公开(公告)号：CN109075050A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780021748.1

申请日：2017-03-21

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 栗原宏嘉 ,  福本英树

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。工序(A)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于上述半导体晶片的上述电路形成面侧的粘着性膜(100)；工序(B)，将上述半导体晶片的与上述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨；工序(C)，对粘着性膜(100)照射紫外线之后从上述半导体晶片除去粘着性膜(100)。作为粘着性膜(100)，使用具备基材层(10)、以及设置于基材层(10)的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层(20)的粘着性膜。而且，在粘着性膜(100)中，粘着性树脂层(20)包含紫外线固化型粘着性树脂，利用特定的方法测定得到的紫外线固化后的粘着性树脂层(20)的表面的饱和带电压V1为2.0kV以下。

公开(公告)号：CN109075050B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201780021748.1

申请日：2017-03-21

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 栗原宏嘉 ,  福本英树

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。工序(A)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于上述半导体晶片的上述电路形成面侧的粘着性膜(100)；工序(B)，将上述半导体晶片的与上述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨；工序(C)，对粘着性膜(100)照射紫外线之后从上述半导体晶片除去粘着性膜(100)。作为粘着性膜(100)，使用具备基材层(10)、以及设置于基材层(10)的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层(20)的粘着性膜。而且，在粘着性膜(100)中，粘着性树脂层(20)包含紫外线固化型粘着性树脂，利用特定的方法测定得到的紫外线固化后的粘着性树脂层(20)的表面的饱和带电压V1为2.0kV以下。

公开(公告)号：CN105247661B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201480030286.6

申请日：2014-05-22

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 森本哲光 ,  片冈真 ,  福本英树

IPC: H01L21/304 ,  B32B27/30 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供半导体晶片保护用膜，其具有基材层(A)和形成于上述基材层(A)上的粘着层(C)，上述基材层(A)包含聚合物，上述聚合物利用van Krevelen法求出的溶解参数为9以上。

公开(公告)号：CN105247661A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480030286.6

申请日：2014-05-22

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 森本哲光 ,  片冈真 ,  福本英树

IPC: H01L21/304 ,  B32B27/30 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/30 ,  B32B2457/14 ,  C08F222/1006 ,  C09J7/29 ,  C09J133/10 ,  C09J2201/162 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/006 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  C08F2220/1858 ,  C08F2220/1808 ,  C08F2220/325 ,  C08F220/14

Abstract: 本发明提供半导体晶片保护用膜，其具有基材层(A)和形成于上述基材层(A)上的粘着层(C)，上述基材层(A)包含聚合物，上述聚合物利用van Krevelen法求出的溶解参数为9以上。