公开(公告)号：CN116564858A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310610468.1

申请日：2023-05-26

Applicant: 上海积塔半导体有限公司

Inventor： 张浩楠 ,  孟宪宇 ,  张全飞

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01J37/30

Abstract: 本申请提供一种等离子注入机及等离子注入方法，等离子注入机包括电离腔室，用于将待电离气体电离呈电子；送气系统用于将待电离气体通过一供气管道输送至电离腔室；加热装置，设置于送气系统与电离腔室之间，用于给待电离气体提供热量。其中，在待电离气体进入电离腔室之前，加热装置使待电离气体的外层电子获得初始能量，以提高电离腔室电离电子的速率。本说明书实施例可以增加电离电子的速率，可以得到更多电子。相比于现有技术缩短了电离惰性气体的时间，增加相同时间内被电离出的电子数量，相应地可以减少为了达到电离电子数量而增加的惰性气体流量或灯丝电压，进而增加了离子注入脉冲电场的使用寿命。

公开(公告)号：CN115662880A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211411857.3

申请日：2022-11-11

Applicant: 上海积塔半导体有限公司

Inventor： 谷东光 ,  常建光 ,  孟宪宇 ,  杨波

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/05 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种对材料表面进行等离子体改性的方法及装置。所述对材料表面进行等离子体改性的方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面生长绝缘层；采用金属筛过滤后的等离子体对所述绝缘层的表面进行改性处理，所述金属筛过滤的方式能够消除等离子体中带电离子。上述技术方案，通过采用金属筛过滤等离子体中的带电离子，采用不带电的中性等离子体对绝缘层进行改性处理，使改性处理后的绝缘层不带电，从而改善绝缘层充电现象，获得阈值电压更稳定的晶体管。

公开(公告)号：CN218634620U

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202222466634.9

申请日：2022-09-16

Applicant: 上海积塔半导体有限公司

Inventor： 侯民杰 ,  孟宪宇

IPC: H05K7/20 ,  G08B21/18

Abstract: 本实用新型涉及一种带有报警装置的冷却系统及半导体设备。带有报警装置的冷却系统包括：冷却风扇；微压开关，所述微压开关上设有压力采集装置，所述压力采集装置的进口朝向所述冷却风扇的进风面；报警装置，与所述微压开关电连接。上述实施例提供的带有报警装置的冷却系统中，通过同时设置冷却风扇、微压开关及报警装置，可以实时监测冷却风扇的运转情况，在冷却风扇停转或老化时，能够及时发出报警，从而避免由于冷却风扇故障对设备和产品造成的损失。