태양전지층의식각후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된상부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 상부태양전지층하부에위치하는중부태양전지층의일부를식각한후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된중부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 중부태양전지층하부에위치하는하부태양전지층의일부를식각하는단계; 및상부태양전지층위에위치하는포토레지스트층과, 상기식각부보호용으로형성된포토레지스트를제거하여다중접합태양전지구조체를완성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 다중접합태양전지의제조공정에다단계습식식각공정을도입함으로써, 메사습식식각공정에서의언더컷발생문제를해결하여메사습식식각공정으로인한활성면적감소를원천적으로방지할수 있고, 이에따라태양전지의효율저하문제를근본적으로해결할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种多结太阳能电池及其制造方法。 按照本发明制造键合的太阳能电池的方法包括：形成下部，中部，并依次层叠顶部太阳能电池层和所述衬底的所述顶表面上的光致抗蚀剂层的工序; 分别在光致抗蚀剂层下方蚀刻光致抗蚀剂层和部分上太阳能电池层; 在蚀刻上太阳能电池层之后，回流并热处理光致抗蚀剂以用光致抗蚀剂保护蚀刻的上太阳能电池层; 进一步包括：蚀刻，其位于顶太阳能电池层底部中央的太阳能电池层的一部分，保护所述中心太阳能电池层蚀刻所述回流热处理，并在光致抗蚀剂和光致抗蚀剂之后; 蚀刻位于中间太阳能电池层下方的下部太阳能电池层的一部分; 以及形成顶部太阳能电池层上，除去蚀刻保护部形成光致抗蚀剂，包括步骤完成的多结太阳能电池结构的光致抗蚀剂层。 因此，根据如本发明，通过在结太阳能电池的制造过程中引入的多步骤湿蚀刻工艺多，台面湿法蚀刻工艺eseoui并能解决底切问题，从根本上防止活性区域由于台面湿法蚀刻工艺减小， 因此，可以从根本上解决降低太阳能电池效率的问题。

    계면 재결합 억제 박막 태양전지
    8.
    发明公开
    계면 재결합 억제 박막 태양전지 有权
    薄膜太阳能电池用于减少表面重构

    公开(公告)号：KR1020160040380A

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：KR1020140133426

    申请日：2014-10-02

    Applicant: (재)한국나노기술원

    Inventor： 전동환

    IPC: H01L31/046 ,  H01L31/04

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/046 ,  H01L31/04

    Abstract: 본발명은박막태양전지에관한것으로서, GaAs 계열의물질을사용하는광흡수층과, 상기광흡수층상측에형성되며, 알루미늄을포함하는화합물반도체로이루어진제1윈도우층과, 상기제1윈도우층과상기광흡수층사이에형성되며, 알루미늄을포함하지않는화합물반도체로이루어진제2윈도우층과, 상기광흡수층하측에형성되는 BSF층및 상기 BSF층하측에형성된기판을포함하여이루어지는것을특징으로하는계면재결합억제박막태양전지를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은윈도우층과광흡수층사이에새로운제2윈도우층을도입하여계면재결합속도특성을개선하여전류손실을막아태양전지의효율을향상시키는이점이있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池。 抑制界面复合的薄膜太阳能电池包括：由GaAs基材料形成的光吸收层; 形成在由铝（Al）构成的化合物半导体的光吸收层上的第一窗口层; 插入在第一窗口层和光吸收层之间的第二窗口层，并且由不含有Al的化合物半导体形成; 形成在光吸收层下的背面场（BSF）层; 以及形成在BSF层下的基板。 因此，根据本发明，在窗口层和光吸收层之间插入新的第二窗口层，以改善界面复合速率的特性; 从而防止电流损耗，从而能够提高太阳能电池的效率。

    트랩홀에 의한 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 제조하는 방법
    9.
    发明授权
    트랩홀에 의한 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 제조하는 방법 有权
    具有大面积基片的半导体器件的制造方法

    公开(公告)号：KR101531875B1

    公开(公告)日：2015-06-29

    申请号：KR1020130165611

    申请日：2013-12-27

    Applicant: (재)한국나노기술원

    Inventor： 신찬수 ,  조영대 ,  전동환 ,  박원규

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877

    Abstract: 본발명은실리콘기판상에화합물반도체소자를제조하는방법에있어서, 실리콘기판상에화합물반도체소자를제조하는방법에있어서, 실리콘기판을준비하는제1단계와, 상기실리콘기판상에산화막을증착시키는제2단계와, 상기산화막을패터닝하여, 상기실리콘기판의일부영역을노출시키면서, 상기실리콘기판상에는트랩홀에의한계단형트렌치를형성하는제3단계와, 상기트랩홀에의한계단형트렌치형성후, 노출된상기실리콘기판영역과상기트랩홀에의한계단형트렌치상측에화합물반도체층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는트랩홀에의한계단형트렌치를이용하여실리콘기판상에대면적화합물반도체소자를형성하는방법을기술적요지로한다. 이에의해실리콘기판상에트랩홀에의한계단형트렌치를형성하여, 실리콘과화합물반도체간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 대면적의화합물반도체소자를제공할수 있는이점이있다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用由陷阱阶梯形的沟槽在硅衬底上制造化合物半导体器件的方法。 关键技术是通过使用由陷阱阶梯式的沟槽形成大型化合物半导体器件的方法，包括：制备硅衬底的第一步骤; 在硅衬底上层压氧化膜的第二步骤; 第三步骤，通过对所述硅衬底的部分区域进行曝光来形成所述氧化物膜，从而通过所述硅衬底上的陷阱来形成沟槽; 以及第四步骤，在由陷阱阶梯形的沟槽上增加化合物半导体层，并且在形成由陷阱分阶段形成的沟槽之后增加暴露的硅衬底区域的上侧上的化合物半导体和由陷阱阶梯形的沟槽 孔。 因此，该方法通过形成由硅衬底上的陷阱阶梯形的沟槽而在硅和化合物半导体器件之间的界面处产生的被穿透的前点捕获而不会产生缺陷。

    수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법
    10.
    发明授权
    수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법 有权
    水平式太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR101419527B1

    公开(公告)日：2014-07-15

    申请号：KR1020120057164

    申请日：2012-05-30

    Applicant: (재)한국나노기술원

    Inventor： 전동환 ,  김창주 ,  허종곤 ,  김영조 ,  박원규

    IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 기판과 성장 물질의 격자 불일치 전위(misfit dislocation)가 생기는 구조에서, 결함에 의한 영향을 회피하기 위해 최적화된 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 수평형 전극구조 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 박막 상부에 형성되는 와이드 밴드갭 층과, 상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 형성되는 오믹 층과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 소자층과, 상기 소자층 상부에 형성되는 제1 전극과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 제2 전극을 포함하여 이루어짐으로써, 격자 부정합 기판에 제작하는 태양전지의 결함에 의한 영향을 회피하고, 결함 밀도가 높은 misfit dislocation 층에 캐리어가 전송되지 않으므로 양자 효율 감소가 일어나지 않아 효율이 개선된다는 효과가 있다.

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