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公开(公告)号：CN115662880A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211411857.3
申请日：2022-11-11
Applicant: 上海积塔半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/05 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种对材料表面进行等离子体改性的方法及装置。所述对材料表面进行等离子体改性的方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面生长绝缘层；采用金属筛过滤后的等离子体对所述绝缘层的表面进行改性处理，所述金属筛过滤的方式能够消除等离子体中带电离子。上述技术方案，通过采用金属筛过滤等离子体中的带电离子，采用不带电的中性等离子体对绝缘层进行改性处理，使改性处理后的绝缘层不带电，从而改善绝缘层充电现象，获得阈值电压更稳定的晶体管。
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