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公开(公告)号：WO2018016871A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：PCT/KR2017/007764
申请日：2017-07-19
Applicant: (주)디엔에프
IPC: H01L21/02 , H01L21/321 , C09K8/12
CPC classification number: C09K8/12 , H01L21/02 , H01L21/321
Abstract: 본 발명은 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 고순도 실리콘 질화 박막의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 두 단계의 플라즈마 여기 단계를 수행함으로써, 향상된 박막 효율 및 스텝 커버리지의 구현이 가능하고, 저온의 성막온도에도 불구하고 향상된 증착율로 고순도의 실리콘 질화 박막을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用等离子体原子层沉积方法制造高纯度氮化硅薄膜的方法。 更具体地，本发明可以在尽管通过进行此步骤的等离子体的，能够用于增强沉积速率的改进的薄膜效率和台阶覆盖的实施方式中，两个步骤的过程的低温的沉积温度和提供高纯度的硅氮化物薄膜。
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公开(公告)号：WO2018194391A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/KR2018/004553
申请日：2018-04-19
Applicant: (주)디엔에프
CPC classification number: C07F7/10 , C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은 신규한 다이실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 다이실릴아민 화합물은 반응성이 뛰어나며 열적으로 안정하고 휘발성이 높아 실리콘 함유 전구체 사용되어 양질의 실리콘 함유 박막을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018194396A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/KR2018/004561
申请日：2018-04-19
Applicant: (주)디엔에프
IPC: C09D4/00 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC classification number: C09D4/00 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 다이실릴아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 실리콘 함유 박막증착용 조성물은 반응성이 뛰어나고 열적으로 안정하며 휘발성이 높은 다이실릴아민 화합물을 실리콘 전구체로 포함함으로 양질의 실리콘 함유 박막을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2017026676A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：PCT/KR2016/007662
申请日：2016-07-14
Applicant: (주)디엔에프
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/50 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/513
Abstract: 본 발명은 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 특정 Si-N 결합을 가지는 아미노 실란 유도체를 플라즈마 원자층 층작 방법에 적용함으로써, 보다 낮은 파워와 성막온도 조건에서 고품질의 Si-N 결합을 포함하는 실리콘 질화 박막의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用等离子体原子层沉积方法制造氮化硅薄膜的方法，更具体地说，本发明的目的是提供一种制造氮化硅薄膜的方法，该方法包括：高质量Si- 在低功率和成膜温度的条件下，通过将具有特定Si-N键的氨基硅烷衍生物应用于等离子体原子层沉积方法。
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公开(公告)号：KR101857478B1
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR1020170025572
申请日：2017-02-27
Applicant: (주)디엔에프
CPC classification number: C07F7/10 , C23C16/402 , C23C16/45536 , C23C16/45553 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 본발명은신규한트리실릴아민유도체, 이의제조방법및 이를이용한실리콘함유박막에관한것으로, 본발명의트리실릴아민유도체는열적으로안정하고휘발성및 반응성이강한화합물로실온및 취급이가능한압력에서액체형태의화합물로다양한증착방법으로물리적, 전기적특성이우수하면서도고순도인실리콘함유박막을형성할수 있다.
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9.发明公开
公开(公告)号：KR1020150142591A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020150069444
申请日：2015-05-19
Applicant: (주)디엔에프
IPC: C07F7/10 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/42 , C23C16/513
CPC classification number: H01L21/02219 , C01B21/068 , C07F7/10 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 본발명은신규한아미노실릴아민화합물및 이를이용한 Si-N이포함된절연막의제조방법에관한것으로, 본발명에따른상기아미노실릴아민화합물은열적으로안정하고휘발성이강한화합물로실온및 취급이가능하며, 상온및 상압하에서액체형태의화합물로원자층증착법 (PEALD)을이용하여, 낮은온도및 플라즈마조건에서도고순도의 Si-N 결합을포함하는절연막을제조할수 있는방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及新的氨基甲硅烷基胺化合物，以及涉及使用其的含有Si-N的绝缘膜的制造方法。 根据本发明的氨基甲硅烷基胺化合物是热稳定的，具有很强的挥发性，可以在室温下进行处理，并且在高温高压下是液态。 此外，本发明提供了使用原子层沉积（PEALD）方法在低温和等离子体条件下含有高纯度的Si-N键的绝缘膜的制造方法。
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公开(公告)号：KR1020140143682A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020130159638
申请日：2013-12-19
Applicant: (주)디엔에프
IPC: C07F7/10 , H01L21/205
CPC classification number: C07F7/10 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막에 관한 것으로, 본 발명의 아미노실릴아민 화합물은 열적으로 안정하고 휘발성이 강한 화합물로 실온 및 취급이 가능한 압력에서 액체 형태의 화합물로 다양한 증착방법으로 물리적, 전기적 특성이 우수하면서도 고순도인 실리콘 함유 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及新的氨基甲硅烷基胺化合物，其制造方法和使用其的含硅薄膜。 本发明的氨基 - 甲硅烷基胺化合物是在室温下在可用压力下为热稳定性，挥发性强的化合物，同时为液体化合物。 氨基甲硅烷基胺化合物允许形成具有优异的物理和电学性质的含硅薄膜，并且通过各种沉积方法同时具有高纯度。
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