반도체 챔버 라이너
    1.
    发明授权
    반도체 챔버 라이너 有权
    半导体室用衬套

    公开(公告)号:KR100906392B1

    公开(公告)日:2009-07-07

    申请号:KR1020070130138

    申请日:2007-12-13

    CPC classification number: H01L21/67069 H01J37/32623 H01J37/32633

    Abstract: 본 발명은 반도체 챔버 라이너에 관한 것으로서, 외부와 밀폐되어 웨이퍼를 공정처리하기 위한 반응공간을 제공하되 하부에는 웨이퍼가 안착되는 정전척이 구비된 반응부와, 상기 반응부와 게이트를 통해 연통되되 상기 반응부 내부의 유체를 배기시키기 위한 배기포트가 구비된 배기부를 포함하는 반도체 챔버에 장착되는 반도체 챔버 라이너에 있어서, 상기 반응부의 내벽면에 장착되되 상기 게이트에 대응되는 부분에 게이트홀이 형성된 원통부 및 상기 반응부의 하면에 장착되되 상기 원통부의 하단부로부터 내측 방향으로 일체로 연장형성된 플랜지부를 포함하는 제1라이너; 일단부가 상기 게이트홀의 하측 부분에 연결되도록 결합되고 타단부가 상기 배기포트 측으로 연장형성되어, 상기 게이트홀의 하측에 장착되는 제2라이너; 및 일단부가 상기 게이트홀의 상측 부분에 연결되도록 결합되고 타단부가 상기 배기부 측으로 연장형성되어, 상기 게이트홀의 상측에 장착됨과 동시에 상기 제2라이너의 상부에 결합되는 제3라이너;를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기와 같이 구성된 본 발명에 의하면, 분해 및 조립이 간편하여 세정을 쉽게 할 수 있고, 장비의 유지보수 시간이 단축되어 생산량을 극대화할 수 있다.
    반도체, 챔버, 라이너, 세라믹, 거칠기

    반도체 챔버 라이너
    2.
    发明公开
    반도체 챔버 라이너 有权
    半导体室内衬

    公开(公告)号:KR1020090062720A

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:KR1020070130138

    申请日:2007-12-13

    CPC classification number: H01L21/67069 H01J37/32623 H01J37/32633

    Abstract: A semiconductor chamber liner is provided to couple a second liner with a third liner firmly by using a coupling groove formed in the third liner and a coupling protrusion formed in the second liner. A first liner(110) is mounted in an inner wall of a reactor. The first liner includes a flange part mounted on a lower part of the reactor and a cylindrical part with a gate hole formed in the position corresponding to the gate. One end of a second liner(120) is coupled with the lower part of the gate hole. The other end of a second liner is mounted on the lower part of the gate hole. One end of a third liner(130) is coupled with the upper part of the gate hole. The other end of the third liner is mounted on the upper part of the gate hole. The other part of the third liner is coupled with the upper part of the second liner.

    Abstract translation: 提供半导体室衬套以通过使用形成在第三衬套中的联接槽和形成在第二衬套中的联接突起来将第二衬套与第三衬套牢固地连接。 第一衬里(110)安装在反应器的内壁中。 第一衬套包括安装在电抗器的下部的凸缘部分和形成在对应于门的位置的门孔的圆柱形部分。 第二衬套(120)的一端与门孔的下部连接。 第二衬套的另一端安装在门孔的下部。 第三衬套(130)的一端与门孔的上部连接。 第三衬套的另一端安装在门孔的上部。 第三衬套的另一部分与第二衬套的上部连接。

    상압 플라즈마 점화 장치 및 이를 이용한 상압 플라즈마 점화 방법
    3.
    发明授权
    상압 플라즈마 점화 장치 및 이를 이용한 상압 플라즈마 점화 방법 有权
    一种用于大气等离子体的点火装置和使用其的点火方法

