-
公开(公告)号：CN102047413A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120627.8
申请日：2009-06-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L23/14 , H01L23/373 , H01L21/48
CPC classification number: H01L21/76838 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/20 , C04B2237/407 , H01L23/3735 , H01L23/498 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2924/01322 , H05K1/0271 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K1/181 , Y10T29/49117 , Y10T428/12056 , Y10T428/12486 , Y10T428/12576 , Y10T428/12611 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 该功率模块用基板(10)含有，具有表面的陶瓷基板(11)、接合于前述陶瓷基板(11)的前述表面、由铝构成且在与前述陶瓷基板(11)之间的接合界面中含有Cu的金属板(22，23)；前述接合界面中的Cu浓度设定在0.05～5wt％的范围内。
-
公开(公告)号：CN102027592A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980117089.7
申请日：2009-05-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K1/053 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H05K1/021 , H05K1/0212 , H05K1/18 , H05K1/181 , H05K7/06 , Y10T29/49124 , Y10T428/12576
Abstract: 该功率模块用基板包含以下部分：由AlN构成、Si3N4或Al2O3、具有表面的陶瓷基板(11)，在上述陶瓷基板(11)的上述表面介由含硅的钎料接合的由纯铝构成的金属板(12，13)，形成在上述金属板(12，13)和上述陶瓷基板(11)接合的接合界面(30)、和具有上述金属板(12，13)中的硅浓度的5倍以上的硅的高浓度部(32)、或具有比上述金属板中(12，13)及上述陶瓷基板(11)中的氧浓度还高的氧浓度、厚度在4nm以下的高浓度部(32)。
-
公开(公告)号：CN102576697A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080047257.2
申请日：2010-10-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K7/02 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2235/6581 , C04B2235/72 , C04B2237/12 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/55 , C04B2237/58 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L21/4882 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H05K7/2039 , H05K13/00 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供一种功率模块用基板，为具备陶瓷基板和在该陶瓷基板的表面层压而接合有铝或铝合金制的金属板的功率模块用基板，在所述金属板中，固溶有Ag或选自Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li中的一种或两种以上的添加元素，所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Ag浓度设定在0.05质量％以上10质量％以下，或者所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li的总计浓度设定在0.01质量％以上5质量％以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102047413B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN200980120627.8
申请日：2009-06-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L23/14 , H01L23/373 , H01L21/48
CPC classification number: H01L21/76838 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/20 , C04B2237/407 , H01L23/3735 , H01L23/498 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2924/01322 , H05K1/0271 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K1/181 , Y10T29/49117 , Y10T428/12056 , Y10T428/12486 , Y10T428/12576 , Y10T428/12611 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 该功率模块用基板(10)含有，具有表面的陶瓷基板(11)、接合于前述陶瓷基板(11)的前述表面、由铝构成且在与前述陶瓷基板(11)之间的接合界面中含有Cu的金属板(22，23)；前述接合界面中的Cu浓度设定在0.05～5wt％的范围内。
-
公开(公告)号：CN102027592B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN200980117089.7
申请日：2009-05-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K1/053 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H05K1/021 , H05K1/0212 , H05K1/18 , H05K1/181 , H05K7/06 , Y10T29/49124 , Y10T428/12576
Abstract: 该功率模块用基板包含以下部分：由AlN构成、Si3N4或Al2O3、具有表面的陶瓷基板(11)，在上述陶瓷基板(11)的上述表面介由含硅的钎料接合的由纯铝构成的金属板(12，13)，形成在上述金属板(12，13)和上述陶瓷基板(11)接合的接合界面(30)、和具有上述金属板(12，13)中的硅浓度的5倍以上的硅的高浓度部(32)、或具有比上述金属板中(12，13)及上述陶瓷基板(11)中的氧浓度还高的氧浓度、厚度在4nm以下的高浓度部(32)。
-
公开(公告)号：CN108137420B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201680063775.0
申请日：2016-08-29
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 本发明的陶瓷/铝接合体，在铝部件之中从与陶瓷部件的接合界面起厚度方向上2μm的范围内，分散有具有尖晶石结晶结构的含Mg氧化物，在铝部件之中与陶瓷部件的接合界面附近区域，具有Mg、Si、O偏析的偏析部，偏析部与从接合界面向铝部件侧离开10μm的位置的Mg、Si、O之质量比分别设在规定的范围内，从接合界面向铝部件侧离开10μm的位置的Mg量设为0.8质量%以下。
-
公开(公告)号：CN108137420A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680063775.0
申请日：2016-08-29
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: C04B37/02 , H01L23/12 , H01L23/36 , H01L2224/32225
Abstract: 本发明的陶瓷/铝接合体，在铝部件之中从与陶瓷部件的接合界面起厚度方向上2μm的范围内，分散有具有尖晶石结晶结构的含Mg氧化物，在铝部件之中与陶瓷部件的接合界面附近区域，具有Mg、Si、O偏析的偏析部，偏析部与从接合界面向铝部件侧离开10μm的位置的Mg、Si、O之质量比分别设在规定的范围内，从接合界面向铝部件侧离开10μm的位置的Mg量设为0.8质量%以下。
-
公开(公告)号：CN102576697B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201080047257.2
申请日：2010-10-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K7/02 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2235/6581 , C04B2235/72 , C04B2237/12 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/55 , C04B2237/58 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L21/4882 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H05K7/2039 , H05K13/00 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供一种功率模块用基板，为具备陶瓷基板和在该陶瓷基板的表面层压而接合有铝或铝合金制的金属板的功率模块用基板，在所述金属板中，固溶有Ag或选自Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li中的一种或两种以上的添加元素，所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Ag浓度设定在0.05质量％以上10质量％以下，或者所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li的总计浓度设定在0.01质量％以上5质量％以下。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.034 seconds)
