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公开(公告)号：CN104204270A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380016348.3
申请日：2013-03-08
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C23C14/00
CPC classification number: H01J37/3411 , C23C14/34 , C23C14/562 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32853 , H01J37/32871 , H01J37/3405 , H01J2237/022 , H01J2237/3328
Abstract: 为了提供一种不论保护对象部件为何部件均能够将附着膜的剥离抑制在极低水平的真空成膜装置用防附着板，而以减小与保护对象部件的接触面积、并且使接触面以外隔热的方式配置防附着板。
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公开(公告)号：CN103403219A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280009418.8
申请日：2012-02-14
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J23/02 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3438 , H01J37/3452
Abstract: 本发明的目的在于提供一种异常放电少、且能够长时间稳定地放电的等离子体处理用磁控管电极。将第二电极配置在比第一电极的外侧磁极的内侧端部更靠外侧的位置、或仅配置在磁通量密度低的部分。
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公开(公告)号：CN101808808B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200880108724.0
申请日：2008-09-22
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: B29C33/428 , B29C35/041 , B29C37/006 , B29C43/003 , B29C43/021 , B29C43/58 , B29C59/022 , B29C2033/426 , B29C2035/1616 , B29C2043/025 , B29C2043/5808 , B29C2059/023 , B29K2101/12
Abstract: 本发明涉及一种微细形状转印片的制造方法，其是在压印模具与中间基材之间设置由热塑性树脂制成的片状基材、通过一对加压板加压在该片状基材上形成压印模具微细凹凸形状的制造方法，当该加压板的加压力变为最大时，该压印模具的赋形面内存在赋形压力差，并且该赋形面内存在最大赋形压力部分，而且加压使得赋形压力取极小值的部位不在赋形面内。按照本发明可以得到没有空气滞留不良且均匀高精度的转印成型状态。
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公开(公告)号：CN1275756C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN01144065.1
申请日：2001-09-26
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: B29C47/862 , B29C47/0021 , B29C47/003 , B29C47/0854 , B29C47/165 , B29C47/86 , B29C47/8845 , B29C47/887 , B29C47/92 , B29C2947/92019 , B29C2947/92152 , B29C2947/92171 , B29C2947/92209 , B29C2947/92314 , B29C2947/92409 , B29C2947/92438 , B29C2947/92447 , B29C2947/92466 , B29C2947/92523 , B29C2947/9259 , B29C2947/926 , B29C2947/92647 , B29C2947/92666 , B29C2947/92695 , B29C2947/92704 , B29C2947/92809 , B29C2947/92876 , B29C2947/92885 , B29C2947/92904 , B29C2947/92923 , B29C2947/92933
Abstract: 本发明的目的在于提供一种片材制造方法及片材制造用喷嘴，其中是用静电施加法制造片材的，把从喷嘴排出的熔融材料牵引到冷却辊上的工序是在60m/min以上高速下稳定地进行的，并且从生产开始后，能获得光滑的片材。其特征在于，为了使片材具有带电效果，把喷嘴与冷却辊间制品部与端部的轨迹差变小；使这种片材轨迹最适当的手法之一是对片材端部的温度进行调整；另外，具有利用喷嘴热膨胀及作业产生的缝隙变形来影响片材的结构。
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公开(公告)号：CN1130407A
公开(公告)日：1996-09-04
申请号：CN95190623.2
申请日：1995-05-31
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C23C14/547
Abstract: 本发明的目的是提供可以用比较小的生产设备制造防反射滤光片等大型的带有薄膜的基板的带有薄膜的基板的制造方法和制造装置。本发明的带有薄膜的基板的制造方法将成膜监测板设置在成膜区域之外或者使用可以移动的成膜监测板，测定在成膜监测板上形成的监测薄膜的膜厚，根据该膜厚控制成膜工艺，从而可以在大小相当于整个成膜区域的成膜对象基板上形成薄膜。另外，可以提高成膜对象基板在成膜区域内的配置的自由度，提高制造工艺过程的生产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111836685A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980017882.3
