公开(公告)号：CN105247661A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480030286.6

申请日：2014-05-22

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 森本哲光 ,  片冈真 ,  福本英树

IPC: H01L21/304 ,  B32B27/30 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/30 ,  B32B2457/14 ,  C08F222/1006 ,  C09J7/29 ,  C09J133/10 ,  C09J2201/162 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/006 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  C08F2220/1858 ,  C08F2220/1808 ,  C08F2220/325 ,  C08F220/14

Abstract: 本发明提供半导体晶片保护用膜，其具有基材层(A)和形成于上述基材层(A)上的粘着层(C)，上述基材层(A)包含聚合物，上述聚合物利用van Krevelen法求出的溶解参数为9以上。

公开(公告)号：CN102763211B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201180009655.X

申请日：2011-05-31

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司 ,  才本芳久 ,  片冈真 ,  尾崎胜敏 ,  酒井充

IPC: H01L21/683 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/67132 ,  Y10T428/1471

Abstract: 本发明提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。具体来说，提供一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的储能模量E（25）为1GPa以上的基材层；在25℃时的储能模量EA（25）和在60℃时的储能模量EA（60）满足EA（60）/EA（25）

公开(公告)号：CN102763211A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009655.X

申请日：2011-05-31

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司 ,  才本芳久 ,  片冈真 ,  尾崎胜敏 ,  酒井充

IPC: H01L21/683 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/67132 ,  Y10T428/1471

Abstract: 本发明提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。具体来说，提供一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的储能模量E（25）为1GPa以上的基材层；在25℃时的储能模量EA（25）和在60℃时的储能模量EA（60）满足EA（60）/EA（25）

公开(公告)号：CN105247661B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201480030286.6

申请日：2014-05-22

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 森本哲光 ,  片冈真 ,  福本英树

IPC: H01L21/304 ,  B32B27/30 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供半导体晶片保护用膜，其具有基材层(A)和形成于上述基材层(A)上的粘着层(C)，上述基材层(A)包含聚合物，上述聚合物利用van Krevelen法求出的溶解参数为9以上。