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公开(公告)号：WO2017188477A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2016/004460
申请日：2016-04-28
Applicant: (주)디엔에프
CPC classification number: C03C17/30 , C03C2217/732 , C03C2217/77 , C03C2217/78 , C03C2218/112 , C03C2218/32
Abstract: 본 발명의 눈부심 방지 유리는 이종원소의 혼입 없이 유리 표면 상에 폴리실라잔 유래의 표면 요철이 부여된 유리가 형성됨으로써, 우수한 방현성 및 시인성을 갖는 효과가 있으며, 유리 표면 상에 폴리실라잔이 열처리에 의해 유리로 변성됨으로써, 내마모성 및 내구성이 현저히 향상되는 효과가 있다.
Abstract translation:
本发明的被防眩玻璃与玻璃的聚硅氮烷衍生于无杂原子牛混合表面浮雕的玻璃表面，并给出具有优异的室温公开和能见度，将玻璃的效果形成 通过热处理，表面上的聚硅氮烷被改性成玻璃，由此显着改善了耐磨性和耐久性。
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公开(公告)号：WO2018194391A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/KR2018/004553
申请日：2018-04-19
Applicant: (주)디엔에프
CPC classification number: C07F7/10 , C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은 신규한 다이실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 다이실릴아민 화합물은 반응성이 뛰어나며 열적으로 안정하고 휘발성이 높아 실리콘 함유 전구체 사용되어 양질의 실리콘 함유 박막을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018199642A1
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：PCT/KR2018/004841
申请日：2018-04-26
Applicant: (주)디엔에프
Abstract: 본 발명은 신규한 금속 트리아민 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 금속 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용한 금속 함유 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 금속 트리아민 화합물은 반응성이 뛰어나며 열적으로 안정하고, 휘발성이 높으며, 저장안정성이 높아 금속 함유 전구체로 이용하여 고밀도 및 고순도의 금속 함유 박막을 용이하게 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018016871A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：PCT/KR2017/007764
申请日：2017-07-19
Applicant: (주)디엔에프
IPC: H01L21/02 , H01L21/321 , C09K8/12
CPC classification number: C09K8/12 , H01L21/02 , H01L21/321
Abstract: 본 발명은 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 고순도 실리콘 질화 박막의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 두 단계의 플라즈마 여기 단계를 수행함으로써, 향상된 박막 효율 및 스텝 커버리지의 구현이 가능하고, 저온의 성막온도에도 불구하고 향상된 증착율로 고순도의 실리콘 질화 박막을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用等离子体原子层沉积方法制造高纯度氮化硅薄膜的方法。 更具体地，本发明可以在尽管通过进行此步骤的等离子体的，能够用于增强沉积速率的改进的薄膜效率和台阶覆盖的实施方式中，两个步骤的过程的低温的沉积温度和提供高纯度的硅氮化物薄膜。
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公开(公告)号：WO2020101336A1
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：PCT/KR2019/015399
申请日：2019-11-13
Applicant: (주)디엔에프
IPC: C23C16/32 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/56
Abstract: 본 발명은 몰리브덴 함유 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 몰리브덴 함유 박막을 제공하는 것으로, 본 발명의 몰리브덴 함유 박막의 제조방법은 몰리브덴(0)계 탄화수소 화합물 및 특정한 반응가스를 이용함으로써 순도 높은 박막을 간단한 공정으로 용이하게 제조할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2015026194A1
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：PCT/KR2014/007815
申请日：2014-08-22
Applicant: (주)디엔에프 , 에스케이씨 주식회사 , 박주현
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/004
Abstract: 본 발명은 다용도로 사용가능한 신규한 중합체 및 이를 포함하는 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 중합체와 조성물은 기계적, 광학적 특성이 매우 우수한 반도체 장치 제조에 매우 유용하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种新型多用途聚合物和含有该聚合物的组合物。 本发明的聚合物和组合物对于制备具有非常好的机械和光学性能的半导体器件非常有用。
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公开(公告)号：WO2019088722A1
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：PCT/KR2018/013160
申请日：2018-11-01
Applicant: (주)디엔에프
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/324 , C07F15/00 , C23C16/455
CPC classification number: C07F15/00 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 루테늄함유 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 루테늄함유 박막을 제공하는 것으로, 본 발명의 루테늄함유 박막의 제조방법은 루테늄(0)계 탄화수소 화합물 및 특정한 반응가스를 이용함으로써 순도 높은 박막을 간단한 공정으로 용이하게 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018194396A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/KR2018/004561
申请日：2018-04-19
Applicant: (주)디엔에프
IPC: C09D4/00 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC classification number: C09D4/00 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 다이실릴아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 실리콘 함유 박막증착용 조성물은 반응성이 뛰어나고 열적으로 안정하며 휘발성이 높은 다이실릴아민 화합물을 실리콘 전구체로 포함함으로 양질의 실리콘 함유 박막을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2017179857A1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：PCT/KR2017/003782
申请日：2017-04-06
Applicant: (주)디엔에프
Abstract: 본 발명은 신규한 전이금속 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 전이금속함유 박막증착용 조성물, 전이금속함유 박막증착용 조성물을 이용한 전이금속함유 박막 및 전이금속함유 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 전이금속 화합물은 열적 안정성이 높고, 휘발성이 높으며, 저장안정성이 높아 이를 전구체로 이용하여 고밀도 및 고순도의 전이금속함유박막을 용이하게 제조할 수 있다.
Abstract translation:
本发明涉及一种新的过渡金属化合物，其制备方法，含过渡他们薄膜沉积组合物中，穿着带有组合物含有过渡金属的薄膜和含过渡金属的薄膜的含有过渡金属的薄膜的增加含金属 该涉及一种用于制备本发明的过渡金属化合物具有高的热稳定性，高挥发性，所以能够容易地制造具有高密度和高纯度和高储存稳定性的含过渡金属的薄膜，并用它作为前体。
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公开(公告)号：WO2017026676A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：PCT/KR2016/007662
申请日：2016-07-14
Applicant: (주)디엔에프
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/50 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/513
Abstract: 본 발명은 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 특정 Si-N 결합을 가지는 아미노 실란 유도체를 플라즈마 원자층 층작 방법에 적용함으로써, 보다 낮은 파워와 성막온도 조건에서 고품질의 Si-N 결합을 포함하는 실리콘 질화 박막의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用等离子体原子层沉积方法制造氮化硅薄膜的方法，更具体地说，本发明的目的是提供一种制造氮化硅薄膜的方法，该方法包括：高质量Si- 在低功率和成膜温度的条件下，通过将具有特定Si-N键的氨基硅烷衍生物应用于等离子体原子层沉积方法。
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