    公开(公告)号:KR101026459B1

    公开(公告)日:2011-04-01

    申请号:KR1020080118402

    申请日:2008-11-26

    CPC classification number: H05H1/46 H05H2001/4622 H05H2240/10

    Abstract: 상압 플라즈마 점화 장치 및 이를 이용한 상압 플라즈마 점화 방법이 제공된다.
    본 발명에 따른 상압 플라즈마 점화 장치는 마이크로 웨이브가 인가되는 도파관, 상기 도파관을 관통하며 반응 가스가 유입되는 유전관 및 상기 유전관 내에서 마이크로 웨이브를 인가하여 상기 반응가스를 플라즈마화하기 위한 상압 플라즈마의 점화 장치에 있어서, 상기 점화 장치는 상기 유전관을 관통하며, 상기 유전관 내에서 상기 마이크로 웨이브를 인가받음에 따라 열전자를 방출하는 점화봉을 포함하며, 본 발명에 따른 상압 플라즈마 점화 장치는 무전력 방식의 점화를 수행할 수 있으므로, 고전압이 요구되는 종래 기술의 문제(과도한 전력량, 안정상의 문제)를 한꺼번에 피할 수 있다. 또한 본 발명에 따른 상압 플라즈마 점화 장치는 유전관 내, 외부로 점화봉을 이동시킬 수 있으므로, 플라즈마 열에 따른 점화 장치의 물리적 손상을 방지할 수 있으며, 또한 점화장치에 사용되는 금속 재료의 범위가 종래 기술에 비하여 훨씬 넓다는 효과를 갖는다.

    가스 스크러빙 장치 및 가스 스크러빙 방법
    4.
    发明公开
    가스 스크러빙 장치 및 가스 스크러빙 방법 有权
    气体清洗装置和方法

    公开(公告)号:KR1020100046430A

    公开(公告)日:2010-05-07

    申请号:KR1020080105267

    申请日:2008-10-27

    Abstract: PURPOSE: A gas scrubbing apparatus and a gas scrubbing method are provided to improve gas scrubbing efficiency by directly depositing water on an optimum area for discharging plasma reactive gas. CONSTITUTION: A reactive gas is inputted into a reactive tube(110). A reactor(130) is connected to the reactive tube and changes the inputted reactive gas into plasma gas. A water injection unit(140) injects water into the plasma of the reactor. The water injection unit drops the water at a constant rate.

    Abstract translation: 目的:提供气体洗涤装置和气体洗涤方法,以通过在最佳区域上直接沉积水来排放等离子体反应气体来提高气体洗涤效率。 构成:将反应性气体输入到反应管(110)中。 反应器(130)连接到反应管并将输入的反应气体改变成等离子体气体。 注水单元(140)将水注入反应器的等离子体中。 注水单元以恒定的速度滴水。

    공정 가스 처리 방법 및 처리 장치
    5.
    发明公开
    공정 가스 처리 방법 및 처리 장치 有权
    处理工艺气体的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020100032674A

    公开(公告)日:2010-03-26

    申请号:KR1020080091655

    申请日:2008-09-18

    Abstract: PURPOSE: A method for treating and processing gas and a treatment device thereof are provided to improve economical efficiency and to recycle used catalysts for other uses while improving environmental friendliness. CONSTITUTION: A method for treating and processing gas includes a step for forming exhaust gas including carbon dioxide by decomposing processed gas with plasma and a step for adsorbing the carbon dioxide in the exhaust gas with materials activated by the plasma. A treatment device includes a reactor(200) forming the exhaust gas including the carbon dioxide and an exhaust line(220) discharging the exhaust gas decomposed by the reactor.

    Abstract translation: 目的:提供一种处理和处理气体的方法及其处理装置,以提高经济效率并回收用于其他用途的用过的催化剂,同时改善环境友好性。 构成:处理和处理气体的方法包括通过用等离子体分解处理气体来形成包括二氧化碳的废气的步骤,以及用等离子体激活的材料吸附废气中的二氧化碳的步骤。 处理装置包括形成包括二氧化碳的废气的反应器(200)和排出由反应器分解的废气的排气管线(220)。

    공정 가스 처리 방법 및 처리 장치
    6.
    发明授权
    공정 가스 처리 방법 및 처리 장치 有权
    处理工艺气体的方法和装置

    公开(公告)号:KR101026458B1

    公开(公告)日:2011-04-01

    申请号:KR1020080091655

    申请日:2008-09-18

    Abstract: 공정 가스 처리 방법 및 처리 장치가 제공된다.
    본 발명에 따른 공정 가스 처리 방법은 공정 가스를 플라즈마 분해시켜 이산화탄소를 포함하는 배기 가스를 형성하는 단계; 및 상기 플라즈마에 의하여 활성화된 촉매를 이용하여 상기 배기가스 중의 이산화탄소를 흡착시키는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 공정 가스 처리 방법은 반도체 공정 후 발생하는 불소 함유 공정 가스를 플라즈마에 의하여 분해함과 동시에 분해 시 발생하는 CO
    2 를 효과적으로 플라즈마-활성화 촉매에 흡착시킴으로써 배기가스 중 CO
    2 양을 상당한 수준으로 저감시킬 수 있으므로, 경제성이 우수할 뿐만 아니라 친환경적이며, 더 나아가, 사용된 촉매는 별도의 재생공정 없이 다른 용도로 재사용될 수 있다.

