半导体存储装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN111725224A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN201910726281.1

    申请日:2019-08-07

    Abstract: 本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。一实施方式的半导体存储装置具备:半导体衬底;积层体,在半导体衬底上将多个电极层积层而成;存储膜,在积层体内,具有相对于电极层沿垂直方向配置的第1阻挡绝缘膜、与第1阻挡绝缘膜对向的电荷储存膜、与电荷储存膜对向的穿隧绝缘膜、及与穿隧绝缘膜对向的通道膜;及阻障层,设置在多个电极层与存储膜的界面、及存储膜内的界面的至少一个,且以碳作为主成分。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN109478552A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201680071972.7

    申请日:2016-12-09

    Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置包含衬底、积层体、及柱状部。积层体设置在衬底上,且具有多个第1导电层及多个第1绝缘层。第1导电层与第1绝缘层沿着第1方向交替地设置。柱状部在积层体中沿着第1方向延伸,且包含阻挡层、电荷积蓄层、隧穿层、及半导体层。在与第1方向交叉的第2方向,阻挡层设置在多个第1导电层上及多个第1绝缘层上。电荷积蓄层设置在阻挡层上,隧穿层设置在电荷积蓄层上,半导体层设置在隧穿层上。柱状部包含第1部分、及相对于第1部分设置在衬底侧的第2部分。第2部分在第2方向的尺寸小于第1部分在第2方向的尺寸。阻挡层设置在第2部分的部分厚于阻挡层设置在第1部分的部分。

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