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公开(公告)号：CN119307886A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202310862480.1
申请日：2023-07-13
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种气体喷淋头、气相沉积设备及其使用方法，气体喷淋头包括：气体分配板，其上设有互相交替排布且同心设置的第一输送通道和第二输送通道；盖板上的第一气体连通通道跨过第二输送通道连通相邻的两个第一输送通道；第二气体连通通道跨过第一输送通道连通相邻的两个第二输送通道；第一输送通道的第一入口端，用于输送第一气体；第一低压源用于向第一出口端处提供低压；第二入口端用于输送第二气体；第二低压源用于向第二出口端处提供低压；第一输送通道和第二输送通道下方设有气孔。本发明提供的气体喷淋头既能被快速换气，防止两种反应气体在所述气体喷淋头中混合，又能向基片提供均匀的反应气体。
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公开(公告)号：CN118048623A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211435840.1
申请日：2022-11-16
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供了一种气相沉积设备的承载组件及气相沉积设备，用于解决射频加热的气相沉积设备中，基片边缘温度过低导致的基片成膜不均匀问题，具体包括：能够接收射频辐射产生感应电流来加热基片的托盘主体，其上沿周向排布多个盘位用于放置基片；用于承载基片的圆盘形的子托盘，其可以活动放置于盘位上并绕子托盘的中心轴旋转；围绕子托盘设置有一环形台阶，其靠近子托盘的上表面配置为低于子托盘的上表面；贯穿托盘主体和环形台阶且可在高位和低位之间移动的升降销，其上表面至少部分的位于基片下，用于在取放基片时带动基片上下移动，本发明的气相沉积设备的承载组件及利用该承载组件的气相沉积设备能够提高基片表面不同区域的温度均一性。
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公开(公告)号：CN118039524A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211385758.2
申请日：2022-11-07
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理腔、半导体处理系统、机械手及方法。其中，所述等离子体处理腔包括：基座；聚焦环，包括设置在环体的水平两侧的承托部，所述承托部的底部具有容纳间隙；覆盖环，包括靠近传片口的第一弧环；其中，所述覆盖环的第一弧环两端分别与所述聚焦环的各承托部相邻，所述第一弧环可升高使各所述承托部的容纳间隙暴露，所述传片器可插入各所述容纳间隙、顶升各所述承托部将所述聚焦环悬空托起，并通过所述传片口运载进出处理腔。本发明能够实现不开腔更换聚焦环，并且避免产生将举升机构设置在基座内所带来的点火导致器件损坏、产生颗粒物、影响基座内的器件布局等技术问题。
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公开(公告)号：CN111383892A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811632020.5
申请日：2018-12-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置中气体喷淋头的接地连接结构，通过连接紧固件，使气体喷淋头、安装基座及两者之间的垫板紧密配合；安装基座的安装孔设置有导电部及弹性元件，导电部形成一内部空间，用以容纳插入安装孔内的连接紧固件的前端，弹性元件的弹力作用于导电部，使导电部与安装基座紧密接触，且导电部与连接紧固件紧密接触。本发明具有防松机制，可以保证器件的安装牢固，并且对使用过程中在连接紧固件附近产生的偏移进行修正。当连接紧固件用于传导电流时，还能有效保证导电部与连接紧固件及安装基座之间紧密接触，保证电流传输路径的稳定可靠。
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公开(公告)号：CN119932527A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510073813.1
申请日：2025-01-16
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 一种化学气相沉积装置，包括：反应腔，包括腔体侧壁和底壁；基座，位于所述反应腔内，所述基座包括基座侧壁，所述基座侧壁和腔体侧壁之间包括一排气区域；其特征在于，所述装置还包括：一限流环位于所述排气区域围绕所述基座侧壁，所述限流环底壁与腔体底壁之间存在一存储空间；所述限流环的侧壁或者底壁包括至少一开口用于使气流经过所述开口进入排气腔内；还包括至少一个排气管道固定在所述排气腔和反应腔底壁或侧壁之间，以支撑所述排气腔位于所述存储腔上方。
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公开(公告)号：CN118335585B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410749617.7
申请日：2024-06-11
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司 , 中微半导体(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种下电极组件和等离子处理装置。所述下电极包括由导电材料制成的基座，以及设置在基座上方的多区加热板，多区加热板中包括：内包括多个加热单元，每个加热单元用于加热基板的不同区域；本发明的驱动控制电路整体结构简单、成本低且响应速度快，使得加热板中完成一次加热循环的时间很短，减小每个加热单元的温度波动。
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公开(公告)号：CN118335585A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410749617.7
申请日：2024-06-11
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司 , 中微半导体(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种下电极组件和等离子处理装置。所述下电极包括由导电材料制成的基座，以及设置在基座上方的多区加热板，多区加热板中包括：内包括多个加热单元，每个加热单元用于加热基板的不同区域；本发明的驱动控制电路整体结构简单、成本低且响应速度快，使得加热板中完成一次加热循环的时间很短，减小每个加热单元的温度波动。
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公开(公告)号：CN116411262A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111657236.9
申请日：2021-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C23C16/458 , C30B25/12 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种用于支撑基片托盘的支撑组件，包括一旋转轴和多个支撑杆。旋转轴顶部侧壁上开设多个安装槽，所述支撑杆包括依次连接的插入部、延伸部和支撑部，所述支撑部用于支撑基片托盘；多个支撑杆的插入部依次插入旋转侧壁的多个安装槽中，实现支撑组件的组装。其中安装槽和支撑杆的插入部上设置有定位结构，支撑杆位于安装槽下方空间时可以受支撑杆本身重力驱动，使得插入部自动向上运动到紧贴安装槽顶部倾斜面，实现支撑杆的自动定位。
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公开(公告)号：CN119601448A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202311168477.6
申请日：2023-09-11
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种电极组件，设置于等离子体处理装置内，所述电极组件用于承载待处理基片，其包括：静电吸盘，用于承载待处理基片；金属电极，设置于所述静电吸盘的下方；若干个顶升装置，每个所述顶升装置的顶端从所述静电吸盘顶部穿出至基片背面，每个所述顶升装置的底端设置于所述金属电极内；升降电机，设置于所述金属电极内，与所述顶升装置的底端连接；辅助控制电路，埋设在所述金属电极内，所述辅助控制电路与各所述升降电机电连接，用于控制各所述升降电机驱动各所述顶升装置的升高或下降，以实现基片的升降。本发明通过设置升降电机实现了基片的多级升降，且降低了结构复杂程度和生产成本。
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公开(公告)号：CN119230438A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202310787559.2
申请日：2023-06-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , G01B11/06 , H04N23/50 , H04N23/695
Abstract: 一种半导体处理设备及其具有聚焦环厚度检测装置的传输腔，在传输腔中设置一套聚焦环厚度检测装置来同时监测多个处理腔内的聚焦环的厚度，极大地降低了器件成本。聚焦环厚度检测装置包含对准控制组件和摄像组件，对准控制组件实现摄像组件的升降、旋转和俯仰，或平移，令摄像组件更准确地对准不同的处理腔内的聚焦环，极大地减少了拍摄死角，扩展了拍摄角度范围，摄像组件从不同拍摄高度和不同拍摄角度来拍摄聚焦环的近端图像和远端图图片，通过将不同高度不同角度拍摄的多张图片进行叠加处理和综合判断聚焦环表面损耗情况，提高了准确性，通过对比同一个聚焦环的不同部位的厚度，能够更加全面且准确地判断聚焦环的损耗程度，进一步提升监测精准度。
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