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公开(公告)号：CN1949950A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610141193.8
申请日：2006-10-13
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/206 , H01L2924/0002 , H05K2201/0209 , H01L2924/00
Abstract: 本发明披露了一种电容量随温度的变化小的复合介电组合物，包括电容量随温度呈现正变化或者负变化的聚合物基体以及与聚合物基体的变化互补的、电容量随温度呈现负变化或者正变化的陶瓷填料；以及使用该组合物制备的信号匹配埋入式电容器。具体地，本发明提供一种复合介电组合物，其包含电容量随温度呈现正变化或者负变化的聚合物基体以及与聚合物基体的变化互补的、电容量随温度呈现负变化或者正变化的陶瓷填料；以及使用该组合物制备的并且电容量随温度的变化ΔC/C×100(％)不大于5％的信号匹配埋入式电容器。由于电容量随温度的变化小，本发明的复合介电组合物能用于制备信号匹配埋入式电容器。
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公开(公告)号：CN1949421B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610140045.4
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/1218 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H05K1/09 , H05K1/162 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0355 , H05K2203/0353 , H05K2203/0369
Abstract: 一种薄膜电容器的制造方法，包括以下步骤：对金属箔执行再结晶热处理；在再结晶的金属箔的顶面上形成介电层；对金属箔和介电层执行热处理；以及在热处理过的介电层的顶面上形成上电极。再结晶热处理防止金属箔氧化，这样，可以以高温对介电层执行热处理，从而改善薄膜电容器的电特性和产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN1694197A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200410061989.3
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , C08L101/12 , H01G4/206 , H05K2201/0209 , Y10T428/257
Abstract: 公开了一种合成物，用于形成应用于具有高介电常数的嵌入电容器的电介质，使用该合成物产生的电容器，以及具有电容器的PCB。该合成物包括40至99vol％的热塑性或热固性树脂；以及1至60vol％的半导体填料。另外，该合成物包括40至95vol％的热塑性或热固性树脂；以及5至60vol％的半导体填料。此外，本发明提供使用该合成物产生的电容器，以及具有电容器的PCB。因此，使用包括半导体填料或半导体铁电物质的合成物产生的电介质的好处在于介电常数很高以及介电损耗低。通常应用电介质来产生具有高介电常数的嵌入电容器以及具有嵌入电容器的PCB。
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公开(公告)号：CN1959859B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200610138014.5
申请日：2006-11-02
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01B3/00 , H01B3/12 , H01B3/40 , H01B3/42 , H01B3/44 , C04B35/462 , C04B35/468 , C04B35/01 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L69/00 , C08L23/06 , C08L67/02 , C08L23/12 , C08L25/06 , C08L71/02 , C08L77/00 , H01G4/40 , H05K1/16 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC classification number: H01G4/206 , H01G4/1209 , H01G4/33 , H05K1/162 , H05K2201/0209
Abstract: 本发明涉及聚合物-陶瓷电介质组合物。该聚合物-陶瓷电介质组合物包括聚合物以及分散于聚合物中的陶瓷，其中陶瓷由具有表示为ABO3的钙钛矿结构的材料以及金属氧化物掺杂剂组成，并具有带电的表面。根据该电介质组合物，陶瓷表面带电以便在聚合/陶瓷界面诱导空间电荷极化(或界面极化)，导致介电常数增大。由于该电介质组合物尤其在低频范围具有高介电常数，它适合用于制造去耦电容器。本文进一步披露了使用该电介质组合物的电容器和印刷电路板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100551202C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610141193.8
申请日：2006-10-13
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/206 , H01L2924/0002 , H05K2201/0209 , H01L2924/00
