公开(公告)号：CN108346553A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810062455.4

申请日：2018-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 工藤仁 ,  后平拓

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32862 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68785 ,  H01J37/32853

Abstract: 本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种包括等离子体处理装置的腔室主体的内部的清洁的等离子体处理方法。该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体来对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜在低温下进行蚀刻的主蚀刻；将被加工物从腔室搬出的步骤；和通过在将静电卡盘的温度设定为高温度的状态下生成清洁气体的等离子体，来对腔室主体的内部进行清洁的步骤。

公开(公告)号：CN104752163B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410412612.1

申请日：2014-08-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  山本哲夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及高效率地除去喷头内的副产物、并抑制颗粒生成的半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置。本发明的半导体器件的制造方法，具有：成膜工序，通过喷头向处理室内的衬底上供给成膜气体和非活性气体，在所述衬底上形成膜；和堆积膜除去工序，在所述处理室内没有衬底的状态下，将温度比所述成膜工序时供给的所述非活性气体低的非活性气体供给到所述喷头，由此除去因所述成膜工序而堆积在所述喷头内的堆积膜。

公开(公告)号：CN106415876A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580005179.2

申请日：2015-01-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 栗田真一 ,  J·库德拉 ,  J·M·怀特 ,  D·哈斯

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/042 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68742 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本公开涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。提供一种用于TFE的工艺配件。所述工艺配件是包括窗口、平行于窗口的掩模和框架的组件。所述工艺配件进一步包括用于使工艺气体流进所述窗口与所述掩模之间的容积的入口通道、用于将流出物气体泵送离开所述窗口与所述掩模之间的容积的出口通道，以及用于禁止工艺气体与流出物气体流动到不期望的位置的密封件。提供一种执行TFE的方法，所述方法包括将基板放置在上述工艺配件的掩模下方、使工艺气体流入所述工艺配件内，以及借助处理腔室内的能量源将工艺气体中的一些气体激活成反应物种。

公开(公告)号：CN105934837A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580005071.3

申请日：2015-01-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 栗田真一 ,  J·库德拉 ,  J·M·怀特 ,  D·哈斯

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/042 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68742 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本公开涉及用于器件制造的原子层沉积(ALD)处理腔室的方法和设备，以及用于替换所述设备的气体分布板和掩模的方法。所述ALD处理腔室具有狭缝阀，配置成允许气体分布板与掩模的移除与替换。所述ALD处理腔室还可具有致动器和基板支撑组件，所述致动器可操作以往返于工艺位置移动所述气体分布板，所述基板支撑组件可操作以往返于工艺位置移动所述掩模。

公开(公告)号：CN105428210A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510593168.2

申请日：2015-09-17

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿门·阿沃扬 ,  肯尼特·贝隆

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67017 ,  B08B3/08 ,  C23C16/4407 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/02082 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/3288 ,  H01L21/02096

Abstract: 本发明涉及用于清洁等离子体工艺室部件的湿法清洁工艺。一种用于清洁等离子体工艺室部件的系统和方法，包括：从所述等离子体工艺室拆除部件，所拆除的所述部件包括沉积在所述部件的表面上的材料。将加热的氧化剂溶液施加到沉积在所述部件上的所述材料中，以氧化第一部分沉积材料。将剥离溶液施加到部件中，以去除所述沉积材料的被氧化的第一部分。施加蚀刻溶液，以去除所述沉积材料的第二部分，所述清洁的部件可以被冲洗和干燥。

公开(公告)号：CN104900483A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510098226.4

申请日：2015-03-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 李时健 ,  大卫·卡曼 ,  钱德尔·拉达克里希南

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32862 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/335

Abstract: 本发明涉及介电蚀刻处理中的无晶片清洁，具体描述了一种用于电容耦合等离子体系统的无晶片清洁方法的系统和方法。该方法包括在静电卡盘的顶表面上形成保护层，使沉积在等离子体处理室的一个或多个内表面上的蚀刻副产物挥发，从等离子体处理室去除挥发的蚀刻副产物和从静电卡盘的顶部表面去除保护层。也描述了一种包括无晶片清洁配方的电容耦合等离子体系统。

公开(公告)号：CN104425202A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410440345.9

申请日：2014-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  奥根充弘

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32853 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，抑制等离子处理中的、对环状框架造成的热影响，还防止该热影响所导致的罩的损伤。对保持在由环状的框架(7)和保持片(6)构成的搬运托架(5)上的基板(2)实施等离子处理。等离子处理装置具备：腔室(4)，其具有能够减压的内部空间；等离子源(12)，其在腔室(4)内产生等离子；工作台(11)，其设置在腔室(4)内，并载置搬运托架(5)；罩(28)，其载置在工作台(11)的上方，覆盖保持片(6)和框架(7)，且具有以在厚度方向上贯通的方式形成的窗部(32)。罩(28)由导热性优异的材料构成，暴露于等离子的表面中的、至少窗部(32)侧由保护部(28a)覆盖，保护部(28a)由与等离子反应的反应性低的材料构成。

公开(公告)号：CN103748258A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280040678.1

申请日：2012-09-14

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 塚本志郎

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01J37/3476 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/3288 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447 ,  Y10T29/49748

Abstract: 本发明涉及一种溅射用钽制线圈的再生方法，其为配置在基板与溅射靶之间的溅射用钽制线圈的再生方法，其特征在于，对于使用过的钽制线圈，通过切削加工对线圈的全部或一部分进行单面切除(直至再沉积膜及滚花加工痕迹消失为止的切削)，将溅射中形成的再沉积膜除去，然后，在切削后的部位重新实施滚花。本发明的课题在于提供如下技术：在溅射中，溅射粒子会堆积(再沉积)到配置在基板与溅射靶之间的钽制线圈的表面上，但在溅射结束后，通过切削将堆积于该使用过的线圈的溅射粒子除去，有效地再生钽制线圈，由此，排除制作新线圈的浪费，使生产率提高，能够稳定地提供该再生线圈。

公开(公告)号：CN102985588A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180029451.2

申请日：2011-05-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·拉希德 ,  汪荣军 ,  刘振东 ,  付新宇 ,  唐先民

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32871 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3411

Abstract: 本文提供改善减少颗粒的设备。在某些实施例中，设备可包括处理套件屏蔽，处理套件屏蔽包括整体式金属主体，整体式金属主体具有上部和下部并具有开口，开口穿过整体式金属主体设置，其中上部包括面向开口的表面，面向开口的表面配置为设置在物理气相沉积腔室的靶材周围且与所述靶材间隔，且其中在从物理气相沉积腔室的靶材溅射靶材材料的过程中，面向开口的表面配置为限制颗粒沉积在整体式金属主体的上部的上表面上。

公开(公告)号：CN105074867B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201380073717.2

申请日：2013-12-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邦妮·T·基亚 ,  徐松文 ,  振雄·马修·蔡 ,  罗伯特·丁斯莫尔 ,  格伦·T·莫里

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32715 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3447

Abstract: 本文提供用于处理腔室中使用的挡板盘。在某些实施方式中，处理腔室中使用的挡板盘可包括具有外周的主体、主体的顶表面与主体的底表面，其中顶表面包括具有实质上水平的平坦表面的中央部分，以及由中央部分以径向向外设置的至少一个斜角结构，每个所述至少一个斜角结构具有顶部部分以及从顶部部分往外周在径向向外方向以向下角度设置的斜角表面。