Abstract:
본 발명은 반도체 챔버 라이너에 관한 것으로서, 외부와 밀폐되어 웨이퍼를 공정처리하기 위한 반응공간을 제공하되 하부에는 웨이퍼가 안착되는 정전척이 구비된 반응부와, 상기 반응부와 게이트를 통해 연통되되 상기 반응부 내부의 유체를 배기시키기 위한 배기포트가 구비된 배기부를 포함하는 반도체 챔버에 장착되는 반도체 챔버 라이너에 있어서, 상기 반응부의 내벽면에 장착되되 상기 게이트에 대응되는 부분에 게이트홀이 형성된 원통부 및 상기 반응부의 하면에 장착되되 상기 원통부의 하단부로부터 내측 방향으로 일체로 연장형성된 플랜지부를 포함하는 제1라이너; 일단부가 상기 게이트홀의 하측 부분에 연결되도록 결합되고 타단부가 상기 배기포트 측으로 연장형성되어, 상기 게이트홀의 하측에 장착되는 제2라이너; 및 일단부가 상기 게이트홀의 상측 부분에 연결되도록 결합되고 타단부가 상기 배기부 측으로 연장형성되어, 상기 게이트홀의 상측에 장착됨과 동시에 상기 제2라이너의 상부에 결합되는 제3라이너;를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기와 같이 구성된 본 발명에 의하면, 분해 및 조립이 간편하여 세정을 쉽게 할 수 있고, 장비의 유지보수 시간이 단축되어 생산량을 극대화할 수 있다. 반도체, 챔버, 라이너, 세라믹, 거칠기
Abstract:
A semiconductor chamber liner is provided to couple a second liner with a third liner firmly by using a coupling groove formed in the third liner and a coupling protrusion formed in the second liner. A first liner(110) is mounted in an inner wall of a reactor. The first liner includes a flange part mounted on a lower part of the reactor and a cylindrical part with a gate hole formed in the position corresponding to the gate. One end of a second liner(120) is coupled with the lower part of the gate hole. The other end of a second liner is mounted on the lower part of the gate hole. One end of a third liner(130) is coupled with the upper part of the gate hole. The other end of the third liner is mounted on the upper part of the gate hole. The other part of the third liner is coupled with the upper part of the second liner.
Abstract:
상압 플라즈마 점화 장치 및 이를 이용한 상압 플라즈마 점화 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 상압 플라즈마 점화 장치는 마이크로 웨이브가 인가되는 도파관, 상기 도파관을 관통하며 반응 가스가 유입되는 유전관 및 상기 유전관 내에서 마이크로 웨이브를 인가하여 상기 반응가스를 플라즈마화하기 위한 상압 플라즈마의 점화 장치에 있어서, 상기 점화 장치는 상기 유전관을 관통하며, 상기 유전관 내에서 상기 마이크로 웨이브를 인가받음에 따라 열전자를 방출하는 점화봉을 포함하며, 본 발명에 따른 상압 플라즈마 점화 장치는 무전력 방식의 점화를 수행할 수 있으므로, 고전압이 요구되는 종래 기술의 문제(과도한 전력량, 안정상의 문제)를 한꺼번에 피할 수 있다. 또한 본 발명에 따른 상압 플라즈마 점화 장치는 유전관 내, 외부로 점화봉을 이동시킬 수 있으므로, 플라즈마 열에 따른 점화 장치의 물리적 손상을 방지할 수 있으며, 또한 점화장치에 사용되는 금속 재료의 범위가 종래 기술에 비하여 훨씬 넓다는 효과를 갖는다.
Abstract:
PURPOSE: A gas scrubbing apparatus and a gas scrubbing method are provided to improve gas scrubbing efficiency by directly depositing water on an optimum area for discharging plasma reactive gas. CONSTITUTION: A reactive gas is inputted into a reactive tube(110). A reactor(130) is connected to the reactive tube and changes the inputted reactive gas into plasma gas. A water injection unit(140) injects water into the plasma of the reactor. The water injection unit drops the water at a constant rate.