Abstract: 本发明披露了一种电容量随温度的变化小的复合介电组合物，包括电容量随温度呈现正变化或者负变化的聚合物基体以及与聚合物基体的变化互补的、电容量随温度呈现负变化或者正变化的陶瓷填料；以及使用该组合物制备的信号匹配埋入式电容器。具体地，本发明提供一种复合介电组合物，其包含电容量随温度呈现正变化或者负变化的聚合物基体以及与聚合物基体的变化互补的、电容量随温度呈现负变化或者正变化的陶瓷填料；以及使用该组合物制备的并且电容量随温度的变化ΔC/C×100(%)不大于5%的信号匹配埋入式电容器。由于电容量随温度的变化小，本发明的复合介电组合物能用于制备信号匹配埋入式电容器。
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公开(公告)号：CN1959859A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610138014.5
申请日：2006-11-02
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01B3/00 , H01B3/12 , H01B3/40 , H01B3/42 , H01B3/44 , C04B35/462 , C04B35/468 , C04B35/01 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L69/00 , C08L23/06 , C08L67/02 , C08L23/12 , C08L25/06 , C08L71/02 , C08L77/00 , H01G4/40 , H05K1/16 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC classification number: H01G4/206 , H01G4/1209 , H01G4/33 , H05K1/162 , H05K2201/0209
Abstract: 本发明涉及聚合物－陶瓷电介质组合物。该聚合物－陶瓷电介质组合物包括聚合物以及分散于聚合物中的陶瓷，其中陶瓷由具有表示为ABO3的钙钛矿结构的材料以及金属氧化物掺杂剂组成，并具有带电的表面。根据该电介质组合物，陶瓷表面带电以便在聚合/陶瓷界面诱导空间电荷极化(或界面极化)，导致介电常数增大。由于该电介质组合物尤其在低频范围具有高介电常数，它适合用于制造去耦电容器。本文进一步披露了使用该电介质组合物的电容器和印刷电路板。
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公开(公告)号：CN1949421A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610140045.4
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/1218 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H05K1/09 , H05K1/162 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0355 , H05K2203/0353 , H05K2203/0369
Abstract: 一种薄膜电容器的制造方法，包括以下步骤：对金属箔执行再结晶热处理；在再结晶的金属箔的顶面上形成介电层；对金属箔和介电层执行热处理；以及在热处理过的介电层的顶面上形成上电极。再结晶热处理防止金属箔氧化，这样，可以以高温对介电层执行热处理，从而改善薄膜电容器的电特性和产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN100538936C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200410061989.3
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , C08L101/12 , H01G4/206 , H05K2201/0209 , Y10T428/257
Abstract: 公开了一种合成物，用于形成应用于具有高介电常数的嵌入电容器的电介质，使用该合成物产生的电容器，以及具有电容器的PCB。该合成物包括40至99vol%的热塑性或热固性树脂；以及1至60vol%的半导体填料。另外，该合成物包括40至95vol%的热塑性或热固性树脂；以及5至60vol%的半导体填料。此外，本发明提供使用该合成物产生的电容器，以及具有电容器的PCB。因此，使用包括半导体填料或半导体铁电物质的合成物产生的电介质的好处在于介电常数很高以及介电损耗低。通常应用电介质来产生具有高介电常数的嵌入电容器以及具有嵌入电容器的PCB。
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公开(公告)号：CN101325128A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810125541.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , C08L101/12 , H01G4/206 , H05K2201/0209 , Y10T428/257
Abstract: 公开了一种合成物，用于形成应用于具有高介电常数的嵌入电容器的电介质，使用该合成物产生的电容器，以及具有电容器的PCB。该合成物包括40至99vol％的热塑性或热固性树脂；以及1至60vol％的半导体填料。另外，该合成物包括40至95vol％的热塑性或热固性树脂；以及5至60vol％的半导体填料。此外，本发明提供使用该合成物产生的电容器，以及具有电容器的PCB。因此，使用包括半导体填料或半导体铁电物质的合成物产生的电介质的好处在于介电常数很高以及介电损耗低。通常应用电介质来产生具有高介电常数的嵌入电容器以及具有嵌入电容器的PCB。
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