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公开(公告)号:CN102027591B
公开(公告)日:2013-02-20
申请号:CN200980117207.4
申请日:2009-03-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2221/68336 , H01L2224/02379 , H01L2224/03436 , H01L2224/0361 , H01L2224/03622 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05647 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/215 , H01L2224/221 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01059 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2224/82 , H01L2224/19 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法及便携式设备,在CSP型半导体模块的制造方法中,提高半导体模块的生产效率。该半导体模块的制造方法包含如下工序:将形成有多个半导体元件(10)的半导体晶片(1)粘接在具有伸展性的第一绝缘树脂层(20)上的工序,其中所述半导体元件(10)具有元件电极(12);切割半导体晶片(1)的工序;拉伸第一绝缘树脂层(20)以扩大半导体元件(10)的间隔的工序;隔着第二绝缘树脂层将设置有电极的金属板和扩大了间隔的状态的多个半导体元件(10)压接,使电极与元件电极(12)电连接的压接工序;选择性地除去金属板以形成与各半导体元件(10)对应的配线层,并形成通过第一绝缘树脂层(20)和第二绝缘树脂层连结的多个半导体模块的工序;切断第一绝缘树脂层(20)及第二绝缘树脂层以实现半导体模块的单个化的工序。
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公开(公告)号:CN101853788A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN201010155425.1
申请日:2010-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/14 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02319 , H01L2224/0235 , H01L2224/02377 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/14152 , H01L2224/14155 , H01L2924/0001 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体模块的制造方法。该半导体模块通过蚀刻铜板形成突起电极和凹部,在该凹部上直到比突起电极的高度更低的位置形成绝缘树脂层后,压接半导体元件和具备与突起电极一体形成的布线层的铜板,使布线层翘曲而向半导体元件侧凸起,从而可靠地电连接突起电极和元件电极。
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公开(公告)号:CN101510539A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200910130772.6
申请日:2009-02-01
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/48 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/4846 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L2224/02319 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及元件安装用基板及其制造方法、半导体组件及其制造方法以及便携式设备。该元件搭载用基板包括:绝缘树脂层、设置在绝缘树脂层的一主表面的配线层、以及与配线层电连接且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极。在突起电极的侧面形成有凹凸,与突起电极的顶部面相比,其侧面的表面粗糙度大。
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公开(公告)号:CN100527921C
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200580006387.0
申请日:2005-02-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K3/4679 , H01L2224/16225 , H01L2924/19105 , H05K1/0269 , H05K3/0008 , H05K3/0032 , H05K3/0035 , H05K3/064 , H05K3/429 , H05K3/4652 , H05K2201/0394 , H05K2201/09063 , H05K2201/09536 , H05K2201/09563 , H05K2201/09781 , H05K2203/0554 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165
Abstract: 一种多层基板的制造方法,其抑制层之间的相位置对齐置的偏移,精度良好地形成将层彼此间电气连接的部位的位置。本发明的多层基板的制造方法,形成为将构图导电膜(13)而形成的配线层(14)隔着绝缘层(12)层积,首先在层积的导电膜(13)上设置确认孔(14),识别该确认孔(14)的位置后,进行第二层及其以后的配线层(18)的构图的结构。另外,在本发明中,使用确认孔,形成连接配线层之间的连接部。
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公开(公告)号:CN102027591A
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200980117207.4
申请日:2009-03-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2221/68336 , H01L2224/02379 , H01L2224/03436 , H01L2224/0361 , H01L2224/03622 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05647 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/215 , H01L2224/221 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01059 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2224/82 , H01L2224/19 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法及便携式设备,在CSP型半导体模块的制造方法中,提高半导体模块的生产效率。该半导体模块的制造方法包含如下工序:将形成有多个半导体元件(10)的半导体晶片(1)粘接在具有伸展性的第一绝缘树脂层(20)上的工序,其中所述半导体元件(10)具有元件电极(12);切割半导体晶片(1)的工序;拉伸第一绝缘树脂层(20)以扩大半导体元件(10)的间隔的工序;隔着第二绝缘树脂层将设置有电极的金属板和扩大了间隔的状态的多个半导体元件(10)压接,使电极与元件电极(12)电连接的压接工序;选择性地除去金属板以形成与各半导体元件(10)对应的配线层,并形成通过第一绝缘树脂层(20)和第二绝缘树脂层连结的多个半导体模块的工序;切断第一绝缘树脂层(20)及第二绝缘树脂层以实现半导体模块的单个化的工序。
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公开(公告)号:CN1926931A
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN200580006387.0
申请日:2005-02-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K3/4679 , H01L2224/16225 , H01L2924/19105 , H05K1/0269 , H05K3/0008 , H05K3/0032 , H05K3/0035 , H05K3/064 , H05K3/429 , H05K3/4652 , H05K2201/0394 , H05K2201/09063 , H05K2201/09536 , H05K2201/09563 , H05K2201/09781 , H05K2203/0554 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165
Abstract: 一种多层基板的制造方法,其抑制层之间的相位置对齐置的偏移,精度良好地形成将层彼此间电气连接的部位的位置。本发明的多层基板的制造方法,形成为将构图导电膜(13)而形成的配线层(14)隔着绝缘层(12)层积,首先在层积的导电膜(13)上设置确认孔(14),识别该确认部分(14)的位置后,进行第二层及其以后的配线层(18)的构图的结构。另外,在本发明中,使用确认部分,形成连接配线层之间的连接部。
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