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公开(公告)号:CN100538936C
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200410061989.3
申请日:2004-06-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , C08L101/12 , H01G4/206 , H05K2201/0209 , Y10T428/257
Abstract: 公开了一种合成物,用于形成应用于具有高介电常数的嵌入电容器的电介质,使用该合成物产生的电容器,以及具有电容器的PCB。该合成物包括40至99vol%的热塑性或热固性树脂;以及1至60vol%的半导体填料。另外,该合成物包括40至95vol%的热塑性或热固性树脂;以及5至60vol%的半导体填料。此外,本发明提供使用该合成物产生的电容器,以及具有电容器的PCB。因此,使用包括半导体填料或半导体铁电物质的合成物产生的电介质的好处在于介电常数很高以及介电损耗低。通常应用电介质来产生具有高介电常数的嵌入电容器以及具有嵌入电容器的PCB。
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公开(公告)号:CN101325128A
公开(公告)日:2008-12-17
申请号:CN200810125541.1
申请日:2004-06-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , C08L101/12 , H01G4/206 , H05K2201/0209 , Y10T428/257
Abstract: 公开了一种合成物,用于形成应用于具有高介电常数的嵌入电容器的电介质,使用该合成物产生的电容器,以及具有电容器的PCB。该合成物包括40至99vol%的热塑性或热固性树脂;以及1至60vol%的半导体填料。另外,该合成物包括40至95vol%的热塑性或热固性树脂;以及5至60vol%的半导体填料。此外,本发明提供使用该合成物产生的电容器,以及具有电容器的PCB。因此,使用包括半导体填料或半导体铁电物质的合成物产生的电介质的好处在于介电常数很高以及介电损耗低。通常应用电介质来产生具有高介电常数的嵌入电容器以及具有嵌入电容器的PCB。
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公开(公告)号:CN1694197A
公开(公告)日:2005-11-09
申请号:CN200410061989.3
申请日:2004-06-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , C08L101/12 , H01G4/206 , H05K2201/0209 , Y10T428/257
Abstract: 公开了一种合成物,用于形成应用于具有高介电常数的嵌入电容器的电介质,使用该合成物产生的电容器,以及具有电容器的PCB。该合成物包括40至99vol%的热塑性或热固性树脂;以及1至60vol%的半导体填料。另外,该合成物包括40至95vol%的热塑性或热固性树脂;以及5至60vol%的半导体填料。此外,本发明提供使用该合成物产生的电容器,以及具有电容器的PCB。因此,使用包括半导体填料或半导体铁电物质的合成物产生的电介质的好处在于介电常数很高以及介电损耗低。通常应用电介质来产生具有高介电常数的嵌入电容器以及具有嵌入电容器的PCB。
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