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公开(公告)号：CN101859723B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010151153.8
申请日：2010-04-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67745 , H01L21/67748
Abstract: 本发明提供一种基板交换方法以及基板处理装置，通过在进行基板处理室的清洁处理的期间也使运送装置进行工作，能够发挥运送装置本来所具有的总处理能力，能够提高基板处理装置整体的总处理能力。在包括基板处理室、进片室、以及能够通过两个运送部件将基板在基板处理室和进片室运入运出的运送装置的基板处理装置中，当进行在第一基板处理室中处理的基板的交换时，在进行将第一基板(W1)通过第一运送部件从第一基板处理室运出的第一运出工序(S1)之后、并在进行将第二基板(W3)通过第二运送部件运入到第一基板处理室的第一运入工序(S4)之前执行以下工序：将第二基板(W3)通过第二运送部件从第一进片室运出的第二运出工序(S2)以及将第一基板(W1)通过第一运送部件运入到第一进片室的第二运入工序(S3)。
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公开(公告)号：CN107799378B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710733217.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种异常探测方法以及半导体制造装置。目的在于高精度地探测基板处理中的异常。提供一种异常探测方法，包括以下工序：计算针对工艺条件的3倍标准偏差值，并基于所计算出的所述3倍标准偏差值来计算异常探测的上限值和下限值中的至少一方，所述工艺条件是对被正常进行了处理的多个基板基于进行处理时的日志信息以规定的间隔收集到的；以及基于所计算出的所述异常探测的上限值和下限值中的至少一方，来检测基板处理的异常。
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公开(公告)号：CN101859723A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010151153.8
申请日：2010-04-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67745 , H01L21/67748
Abstract: 本发明提供一种基板交换方法以及基板处理装置，通过在进行基板处理室的清洁处理的期间也使运送装置进行工作，能够发挥运送装置本来所具有的总处理能力，能够提高基板处理装置整体的总处理能力。在包括基板处理室、进片室、以及能够通过两个运送部件将基板在基板处理室和进片室运入运出的运送装置的基板处理装置中，当进行在第一基板处理室中处理的基板的交换时，在进行将第一基板(W1)通过第一运送部件从第一基板处理室运出的第一运出工序(S1)之后、并在进行将第二基板(W3)通过第二运送部件运入到第一基板处理室的第一运入工序(S4)之前执行以下工序：将第二基板(W3)通过第二运送部件从第一进片室运出的第二运出工序(S2)以及将第一基板(W1)通过第一运送部件运入到第一进片室的第二运入工序(S3)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1787197A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510127890.3
申请日：2005-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 大木达也
IPC: H01L21/677
Abstract: 基板处理装置(100)通过使从盒容器取出晶片的时间与各处理室的处理时间吻合，使各处理室的运转率提高，使装置整体的处理效率提高，具有：处理单元(110)，具有用于对晶片实施规定处理的多个处理室((140A、140B)(P1、P2))；输送单元(120)，连接在此处理单元上；输送单元侧输送机构(170)，把装在盒容器(134A、134B)中的晶片向处理单元输送；和处理单元侧输送机构(180)，把从输送单元输送来的晶片向处理室输送，还具有控制部(190)，根据各处理室(P1、P2)中的晶片(WP1、WP2)的处理时间(TP1、TP2)，求出各处理室中从盒容器向各处理室输送晶片的输送时间，按照此输送时间从盒容器取出。
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公开(公告)号：CN102737945A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210093432.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32926 , H01J37/32532 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01J37/3299
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法。在平行平板型的等离子体处理装置中，一边利用温度调整机构(47)将上部电极(40)调整至设定温度一边进行等离子体处理，以抑制由处理的环境气氛改变所引起的基板间的处理的均匀性的下降。包括：存储有用于进行等离子体处理的处理方案的方案存储部(56)；在输入画面中设定在开始使用新的第二电极之后的等离子体处理的累计时间或基板的处理个数和第二电极的设定温度的修正值的修正值设定部(54)；存储修正后的设定值的存储部(55)；和将写入处理方案的上部电极(40)的设定温度与上述存储部(55)内的修正值相加，基于修正后的设定温度控制温度调整机构(47)的程序。
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公开(公告)号：CN100411130C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510127890.3
申请日：2005-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 大木达也
IPC: H01L21/677
Abstract: 基板处理装置(100)通过使从盒容器取出晶片的时间与各处理室的处理时间吻合，使各处理室的运转率提高，使装置整体的处理效率提高，具有：处理单元(110)，具有用于对晶片实施规定处理的多个处理室((140A、140B)(P1、P2))；输送单元(120)，连接在此处理单元上；输送单元侧输送机构(170)，把装在盒容器(134A、134B)中的晶片向处理单元输送；和处理单元侧输送机构(180)，把从输送单元输送来的晶片向处理室输送，还具有控制部(190)，根据各处理室(P1、P2)中的晶片(WP1、WP2)的处理时间(TP1、TP2)，求出各处理室中从盒容器向各处理室输送晶片的输送时间，按照此输送时间从盒容器取出。
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公开(公告)号：CN107799378A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710733217.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种异常探测方法以及半导体制造装置。目的在于高精度地探测基板处理中的异常。提供一种异常探测方法，包括以下工序：计算针对工艺条件的3倍标准偏差值，并基于所计算出的所述3倍标准偏差值来计算异常探测的上限值和下限值中的至少一方，所述工艺条件是对被正常进行了处理的多个基板基于进行处理时的日志信息以规定的间隔收集到的；以及基于所计算出的所述异常探测的上限值和下限值中的至少一方，来检测基板处理的异常。
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公开(公告)号：CN102737945B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210093432.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32926 , H01J37/32532 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01J37/3299
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法。在平行平板型的等离子体处理装置中，一边利用温度调整机构(47)将上部电极(40)调整至设定温度一边进行等离子体处理，以抑制由处理的环境气氛改变所引起的基板间的处理的均匀性的下降。包括：存储有用于进行等离子体处理的处理方案的方案存储部(56)；在输入画面中设定在开始使用新的第二电极之后的等离子体处理的累计时间或基板的处理个数和第二电极的设定温度的修正值的修正值设定部(54)；存储修正后的设定值的存储部(55)；和将写入处理方案的上部电极(40)的设定温度与上述存储部(55)内的修正值相加，基于修正后的设定温度控制温度调整机构(47)的程序。
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