申请日：2019-02-22
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 获得从气体喷出面喷出的气体的流速沿着喷嘴长度方向均匀的气体喷出喷嘴。本发明的气体喷出喷嘴具有以与树脂膜相对的侧面作为气体喷出面的壳体、沿着喷嘴长度方向供给气体的气体供给口、和从气体供给口连通至气体喷出面的1个以上的均压室，至少1个均压室的气体喷出面一侧的面由隔板构成，并且在隔板上表面沿着喷嘴长度方向配置有两端具有开口的多个筒状体，所述多个筒状体被配置成各筒状体的轴方向与喷嘴长度方向正交，筒状体的从隔板立起的接近气体供给口一侧的壁面与隔板所形成的角θ为规定范围内，在筒状体的与隔板接触的面上以还贯通隔板的孔的形态设有气体流通孔。
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公开(公告)号：CN101437985B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN200780011849.7
申请日：2007-03-26
Applicant: 东丽株式会社 , 东丽薄膜先端加工股份有限公司
IPC: C25D7/06
CPC classification number: H05K3/241 , C25D7/00 , C25D7/0657 , C25D17/005 , H05K1/0393 , H05K2203/1545
Abstract: 包括以仅压接着被赋予导电性的网状物的端部的方式夹着网状物相向的至少两个旋转体，其构成为，该旋转体之中的至少一个是供电电极，这些旋转体可以与网状物的输送速度大致相同的速度旋转。
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公开(公告)号：CN102362337B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201080013695.7
申请日：2010-03-15
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32834 , H01J37/32871 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L31/03767 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，其中，等离子体生成电极具有多个气体排出孔，所述气体排出孔从与基板相对的面贯通上述等离子体生成电极至气体排出室，所述基板被基板保持机构保持，与气体导入管连接设置的气体供给管具有气体供给口，所述气体供给口朝向所述多个气体排出孔的内部，排出原料气体，所述气体供给管及所述气体供给口如下设置，即，使从该气体供给口排出的上述原料气体的流动方向的延长线与位于所述气体排出孔与所述气体排出室的边界面处的端面开口区域交叉。本发明还涉及一种使用该等离子体处理装置的非晶硅薄膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN101772407B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200880102129.6
申请日：2008-08-06
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: B29C48/30 , B29C48/0018 , B29C48/08 , B29C48/185 , B29C48/19 , B29C48/21 , B29C48/255 , B29C48/307 , B29C48/49 , B29C48/71 , B29C48/914 , B29K2105/256 , B29L2009/00 , Y10T428/24777 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明通过在层合体宽度方向的端部形成具有适合的截面形状的边缘部，无需复杂的控制装置，就可以容易地制造各层的厚度在宽度方向均匀、以高精度层合的层合片材。本发明提供一种层合片材的制造装置，所述制造装置在合流部于层合了多种片材材料的层合体的宽度方向的端部中的至少一方附加边缘材料作为边缘部，其特征在于，将所述合流部中的所述边缘材料的各流路的与流路方向垂直的截面形状在所述层合方向以直线分割成10等分，将分割后的各区域的面积从所述层合方向的中央部向所述层合方向的端部依次表示为Sn(n＝1，2，3，4，5)时，同时满足式(1)及式(2)的关系：S1≤S2≤S3≤S4≤S5···(1)；S1＜S5···(2)。
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公开(公告)号：CN102362337A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013695.7
申请日：2010-03-15
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32834 , H01J37/32871 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L31/03767 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，其中，等离子体生成电极具有多个气体排出孔，所述气体排出孔从与基板相对的面贯通上述等离子体生成电极至气体排出室，所述基板被基板保持机构保持，与气体导入管连接设置的气体供给管具有气体供给口，所述气体供给口朝向所述多个气体排出孔的内部，排出原料气体，所述气体供给管及所述气体供给口如下设置，即，使从该气体供给口排出的上述原料气体的流动方向的延长线与位于所述气体排出孔与所述气体排出室的边界面处的端面开口区域交叉。本发明还涉及一种使用该等离子体处理装置的非晶硅薄膜的制造方法。
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