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公开(公告)号：CN108603285A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780011284.6
申请日：2017-09-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的圆筒型溅射靶用热挤压原材料中，铜的纯度设在99.99质量％以上且99.9995质量％以下的范围内，Al的含量设为0.5质量ppm以下，Si的含量设为1质量ppm以下，C的含量设为1质量ppm以下，O的含量设为2质量ppm以下，H的含量设为1质量ppm以下，S的含量设为5质量ppm以下，在轴线O方向的一端部、中间部及另一端部的与轴线O方向正交的3个截面上，在周向的4个位置的表层部、从表层部向径向的1/4位置、从表层部向径向的1/2位置这3个位置的共36处测定出的平均晶体粒径设在10μm以上且110μm以下的范围内，且维氏硬度设在40Hv以上且100Hv以下的范围内。
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公开(公告)号：CN105339527B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201480035789.2
申请日：2014-07-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C25C1/12 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , C22C9/00
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C9/00 , C23C14/3414 , C25C1/12 , H01J2237/081 , H01J2237/3323
Abstract: 本发明的高纯度铜溅射靶用铜原材料，除O、H、N、C以外的Cu的纯度在99.999980质量％以上且99.999998质量％以下的范围内，Al的含量为0.005质量ppm以下，Si的含量为0.05质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN108603285B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780011284.6
申请日：2017-09-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的圆筒型溅射靶用热挤压原材料中，铜的纯度设在99.99质量％以上且99.9995质量％以下的范围内，Al的含量设为0.5质量ppm以下，Si的含量设为1质量ppm以下，C的含量设为1质量ppm以下，O的含量设为2质量ppm以下，H的含量设为1质量ppm以下，S的含量设为5质量ppm以下，在轴线O方向的一端部、中间部及另一端部的与轴线O方向正交的3个截面上，在周向的4个位置的表层部、从表层部向径向的1/4位置、从表层部向径向的1/2位置这3个位置的共36处测定出的平均晶体粒径设在10μm以上且110μm以下的范围内，且维氏硬度设在40Hv以上且100Hv以下的范围内。
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公开(公告)号：CN105209658B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201580000747.X
申请日：2015-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , H01L21/28 , H01L21/285 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/0036 , C23C14/087 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/342 , H01J37/3423 , H01L21/285
Abstract: 一种由铜或铜合金构成的圆筒型溅射靶用原材料，在外周面的晶体组织中，根据通过EBSD法测定的每1mm2单位面积的单位总晶界长度LN和每1mm2单位面积的单位总特殊晶界长度LσN而定义特殊晶界长度比率LσN/LN的情况下，在轴线O方向的两端部的外周面和中央部的外周面测定的所述特殊晶界长度比率LσN/LN的平均值为0.5以上，并且各测定值相对于所述特殊晶界长度比率LσN/LN的平均值在±20％的范围内，另外，作为杂质元素的Si和C的含量总计为10质量ppm以下、O含量为50质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN105339527A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480035789.2
申请日：2014-07-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C25C1/12 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , C22C9/00
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C9/00 , C23C14/3414 , C25C1/12 , H01J2237/081 , H01J2237/3323
Abstract: 本发明的高纯度铜溅射靶用铜原材料，除O、H、N、C以外的Cu的纯度在99.999980质量％以上且99.999998质量％以下的范围内，Al的含量为0.005质量ppm以下，Si的含量为0.05质量ppm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115039217A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180012106.1
申请日：2021-03-16
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/12 , H01L23/36 , H01L23/373
Abstract: 该绝缘电路基板(10)为：在陶瓷基板(11)的表面层叠并接合有由铝或铝合金组成的铝板(12、13)，在铝板(12、13)中，在与陶瓷基板(11)的接合界面固熔有Cu，从接合界面起向铝板(12、13)侧沿厚度方向100μm位置处的Cu浓度B质量％与接合界面处的Cu浓度A质量％之比B/A为0.30以上且0.85以下。
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公开(公告)号：CN105473755A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201580001520.7
申请日：2015-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22F1/08 , C23C14/34 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00
CPC classification number: C23C14/3414 , B22D11/004 , C21D8/10 , C21D9/0068 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3491
Abstract: 一种由铜或铜合金构成的圆筒型溅射靶用原材料的制造方法，所述制造方法具备：连续铸造工序，使用连续铸造机或半连续铸造机而铸造平均晶体粒径为20mm以下的圆筒状铸块；及冷加工工序与热处理工序，通过对该圆筒状铸块重复地实施冷加工和热处理而成型所述圆筒型溅射靶用原材料，该圆筒型溅射靶用原材料的外周面上的平均晶体粒径为10μm以上且150μm以下，并且相对于平均晶体粒径为2倍以上的晶粒所占的面积比例小于总晶体面积的25％。
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公开(公告)号：CN105209658A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201580000747.X
申请日：2015-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , H01L21/28 , H01L21/285 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/0036 , C23C14/087 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/342 , H01J37/3423 , H01L21/285
Abstract: 一种由铜或铜合金构成的圆筒型溅射靶用原材料，在外周面的晶体组织中，根据通过EBSD法测定的每1mm2单位面积的单位总晶界长度LN和每1mm2单位面积的单位总特殊晶界长度LσN而定义特殊晶界长度比率LσN/LN的情况下，在轴线O方向的两端部的外周面和中央部的外周面测定的所述特殊晶界长度比率LσN/LN的平均值为0.5以上，并且各测定值相对于所述特殊晶界长度比率LσN/LN的平均值在±20％的范围内，另外，作为杂质元素的Si和C的含量总计为10质量ppm以下、O含量为50质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN117981479A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280064371.9
申请日：2022-12-02
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜‑陶瓷接合体(10)具备由铜或铜合金制成的铜部件(12、13)和陶瓷部件(11)，铜部件(12、13)与陶瓷部件(11)接合，在陶瓷部件(11)与铜部件(12、13)的接合界面，在陶瓷部件(11)侧形成有由活性金属化合物制成的活性金属化合物层(21)，在陶瓷部件(11)中存在从接合界面向陶瓷部件(11)的内部侧扩展的微裂纹(25)，在微裂纹(25)的至少一部分填充有活性金属化合物。
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公开(公告)号：CN117480871A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280041985.5
申请日：2022-07-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H05K3/38
Abstract: 该铜‑陶瓷接合体(10)具有由铜或铜合金构成的铜部件(12，13)及陶瓷部件(11)，铜部件(12，13)和陶瓷部件(11)接合，在陶瓷部件(11)与铜部件(12，13)的接合界面处，在陶瓷部件(11)侧形成有活性金属化合物层(21)，活性金属碳化物在从活性金属化合物层(21)起向铜部件(12，13)侧10μm为止的区域中的面积率为8％以下。
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