Abstract:
PURPOSE: A method for treating and processing gas and a treatment device thereof are provided to improve economical efficiency and to recycle used catalysts for other uses while improving environmental friendliness. CONSTITUTION: A method for treating and processing gas includes a step for forming exhaust gas including carbon dioxide by decomposing processed gas with plasma and a step for adsorbing the carbon dioxide in the exhaust gas with materials activated by the plasma. A treatment device includes a reactor(200) forming the exhaust gas including the carbon dioxide and an exhaust line(220) discharging the exhaust gas decomposed by the reactor.
Abstract:
공정 가스 처리 방법 및 처리 장치가 제공된다. 본 발명에 따른 공정 가스 처리 방법은 공정 가스를 플라즈마 분해시켜 이산화탄소를 포함하는 배기 가스를 형성하는 단계; 및 상기 플라즈마에 의하여 활성화된 촉매를 이용하여 상기 배기가스 중의 이산화탄소를 흡착시키는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 공정 가스 처리 방법은 반도체 공정 후 발생하는 불소 함유 공정 가스를 플라즈마에 의하여 분해함과 동시에 분해 시 발생하는 CO 2 를 효과적으로 플라즈마-활성화 촉매에 흡착시킴으로써 배기가스 중 CO 2 양을 상당한 수준으로 저감시킬 수 있으므로, 경제성이 우수할 뿐만 아니라 친환경적이며, 더 나아가, 사용된 촉매는 별도의 재생공정 없이 다른 용도로 재사용될 수 있다.
Abstract:
반도체 장비 부품 세정 방법 및 이를 이용한 반도체 장비 부품 세정 장치가 제공된다. 본 발명에 따른 반도체 장비 부품 세정 방법은 a) 세정하고자 하는 반도체 장비 부품에 표면 처리액을 접촉시키는 단계; 및 (b) 상기 부품을 반응 챔버에서 플라즈마 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 보다 경제적인 방식으로 반도체 장비 부품을 세정할 수 있으며, 특히 노후된 반도체 장비 부품에 응집되어 있는 유기 또는 무기물질을 매우 효과적으로 제거할 수 있으므로, 장비에 사용된 부품의 사용수명을 연장할 수 있으며, 부품의 재사용을 통하여 장비의 경제성을 제고할 수 있다
Abstract:
본 발명은 반도체 산업을 포함한 각종 전자 산업으로부터 배출되는 대기오염 유해가스를 제거하기 위한 폐가스 제거 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 진공 챔버로부터 배출되는 유해가스를 저압 동공음극 방전 플라즈마로 처리하고 상기 저압 동공음극 방전 플라즈마로 처리된 유해가스가 대기압으로 배출될 때, 다시 대기압 전자파 플라즈마로 유해가스를 통과시켜 완벽하게 제거하는 저압 및 대기압 플라즈마를 이용한 폐가스 제거 시스템을 제공하고 된다. 대기압, 저압, 플라즈마, 동공음극 방전, 전자파 방전, 스크러버
Abstract:
가스 스크러빙 장치 및 가스 스크러빙 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 가스 스크러빙 장치는 반응가스가 유입되는 반응관; 상기 반응관과 연결되며, 상기 유입된 반응가스를 플라즈마화시키는 반응기; 및 상기 반응기 내의 플라즈마에 물을 주입하기 위한 물 주입부를 포함하며, 별도의 히터를 사용하지 않고, 플라즈마의 열원을 이용하여 물을 증기화시키기 때문에 매우 경제적인 가스 스크러빙을 가능하게 한다. 더 나아가, 플라즈마화된 반응가스가 배출되는 최적의 영역에서 물을 직접 증기화시켜 반응가스를 스크러빙하므로, 가스 스크러빙의 효율 또한 향상된다.
Abstract:
PURPOSE: An atmospheric plasma generator and an atmospheric plasma generating method using the same are provided to reduce the costs of manufacturing an atmospheric plasma device by preventing the use of a pricey and complex device such as a 3-stub. CONSTITUTION: An atmospheric plasma generator comprises a waveguide(200) which receives a microwave, and a dielectric tube(210) which generates plasma through the waveguide. The length of the waveguide is adjustable. An end part(200a) of the waveguide is formed into a dual-wall structure with an inner wall and an exterior wall. A unit for transferring the inner wall is installed on the outer wall. An uneven side with a plurality of concave units is formed on the inner wall of the waveguide. The end part of the waveguide is transferred on the concave units of the uneven unit.