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公开(公告)号：CN102637573B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210134282.5
申请日：2012-04-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 一种半导体处理装置及制作方法，所述半导体处理装置包括：处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述处理腔室内具有处理部件，至少所述处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23％，所述镍的重量百分比范围为30%~68%。由于所述含有铬的镍合金形成的处理腔室的内壁、基座和/或气体喷淋头能有效的防止含有Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，可以提高半导体处理装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102615068B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210082876.6
申请日：2012-03-26
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 一种MOCVD设备的清洁方法，包括：向所述MOCVD设备的反应腔内通入清洁气体；利用等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；将反应腔内壁的温度上升至50℃～250℃，在所述温度下利用清洁气体的等离子体清洁所述反应腔内壁。利用所述清洁方法既能自动地清除MOCVD反应腔内壁的残余沉积物，所述清洁气体的等离子体不会对所述MOCVD反应腔内壁造成损伤，且所述清洁所耗费的时间短。
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公开(公告)号：CN102637573A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210134282.5
申请日：2012-04-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 一种半导体处理装置及制作方法，所述半导体处理装置包括：处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述处理腔室内具有处理部件，至少所述处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23％，所述镍的重量百分比范围为30%~68%。由于所述含有铬的镍合金形成的处理腔室的内壁、基座和/或气体喷淋头能有效的防止含有Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，可以提高半导体处理装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102899635A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210364956.0
申请日：2012-09-26
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035 , H01J37/32862
Abstract: 本发明实施例提供一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，所述方法包括：向所述反应腔室内部通入第一清洁气体，并将所述第一清洁气体在所述反应腔室内部转化为第一清洁等离子体，并将所述反应腔室内部的压力保持在第一预定压力范围内第一时间段以去除所述反应腔室内部的含碳有机物；向所述反应腔室内部通入第二清洁气体，并将所述第二清洁气体在所述反应腔室内部转化为第二清洁等离子体，并将所述反应腔室内部的压力保持在第二预定压力范围内第二时间段以去除所述反应腔室内部的金属及其化合物。本发明实施例提供的原位清洁MOCVD反应腔室的方法对于反应腔室内部温度相对较低表面的沉积物具有良好的清洁效果。
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公开(公告)号：CN102851649A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210365205.0
申请日：2012-09-26
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: B08B9/08 , C11D7/02 , C11D11/0041 , C23C16/4405 , H01J37/32522 , H01J37/32816 , H01J37/32853 , H01J37/32862
Abstract: 本发明实施例提供一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，所述方法包括：保持所述反应腔室内部的压力在预定压力范围内，并将清洁等离子体在所述反应腔室内部维持预定时间段以完全去除所述反应腔室内部的沉积物。本发明实施例提供的原位清洁MOCVD反应腔室的方法能够去除相对稳定的有机物配合基或者关联的聚合物，对于MOCVD反应腔室内部温度相对较低表面的沉积物具有良好的清洁效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102615068A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210082876.6
申请日：2012-03-26
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 一种MOCVD设备的清洁方法，包括：向所述MOCVD设备的反应腔内通入清洁气体；利用等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；将反应腔内壁的温度上升至50℃～250℃，在所述温度下利用清洁气体的等离子体清洁所述反应腔内壁。利用所述清洁方法既能自动地清除MOCVD反应腔内壁的残余沉积物，所述清洁气体的等离子体不会对所述MOCVD反应腔内壁造成损伤，且所述清洁所耗费的时间短。
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公开(公告)号：CN102148180A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010108003.9
申请日：2010-02-09
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种工艺件的去夹持装置和方法，其中，分别采取提供升举装置和在所述工艺件与所述静电夹盘之间提供一气压，以分别向所述工艺件施加第一升举力和第二升举力，其中，在时间段T内，所述第一升举力和所述第二升举力同时作用于所述工艺件。此外，本发明还提供了一种包括上述去夹持装置的处理系统。本发明结合升举装置和气压控制来同时作用于所述工艺件，使得其去夹持机制更加有效可靠。
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公开(公告)号：CN102011097A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010593508.9
申请日：2010-12-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: C23C16/00
Abstract: 本发明提供一种有效地清除第III族元素和第V族元素化合物薄膜生长装置的反应腔内的沉积物残余的方法，包括以下步骤：(a1)向所述反应腔内通入一第一清洁气体，所述第一清洁气体包括含H或含Cl或含F或含Br的气体，并在所述反应腔内形成该第一清洁气体的等离子体，维持所述第一清洁气体的等离子体一第一时间段，以部分地清除所述沉积物残余；(a2)向所述反应腔内通入一第二清洁气体，所述第二清洁气体包括含O的气体，并在所述反应腔内形成该第二清洁气体的等离子体，维持所述第二清洁气体的等离子体一第二时间段，以部分地清除所述沉积物残余；(b)交互地重复前述步骤(a1)和步骤(a2)。本发明的方法能大大地节省生产者的成本和提高整个MOCVD生产装置的有效工艺时间。
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公开(公告)号：CN102899635B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210364956.0
申请日：2012-09-26
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035 , H01J37/32862
Abstract: 本发明实施例提供一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，所述方法包括：向所述反应腔室内部通入第一清洁气体，并将所述第一清洁气体在所述反应腔室内部转化为第一清洁等离子体，并将所述反应腔室内部的压力保持在第一预定压力范围内第一时间段以去除所述反应腔室内部的含碳有机物；向所述反应腔室内部通入第二清洁气体，并将所述第二清洁气体在所述反应腔室内部转化为第二清洁等离子体，并将所述反应腔室内部的压力保持在第二预定压力范围内第二时间段以去除所述反应腔室内部的金属及其化合物。本发明实施例提供的原位清洁MOCVD反应腔室的方法对于反应腔室内部温度相对较低表面的沉积物具有良好的清洁效果。
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公开(公告)号：CN101989544B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910056087.3
申请日：2009-08-07
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/3065 , C30B33/12
Abstract: 本发明提供一种可减少基片背面聚合物沉积的结构，其设置在等离子体处理室中，包含围绕设置于基座外周侧的聚焦环，该聚焦环具有一延伸部，其至少部分地延伸至基片背面的边缘之下；以及设置于基片的背面之下并且介于所述基座的外周侧及所述聚焦环的延伸部之间的导体环。本发明通过插入的导体环限制基片背面处的温度，从而限制因高温使得聚焦环上的碳化物热裂解并在基片背面形成聚合物，在有效减少基片背面聚合物的同时，保证基片蚀刻的均一性。
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