公开(公告)号：CN108118313A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711192506.7

申请日：2017-11-24

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 陆升炫 ,  鞠允镐 ,  崔诚祐

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/46 ,  H01L51/56

CPC classification number: C23C16/545 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/46 ,  H01J37/3277 ,  H01J2237/2065 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3328 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/3262 ,  H01L31/206 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种辊到辊制造设备和一种处理柔性膜的方法，该辊到辊制造设备包括：真空室，其具有安装室和工艺室；在安装室中的预处理单元，用于处理被传送的膜的表面以增强在随后的CVD工艺中的膜特性；在工艺室中的工艺筒，用于在其上卷绕膜；在工艺室中的工艺处理单元，通过对卷绕在工艺筒上的膜进行CVD工艺来形成层；以及在安装室和工艺室中的多个加热器，用于逐渐增加卷绕在工艺筒上的膜的温度，以防止由于高温工艺筒而对膜施加热冲击。

公开(公告)号：CN104204270A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380016348.3

申请日：2013-03-08

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 川下守 ,  野村文保

IPC: C23C14/00

CPC classification number: H01J37/3411 ,  C23C14/34 ,  C23C14/562 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32871 ,  H01J37/3405 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/3328

Abstract: 为了提供一种不论保护对象部件为何部件均能够将附着膜的剥离抑制在极低水平的真空成膜装置用防附着板，而以减小与保护对象部件的接触面积、并且使接触面以外隔热的方式配置防附着板。

公开(公告)号：CN104498898B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201410641340.2

申请日：2009-08-04

Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 ,  旭硝子株式会社 ,  AGC玻璃欧洲公司

Inventor： P·马诗威茨

IPC: C23C16/44

CPC classification number: H01J37/32596 ,  C03C17/245 ,  C03C17/2456 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/503 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3328 ,  H05H1/24 ,  H05H1/42 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466

Abstract: 本发明提供了一种通过等离子体增强的化学气相沉积形成涂层的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。

公开(公告)号：CN106460175A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580010759.0

申请日：2015-02-24

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  日油株式会社

Inventor： 山村和也 ,  大久保雄司 ,  佐藤悠 ,  疋田真也

IPC: C23C18/08 ,  C23C18/04

CPC classification number: C23C18/04 ,  C09D7/63 ,  C09D11/52 ,  C09D151/003 ,  C09D151/08 ,  C09J5/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/06 ,  C09J151/003 ,  C09J151/08 ,  C09J2427/006 ,  C09J2479/086 ,  C23C18/08 ,  H01J37/32055 ,  H01J2237/3328

Abstract: 本发明的电介质基材表面的金属化方法，对电介质基材表面进行使用稀有气体的大气压等离子体处理，生成过氧化物自由基，使接枝剂与其反应，将与银离子以配位键相结合的官能团固定，涂布含有式(1)的银化合物(A)10～50质量％和式(2)的胺化合物(B)50～90质量％的含银组合物，进行加热、固化形成银薄膜层，通过这样的方法，在虽然没有信号传播速度的延迟或消耗电量的增加而适宜作为电介质基材但密合性极低的氟树脂的表面，也能够形成具有高密合性的金属膜。(R1：氢、－(CY2)a－CH3或－((CH2)b－O－CHZ)c－CH3、R2：－(CY2)d－CH3或－((CH2)e－O－CHZ)f－CH3。Y：氢原子或－(CH2)g－CH3、Z：氢原子或－(CH2)h－CH3。a：0～8的整数、b：1～4的整数、c：1～3的整数、d：1～8的整数、e：1～4的整数、f：1～3的整数、g：1～3的整数、h：1～2的整

公开(公告)号：CN102172104B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN200980139450.6

申请日：2009-08-04

Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 ,  旭硝子株式会社 ,  AGC玻璃欧洲公司

Inventor： P·马诗威茨

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01J37/32596 ,  C03C17/245 ,  C03C17/2456 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/503 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3328 ,  H05H1/24 ,  H05H1/42 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466

Abstract: 本发明提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。

公开(公告)号：CN104498898A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410641340.2

申请日：2009-08-04

Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 ,  旭硝子株式会社 ,  AGC玻璃欧洲公司

Inventor： P·马诗威茨

IPC: C23C16/44

CPC classification number: H01J37/32596 ,  C03C17/245 ,  C03C17/2456 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/503 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3328 ,  H05H1/24 ,  H05H1/42 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466

