公开(公告)号：CN120076398A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202410817511.6

申请日：2024-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 明台勋 ,  郑载勋 ,  金锡勋 ,  益冈有里 ,  洪秀宪 ,  金旻怡 ,  申宇胜 ,  李尚炫 ,  郑东灿

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成堆叠图案，所述堆叠图案包括堆叠在衬底上的有源层和牺牲层，其中，所述有源层包括彼此垂直相邻的两个有源层，并且所述牺牲层介于所述两个有源层之间；通过对所述堆叠图案进行蚀刻来形成凹陷；通过对所述牺牲层的通过所述凹陷暴露的一部分进行蚀刻来形成压痕；在所述凹陷的内表面上形成硅层；在所述压痕中形成内间隔物；通过去除所述牺牲层来形成内区域；以及在所述内区域中形成栅极绝缘层，其中，形成所述栅极绝缘层包括通过对通过所述内区域暴露的所述硅层执行氧化工艺来形成氧化物层。

公开(公告)号：CN115985914A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211252308.6

申请日：2022-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵信喆 ,  千健龙 ,  高明东 ,  朴容喜 ,  李尚炫 ,  金洞院 ,  申宇胜 ,  李炯锡

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  B82Y10/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括具有下图案和与下图案间隔开的片图案的有源图案、在下图案上并具有围绕每个片图案的栅电极和栅极绝缘膜的栅极结构、在栅极结构上的栅极覆盖图案、在栅极覆盖图案和栅极结构之间的栅极蚀刻停止图案、沿着栅极覆盖图案的侧壁的栅极间隔件、在栅极结构上的源极/漏极图案、穿过栅极覆盖图案并连接到栅电极的栅极接触件以及在源极/漏极图案上并连接到源极/漏极图案的源极/漏极接触件，栅极接触件的上表面和栅极间隔件的上表面共面。