링 오실레이터의 주파수 변동 개선을 위한 저잡음 기준전압발생회로
    1.
    发明公开
    링 오실레이터의 주파수 변동 개선을 위한 저잡음 기준전압발생회로 有权
    用于频率振荡器振荡器的低噪声参考电压电路

    公开(公告)号:KR1020100061900A

    公开(公告)日:2010-06-10

    申请号:KR1020080120264

    申请日:2008-12-01

    CPC classification number: G05F3/16

    Abstract: PURPOSE: A low noise reference voltage circuit for frequency compensation of a ring oscillator is provided to prevent the deterioration of noise characteristics by removing a band gap standard voltage generating circuit and supplying a PTAT voltage to a driving voltage of the ring oscillator. CONSTITUTION: A PTAT voltage generator is comprised of a current mirror. The current mirror generates a PTAT current. The PTAT current is proportional to an absolute temperature. A PTAT voltage converter converts the PTAT current into a PTAT voltage. The PTAT voltage converter outputs the PTAT voltage to a linear regulator(300). A resistor improving power supply ripple rejection ratio through improvement of the variation of a power supply voltage.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于环形振荡器频率补偿的低噪声参考电压电路,通过去除带隙标准电压产生电路并将PTAT电压提供给环形振荡器的驱动电压来防止噪声特性的恶化。 构成:PTAT电压发生器由电流镜组成。 当前镜像产生PTAT电流。 PTAT电流与绝对温度成比例。 PTAT电压转换器将PTAT电流转换成PTAT电压。 PTAT电压转换器将PTAT电压输出到线性稳压器(300)。 电阻器通过改善电源电压的变化来改善电源纹波抑制比。

    싱글 투 디퍼런셜 앨엔에이 회로
    2.
    发明授权
    싱글 투 디퍼런셜 앨엔에이 회로 有权
    Ciruit为单差分LNA

    公开(公告)号:KR101100655B1

    公开(公告)日:2012-01-03

    申请号:KR1020090087961

    申请日:2009-09-17

    Abstract: 본 발명은 싱글 투 디퍼런셜 앨엔에이 회로에 관한 것으로서, 무선송수신기에 사용되는 저잡음 증폭기(LNA)와 믹서회로 사이에는 믹서회로에서 디퍼런셜 신호를 필요로하는 경우에 별도의 싱글 투 디퍼런스 변환회로가 추가되어야 하는 문제점이 있었다. 본 발명은 이를 해결하고자 앨엔에이 입력신호(LNA_INP)를 공통게이트 및 공통소스 앤모스트랜지스터에 입력하고, 상기 앤모스트랜지스터들의 드레인단에 전류미러를 구비하여 바이어스 하여 디퍼런스 신호를 출력하도록 구성함으로서 싱글 투 디퍼런셜 앨엔에이 회로에서 출력되는 서로다른 위상의 디퍼런스 신호를 믹서회로에 직접 연결할 수 있어서 추가적인 싱글 투 디퍼런스 변환회로를 필요치않게되고, 와이드밴드 및 노이즈 피규어 특성이 개선되는 장점이 있다.
    LNA, 싱글투디퍼런스, 믹서, 와이드밴드, 노이즈피규어

    링 오실레이터의 주파수 변동 개선을 위한 저잡음 기준전압발생회로
    3.
    发明授权
    링 오실레이터의 주파수 변동 개선을 위한 저잡음 기준전압발생회로 有权
    低噪声参考电压产生电路,用于改善环形振荡器的频率振荡

    公开(公告)号:KR101053259B1

    公开(公告)日:2011-08-02

    申请号:KR1020080120264

    申请日:2008-12-01

    CPC classification number: G05F3/16

    Abstract: 본 발명은 저잡음 기준전압 발생회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 회로 내부에서 잡음이 증폭될 수 있는 증폭기를 제거하고, 절대온도에 비례하는 전류(I
    PTAT )를 절대온도에 비례하는 전압(V
    PTAT )으로 직접 변환한 후 리니어 레귤레이터에서 링 오실레이터로 전송하게 함으로써, 일반적인 밴드갭 기준전압 발생회로에 의해 잡음 특성이 열화되는 것을 방지하고 저잡음과 높은 전원리플제거비(PSRR)를 달성할 수 있게 한 링 오실레이터의 주파수 변동 개선을 위한 저잡음 기준전압 발생회로에 관한 것이다.
    주파수 변동, 링 오실레이터, 저잡음, 기준전압, 전원리플제거비

    Abstract translation: 低噪声基准电压生成电路本发明涉及一种低噪声基准电压生成电路,更具体地说,涉及一种去除能够放大电路内噪声的放大器的低噪声基准电压生成电路,

    싱글 투 디퍼런셜 앨엔에이 회로
    4.
    发明公开
    싱글 투 디퍼런셜 앨엔에이 회로 有权
    DINGLE - 差异LNA

    公开(公告)号:KR1020110030032A

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:KR1020090087961

    申请日:2009-09-17

    Abstract: PURPOSE: A single to differential LNA circuit is provided to stabilize an input DC bias using a current source instead of an inductor. CONSTITUTION: A DC bias unit(1) generates a DC bias signal. An LNA input signal is inputted to a common source of first and eleventh n-MOSs(M1,M11). The LNA input signal is inputted to a common gate of second and twelfth n-MOSs(M2,M12). A first current mirror(11) comprises a third p-MOS transistor(M3) and a thirteen p-MOS transistor(M13). A second current mirror(12) comprises a fourth p-MOS transistor(M4) and a fourteenth p-MOS transistor(M14). A DC bias unit is connected between the DC bias unit and an LNA input signal terminal. A first output terminal outputs a first difference output signal. A second output terminal outputs a second difference output signal.

    Abstract translation: 目的:提供单差分LNA电路,以使用电流源而不是电感来稳定输入直流偏置。 构成:直流偏置单元(1)产生一个直流偏置信号。 LNA输入信号被输入到第一和第十一个n-MOS(M1,M11)的公共源。 LNA输入信号输入到第二和第十二个n-MOS(M2,M12)的公共栅极。 第一电流镜(11)包括第三p-MOS晶体管(M3)和十三个p-MOS晶体管(M13)。 第二电流镜(12)包括第四个p-MOS晶体管(M4)和第十四个p-MOS晶体管(M14)。 DC偏置单元连接在DC偏置单元和LNA输入信号端子之间。 第一输出端子输出第一差分输出信号。 第二输出端输出第二差输出信号。

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