公开(公告)号：CN100405545C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200480015512.X

申请日：2004-05-31

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 大塚康二 ,  佐藤纯治 ,  圶哲次 ,  多田善纪 ,  吉田隆

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L33/00

Abstract: 为了形成氮化物类半导体元件而准备掺杂p型杂质且具有充分的导电性的p型硅衬底(1)。通过在硅衬底(1)上依次外延生长由AlN构成的第一缓冲层(11)、由n-InGaN构成第二缓冲层(12)、由n-GaN构成的n型氮化物半导体层(13)、活性层(14)以及由p-GaN构成的p型氮化物半导体层(15)时的加热处理，使第一层(11)的Al、第二层12的Ga和In扩散到p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)和缓冲层(11)之间形成合金层(2)。Al、Ga、In也扩散到与合金层(2)相邻的p型硅衬底(1)内部，但Al、Ga、In对硅而言作为p型杂质起作用且由于硅衬底(1)为p型，在硅衬底(1)中不形成pn结。结果，氮化物类半导体元件的驱动电压变低。

公开(公告)号：CN1799123A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015512.X

申请日：2004-05-31

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 大塚康二 ,  佐藤纯治 ,  圶哲次 ,  多田善纪 ,  吉田隆

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L33/00

Abstract: 为了形成氮化物类半导体元件而准备掺杂p型杂质且具有充分的导电性的p型硅衬底(1)。通过在硅衬底(1)上依次外延生长由AlN构成的第一缓冲层(11)、由n－InGaN构成第二缓冲层(12)、由n－GaN构成的n型氮化物半导体层(13)、活性层(14)以及由p－GaN构成的p型氮化物半导体层(15)时的加热处理，使第一层(11)的Al、第二层12的Ga和In扩散到p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)和缓冲层(11)之间形成合金层(2)。Al、Ga、In也扩散到与合金层(2)相邻的p型硅衬底(1)内部，但Al、Ga、In对硅而言作为p型杂质起作用且由于硅衬底(1)为p型，在硅衬底(1)中不形成pn结。结果，氮化物类半导体元件的驱动电压变低。

公开(公告)号：CN1846310B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200480024913.1

申请日：2004-09-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 大塚康二 ,  圶哲次 ,  佐藤纯治 ,  多田善纪 ,  吉田隆

IPC: H01L29/26 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: 准备掺杂p型杂质的、并且具有充分导电性的p型硅衬底1。在硅衬底1上依次外延生长由n型AlGaInN构成的缓冲区域3、由n型GaN构成的n型氮化物半导体层13、活性层14、以及由p型GaN构成的p型氮化物半导体层15。缓冲区域3的Ga等3族元素Ga向p型硅衬底1扩散，形成电阻低的p型扩散区域1a。此外，在p型硅衬底1和由n型AlGaInN构成的n型缓冲区域3的异质结部分形成有助于p型硅衬底1的载流子的输送的界面能级。通过该界面能级，可提高硅衬底1向n型缓冲区3输送载流子的效率，使发光二极管的驱动电压降低。