铜合金材料、整流片、电极材料

    公开(公告)号:CN113439128A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202080014740.4

    申请日:2020-02-14

    Abstract: 本发明的铜合金材料,其特征在于,其组成为:在0.3质量%以上且0.7质量%以下的范围内含有Cr、在0.025质量%以上且0.15质量%以下的范围内含有Zr、在0.005质量%以上且0.04质量%以下的范围内含有Sn、在0.005质量%以上且0.03质量%以下的范围内含有P,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,所述铜合金材料在20℃的维氏硬度为149Hv以上。

    溅射靶材
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111836913B

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN201980018145.5

    申请日:2019-10-23

    Abstract: 本发明提供一种溅射靶材,含有合计5质量ppm以上且50质量ppm以下的范围的选自Ag、As、Pb、Sb、Bi、Cd、Sn、Ni、Fe中的一种或两种以上,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,当通过电子背散射衍射法进行观察,将不包括双晶而以面积平均计算出的平均晶粒直径设为X1(μm),并将极图的强度的最大值设为X2时,满足式(1):2500>19×X1+290×X2,并且通过电子背散射衍射法测定的晶体取向的局部取向差(KAM)为2.0°以下,相对密度为95%以上。

    圆筒型溅射靶用热挤压原材料及圆筒型溅射靶的制造方法

    公开(公告)号:CN108603285A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201780011284.6

    申请日:2017-09-26

    Abstract: 本发明的圆筒型溅射靶用热挤压原材料中,铜的纯度设在99.99质量%以上且99.9995质量%以下的范围内,Al的含量设为0.5质量ppm以下,Si的含量设为1质量ppm以下,C的含量设为1质量ppm以下,O的含量设为2质量ppm以下,H的含量设为1质量ppm以下,S的含量设为5质量ppm以下,在轴线O方向的一端部、中间部及另一端部的与轴线O方向正交的3个截面上,在周向的4个位置的表层部、从表层部向径向的1/4位置、从表层部向径向的1/2位置这3个位置的共36处测定出的平均晶体粒径设在10μm以上且110μm以下的范围内,且维氏硬度设在40Hv以上且100Hv以下的范围内。

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