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公开(公告)号：CN105473758B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201380078980.0
申请日：2013-10-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/1007 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu‑Ga烧结体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有含有20at％以上且小于30at％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的成分组成，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰和归属于ζ相的衍射峰的烧结体构成，归属于所述ζ相的衍射峰的主峰强度为归属于所述γ相的衍射峰的主峰强度的10％以上，氧含量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105473758A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201380078980.0
申请日：2013-10-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/1007 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu-Ga烧结体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有含有20at％以上且小于30at％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的成分组成，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰和归属于ζ相的衍射峰的烧结体构成，归属于所述ζ相的衍射峰的主峰强度为归属于所述γ相的衍射峰的主峰强度的10％以上，氧含量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。
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公开(公告)号：CN105358733B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480038680.4
申请日：2014-07-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/16 , B22F5/00 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/45 , B22F2303/01 , B22F2303/15 , B22F2304/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C32/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu‑Ga烧成体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由具有如下组织和如下成分组成的烧成体构成，所述组织为在具有Cu‑Ga合金的γ相及ζ相的基体中分散Na化合物相，所述成分组成为含有20原子％以上且30原子％以下的Ga，含有0.05～10原子％的Na，Na以NaF、Na2S、Na2Se、Na3AlF6中至少一种状态含有，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质包含Na化合物中的Na以外的元素，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰与归属于ζ相的衍射峰，所述γ相的平均粒径为100μm以下，所述Na化合物相的平均粒径为8.5μm以下。
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公开(公告)号：CN105358733A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480038680.4
申请日：2014-07-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/16 , B22F5/00 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/45 , B22F2303/01 , B22F2303/15 , B22F2304/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C32/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu-Ga烧成体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由具有如下组织和如下成分组成的烧成体构成，所述组织为在具有Cu-Ga合金的γ相及ζ相的基体中分散Na化合物相，所述成分组成为含有20原子％以上且小于30原子％的Ga，含有0.05～10原子％的Na，Na以NaF、Na2S、Na2Se、Na3AlF6中至少一种状态含有，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质包含Na化合物中的Na以外的元素，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰与归属于ζ相的衍射峰，所述γ相的平均粒径为100μm以下，所述Na化合物相的平均粒径为8.5μm以下。
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公开(公告)号：CN105705674B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201480060592.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶为具有如下组成的烧结体：29.5～43.0原子％的Ga以及剩余部分为Cu和不可避免的杂质，该烧结体中的Cu‑Ga合金晶粒具有γ相粒子分散于γ1相晶粒中的组织。并且，制造上述溅射靶的方法具有如下工序：将由纯Cu粉末与Cu‑Ga合金粉末的混合粉末构成的成型体在还原性气氛中加热而进行常压烧结；以及将由此得到的烧结体在温度：450～650℃的范围内以0.1～1.0℃/min的冷却速度冷却。
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公开(公告)号：CN105705674A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480060592.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu-Ga合金溅射靶为具有如下组成的烧结体：29.5～43.0原子％的Ga以及剩余部分为Cu和不可避免的杂质，该烧结体中的Cu-Ga合金晶粒具有γ相粒子分散于γ1相晶粒中的组织。并且，制造上述溅射靶的方法具有如下工序：将由纯Cu粉末与Cu-Ga合金粉末的混合粉末构成的成型体在还原性气氛中加热而进行常压烧结；以及将由此得到的烧结体在温度：450～650℃的范围内以0.1～1.0℃/min的冷却速度冷却。
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