    반도체 장비 부품 세정 방법 및 이를 이용한 반도체 장비 부품 세정 장치
    7.
    发明授权
    반도체 장비 부품 세정 방법 및 이를 이용한 반도체 장비 부품 세정 장치 有权
    一种用于清洁半导体设备的部件的方法和用于清洁使用其的半导体设备的部件的设备

    公开(公告)号:KR100987977B1

    公开(公告)日:2010-10-18

    申请号:KR1020080082078

    申请日:2008-08-21

    CPC classification number: B08B7/0035

    Abstract: 반도체 장비 부품 세정 방법 및 이를 이용한 반도체 장비 부품 세정 장치가 제공된다.
    본 발명에 따른 반도체 장비 부품 세정 방법은 a) 세정하고자 하는 반도체 장비 부품에 표면 처리액을 접촉시키는 단계; 및 (b) 상기 부품을 반응 챔버에서 플라즈마 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 보다 경제적인 방식으로 반도체 장비 부품을 세정할 수 있으며, 특히 노후된 반도체 장비 부품에 응집되어 있는 유기 또는 무기물질을 매우 효과적으로 제거할 수 있으므로, 장비에 사용된 부품의 사용수명을 연장할 수 있으며, 부품의 재사용을 통하여 장비의 경제성을 제고할 수 있다

    가스 스크러빙 장치 및 가스 스크러빙 방법
    9.
    发明授权
    가스 스크러빙 장치 및 가스 스크러빙 방법 有权
    气体洗涤的方法和方法

    公开(公告)号:KR100987978B1

    公开(公告)日:2010-10-18

    申请号:KR1020080105267

    申请日:2008-10-27

    Abstract: 가스 스크러빙 장치 및 가스 스크러빙 방법이 제공된다.
    본 발명에 따른 가스 스크러빙 장치는 반응가스가 유입되는 반응관;
    상기 반응관과 연결되며, 상기 유입된 반응가스를 플라즈마화시키는 반응기; 및 상기 반응기 내의 플라즈마에 물을 주입하기 위한 물 주입부를 포함하며, 별도의 히터를 사용하지 않고, 플라즈마의 열원을 이용하여 물을 증기화시키기 때문에 매우 경제적인 가스 스크러빙을 가능하게 한다. 더 나아가, 플라즈마화된 반응가스가 배출되는 최적의 영역에서 물을 직접 증기화시켜 반응가스를 스크러빙하므로, 가스 스크러빙의 효율 또한 향상된다.

    상압 플라즈마 발생 장치 및 이를 이용한 상압 플라즈마 발생 방법
    10.
    发明公开
    상압 플라즈마 발생 장치 및 이를 이용한 상압 플라즈마 발생 방법 无效
    用于制造大气等离子体的装置以及使用其制造大气等离子体的方法

    公开(公告)号:KR1020100062715A

    公开(公告)日:2010-06-10

    申请号:KR1020080121474

    申请日:2008-12-02

    Abstract: PURPOSE: An atmospheric plasma generator and an atmospheric plasma generating method using the same are provided to reduce the costs of manufacturing an atmospheric plasma device by preventing the use of a pricey and complex device such as a 3-stub. CONSTITUTION: An atmospheric plasma generator comprises a waveguide(200) which receives a microwave, and a dielectric tube(210) which generates plasma through the waveguide. The length of the waveguide is adjustable. An end part(200a) of the waveguide is formed into a dual-wall structure with an inner wall and an exterior wall. A unit for transferring the inner wall is installed on the outer wall. An uneven side with a plurality of concave units is formed on the inner wall of the waveguide. The end part of the waveguide is transferred on the concave units of the uneven unit.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用其的大气等离子体发生器和大气等离子体产生方法,以通过防止使用诸如3管脚的昂贵且复杂的装置来降低制造大气等离子体装置的成本。 构成:大气等离子体发生器包括接收微波的波导管(200)和通过波导产生等离子体的电介质管(210)。 波导的长度可调。 波导的端部(200a)形成为具有内壁和外壁的双壁结构。 用于传送内壁的单元安装在外壁上。 在波导管的内壁上形成有多个凹部的不平坦侧。 波导的端部被传送到不均匀单元的凹形单元上。

Patent Agency Ranking