公开(公告)号：CN119372617A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411440128.X

申请日：2024-10-15

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 石礼伟 ,  陈令修 ,  孙清旭 ,  张洋 ,  孙宏宇 ,  邬俊源

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明提供了一种利用等离子体处理辅助六方氮化硼表面石墨烯形核的方法；包括：步骤1，衬底制备：将六方氮化硼薄片制备到基片表面，清洗，退火，得到表面附有洁净六方氮化硼薄片的基片；步骤2，缺陷引入：将基片放置到可以产生等离子体气氛的腔室中，通入实验气体，进行氮化硼表面缺陷引入处理；步骤3，石墨烯生长形核：将引入缺陷的氮化硼放置到管式炉中，通入碳源气体进行石墨烯形核生长。本发明所涉及的方法利用等离子体预处理在六方氮化硼表面进行缺陷引入，利用缺陷位置可以作为石墨烯形核点的特性，提高石墨烯形核密度，实现石墨烯生长效率的提高。

公开(公告)号：CN118183615A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410262651.1

申请日：2024-03-07

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 陈令修 ,  邬俊源 ,  孙宏宇 ,  孙清旭 ,  张洋 ,  石礼伟

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种二维材料表面褶皱阵列结构的制备方法；包括：步骤1，将二维材料置于衬底表面，对样品进行图形化处理，将二维材料制备成条带状或者圆环状；步骤2，将样品进行温度变化处理，形成相互平行的褶皱阵列结构。本发明基于微纳加工技术与二维材料特性的结合，实现了在二维材料表面可控的褶皱阵列制备。本发明方法实现对二维材料性质的结构与性能的调控，拓展其在光电器件、传感器、催化剂、粒子输运等领域的应用。本发明所涉及的二维材料表面褶皱阵列结构的方法，通过对样品进行图形化与温度变化处理，制备得到在条带或圆环中垂直长边方向形成褶皱，而垂直短边方向无法形成褶皱的褶皱阵列。

公开(公告)号：CN118183615B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410262651.1

申请日：2024-03-07

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 陈令修 ,  邬俊源 ,  孙宏宇 ,  孙清旭 ,  张洋 ,  石礼伟

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种二维材料表面褶皱阵列结构的制备方法；包括：步骤1，将二维材料置于衬底表面，对样品进行图形化处理，将二维材料制备成条带状或者圆环状；步骤2，将样品进行温度变化处理，形成相互平行的褶皱阵列结构。本发明基于微纳加工技术与二维材料特性的结合，实现了在二维材料表面可控的褶皱阵列制备。本发明方法实现对二维材料性质的结构与性能的调控，拓展其在光电器件、传感器、催化剂、粒子输运等领域的应用。本发明所涉及的二维材料表面褶皱阵列结构的方法，通过对样品进行图形化与温度变化处理，制备得到在条带或圆环中垂直长边方向形成褶皱，而垂直短边方向无法形成褶皱的褶皱阵列。