Abstract: 本发明提供了一种通过等离子体增强的化学气相沉积形成涂层的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。

公开(公告)号：CN102172104A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980139450.6

申请日：2009-08-04

Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 ,  旭硝子株式会社 ,  AGC玻璃欧洲公司

Inventor： P·马诗威茨

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01J37/32596 ,  C03C17/245 ,  C03C17/2456 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/503 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3328 ,  H05H1/24 ,  H05H1/42 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466

Abstract: 本发明提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。

公开(公告)号：US09905401B2

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：US14676031

申请日：2015-04-01

Applicant: CANON ANELVA CORPORATION

Inventor： Nobuo Yamaguchi ,  Kazuaki Matsuo ,  Susumu Akiyama ,  Satoshi Uchino ,  Yoshimitsu Shimane

IPC: C23C14/00 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/0068 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3447 ,  H01J2237/3328

Abstract: A reactive sputtering apparatus includes a chamber, a substrate holder provided in the chamber, a target holder which is provided in the chamber and configured to hold a target, a deposition shield plate which is provided in the chamber so as to form a sputtering space between the target holder and the substrate holder, and prevents a sputter particle from adhering to an inner wall of the chamber, a reactive gas introduction pipe configured to introduce a reactive gas into the sputtering space, an inert gas introduction port which introduces an inert gas into a space that falls outside the sputtering space and within the chamber, and a shielding member which prevents a sputter particle from the target mounted on the target holder from adhering to an introduction port of the reactive gas introduction pipe upon sputtering.

公开(公告)号：US4917044A

公开(公告)日：1990-04-17

申请号：US320526

申请日：1989-06-02

Applicant: Leopoldo D. Yau ,  Galen H. Kawamoto

Inventor： Leopoldo D. Yau ,  Galen H. Kawamoto

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/308 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/3145 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3328

Abstract: An electrical contact apparatus for use in a plama or glow discharge chamber, particularly a chamber for depositing silicon oxynitride. A feedthrough member provides an electrical path between the interior and exterior of the chamber. An electrical contact member having an outwardly domed surface engages the feedthrough member. A non-conductive collar is disposed about the domed surface for limiting the flow of gas around the domed surface.

Abstract translation: 一种用于在普通或辉光放电室中使用的电接触装置，特别是用于沉积氮氧化硅的室。 馈通构件在室的内部和外部之间提供电路径。 具有向外圆顶表面的电接触构件与馈通构件接合。 围绕穹顶表面设置非导电套圈以限制围绕圆顶表面的气体流动。

公开(公告)号：US09034152B2

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：US13310230

申请日：2011-12-02

Applicant: Nobuo Yamaguchi ,  Kazuaki Matsuo ,  Susumu Akiyama ,  Satoshi Uchino ,  Yoshimitsu Shimane

Inventor： Nobuo Yamaguchi ,  Kazuaki Matsuo ,  Susumu Akiyama ,  Satoshi Uchino ,  Yoshimitsu Shimane

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/0068 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3447 ,  H01J2237/3328

Abstract: A reactive sputtering apparatus includes a chamber, a substrate holder provided in the chamber, a target holder which is provided in the chamber and configured to hold a target, a deposition shield plate which is provided in the chamber so as to form a sputtering space between the target holder and the substrate holder, and prevents a sputter particle from adhering to an inner wall of the chamber, a reactive gas introduction pipe configured to introduce a reactive gas into the sputtering space, an inert gas introduction port which introduces an inert gas into a space that falls outside the sputtering space and within the chamber, and a shielding member which prevents a sputter particle from the target mounted on the target holder from adhering to an introduction port of the reactive gas introduction pipe upon sputtering.

Abstract translation: 反应性溅射装置包括室，设置在室中的基板保持器，设置在室中并构造成保持目标的目标保持器，设置在室中的沉积屏蔽板，以在第二区域之间形成溅射空间， 目标保持架和基板支架，防止溅射粒子附着在室内壁;反应性气体引入管，被配置为将溅射空间引入反应气体;将惰性气体引入到惰性气体导入口 落在溅射空间内部和室内的空间，以及防止溅射颗粒从溅射中安装在靶保持体上的靶的溅射粒子附着在反应性气体导入管的导入口上的屏蔽部件。