公开(公告)号：CN102737945A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210093432.2

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大木达也 ,  小泽亘 ,  深泽公博 ,  金谷和博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32926 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3299

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法。在平行平板型的等离子体处理装置中，一边利用温度调整机构(47)将上部电极(40)调整至设定温度一边进行等离子体处理，以抑制由处理的环境气氛改变所引起的基板间的处理的均匀性的下降。包括：存储有用于进行等离子体处理的处理方案的方案存储部(56)；在输入画面中设定在开始使用新的第二电极之后的等离子体处理的累计时间或基板的处理个数和第二电极的设定温度的修正值的修正值设定部(54)；存储修正后的设定值的存储部(55)；和将写入处理方案的上部电极(40)的设定温度与上述存储部(55)内的修正值相加，基于修正后的设定温度控制温度调整机构(47)的程序。

公开(公告)号：CN102737945B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210093432.2

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大木达也 ,  小泽亘 ,  深泽公博 ,  金谷和博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32926 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3299

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法。在平行平板型的等离子体处理装置中，一边利用温度调整机构(47)将上部电极(40)调整至设定温度一边进行等离子体处理，以抑制由处理的环境气氛改变所引起的基板间的处理的均匀性的下降。包括：存储有用于进行等离子体处理的处理方案的方案存储部(56)；在输入画面中设定在开始使用新的第二电极之后的等离子体处理的累计时间或基板的处理个数和第二电极的设定温度的修正值的修正值设定部(54)；存储修正后的设定值的存储部(55)；和将写入处理方案的上部电极(40)的设定温度与上述存储部(55)内的修正值相加，基于修正后的设定温度控制温度调整机构(47)的程序。