公开(公告)号：KR1020150129962A

公开(公告)日：2015-11-23

申请号：KR1020140056743

申请日：2014-05-12

Applicant: (주)유우일렉트로닉스

Inventor： 김형원 ,  안미숙 ,  한용희 ,  백종빈 ,  한석만

IPC: H01L23/12 ,  H01L27/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2924/16235

Abstract: 웨이퍼레벨패키징소자의제조방법이제공된다. 본발명의제조방법은, 상부 SOI 기판의실리콘구조층하부소정의위치에캐비티를형성하는공정; 상기캐비티가형성된구조층하부소정의위치에적외선필터층을형성하는공정; 상기적외선필터층이형성된구조층하부소정의위치에금속솔더층을형성하고, 이어, 다이싱레인을형성하는공정; 상기와같이제조된상부 SOI 기판을하부센서기판에접착시키는공정; 상기상부 SOI 기판을이루는실리콘캐리어층을제거함으로써절연체층을노출시키는공정; 및상기상부기판과하부센서기판을다이싱하는공정;을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种制造晶片级封装装置的方法。 根据本发明，制造晶片级封装装置的方法包括：在顶部SOI衬底的硅结构层的下侧的预设位置上形成腔的步骤; 在其上形成有空腔的结构层的下侧的预定位置处形成红外滤光器层的步骤; 在形成有红外线滤光器的结构层的下侧的预定位置形成金属焊料层，然后形成切割线的工序; 将顶部SOI衬底接合到底部传感器衬底的步骤; 通过去除包括顶部SOI衬底的硅载体层来暴露绝缘体层的步骤; 以及切割顶部基板和底部传感器基板的步骤。

公开(公告)号：KR101588642B1

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：KR1020140056743

申请日：2014-05-12

Applicant: (주)유우일렉트로닉스

Inventor： 김형원 ,  안미숙 ,  한용희 ,  백종빈 ,  한석만

IPC: H01L23/12 ,  H01L27/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2924/16235

Abstract: 웨이퍼레벨패키징소자의제조방법이제공된다. 본발명의제조방법은, 상부 SOI 기판의실리콘구조층하부소정의위치에캐비티를형성하는공정; 상기캐비티가형성된구조층하부소정의위치에적외선필터층을형성하는공정; 상기적외선필터층이형성된구조층하부소정의위치에금속솔더층을형성하고, 이어, 다이싱레인을형성하는공정; 상기와같이제조된상부 SOI 기판을하부센서기판에접착시키는공정; 상기상부 SOI 기판을이루는실리콘캐리어층을제거함으로써절연체층을노출시키는공정; 및상기상부기판과하부센서기판을다이싱하는공정;을포함한다.