公开(公告)号：CN111503383A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201910091335.1

申请日：2019-01-30

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 魏强 ,  黄允文

IPC: F16L7/00 ,  F16L11/06 ,  F16L11/14 ,  F16L11/15 ,  F16L15/04 ,  F16L58/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种用于真空处理器的可变形气体管道，其特征在于，包括：可变形气体管道壳体，所述可变形气体管道壳体两端包括两个转接头，所述转接头用于与其它气体管道连接，所述可变形气体管道上具有至少一段波纹管；所述壳体内部包括由有机聚合物制成的软管，所述软管两端固定到所述转接头，使得所述软管外侧和可变形气体管道壳体内之间形成一个闭合空间，所述可变形气体管道壳体上设置有一个抽气管道与所述闭合空间联通，用于抽出闭合空间中的气体。可以使可变形气体管道中闭合空间内的气体被抽出，防止反流到软管内部。

公开(公告)号：CN111383892A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201811632020.5

申请日：2018-12-29

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 麦仕义 ,  廉晓芳 ,  魏强 ,  张辉

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置中气体喷淋头的接地连接结构，通过连接紧固件，使气体喷淋头、安装基座及两者之间的垫板紧密配合；安装基座的安装孔设置有导电部及弹性元件，导电部形成一内部空间，用以容纳插入安装孔内的连接紧固件的前端，弹性元件的弹力作用于导电部，使导电部与安装基座紧密接触，且导电部与连接紧固件紧密接触。本发明具有防松机制，可以保证器件的安装牢固，并且对使用过程中在连接紧固件附近产生的偏移进行修正。当连接紧固件用于传导电流时，还能有效保证导电部与连接紧固件及安装基座之间紧密接触，保证电流传输路径的稳定可靠。

公开(公告)号：CN111341689A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201811550076.6

申请日：2018-12-18

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 魏强

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种气体流量控制装置和控制方法及应用该装置的半导体设备，气体流量控制装置的一端通过管路连接气体源，另一端通过管路连接半导体设备中的反应腔，用于将气体源中的沉积气体或刻蚀气体通入反应腔中，并根据工艺要求控制流入反应腔中的气体流量的变化，气体流量控制装置包含至少两个并联设置的质量流量控制器MFC，控制所述第一MFC输出第一流量的气体，第二MFC输出第二流量的气体，其中第一流量大于10倍的第二流量，在多个调整步骤中逐步调整第二MFC输出的第二流量，其中第二流量每一步的气体流量最小调整量Δ小于等于第二最大额定流量的20％。本发明利用现有的硬件设备获得了更好的气体流量控制精度，优化了制程工艺，提高了产品良率。

公开(公告)号：CN113871280B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202010618286.5

申请日：2020-06-30

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 杨金全 ,  黄允文 ,  魏强

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种等离子体处理装置及其边缘气体组件，其中，等离子体处理装置包括：真空反应腔，其包括顶盖，所述顶盖具有贯穿顶盖的开口，真空反应腔内底部具有基座，所述基座用于承载待处理基片；安装基板，位于所述开口内；气体喷淋头，位于所述安装基板的下方，所述气体喷淋头与基座相对设置；边缘气体组件，环绕于所述气体喷淋头的外围，包括至少两个互相隔离的边缘气体调节区，每个所述边缘气体调节区设置进气通道和出气通道，所述出气通道朝向待处理基片的边缘区域；气体源，用于向所述边缘气体调节区输送气体，且各个边缘气体调节区的气体输送情况均独立可控。所述等离子体处理装置能调节待处理基片边缘区域等离子体的浓度分布。

公开(公告)号：CN113745081B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202010462098.8

申请日：2020-05-27

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 杨金全 ,  黄允才 ,  苏兴才 ,  魏强

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，等离子体处理装置包括真空反应腔和设于真空反应腔的上电极与下电极，上电极与下电极之间形成一处理区域，上电极与下电极之间产生射频电场，用以将反应气体解离为等离子体，真空反应腔内设置一隔离环组件，隔离环组件包括：第一隔离环，环绕设置于上电极外周，包括一内壁表面，第一隔离环可在第一位置和第二位置之间移动，第一隔离环位于第一位置，内壁表面与上电极的外周相对，第一隔离环位于第二位置，内壁表面暴露于上电极和下电极形成的处理区域内；第二隔离环，环绕设置于第一隔离环外周。本申请使得隔离环与电极对应的缝隙处能够彻底清理，降低了后续对基片处理造成潜在污染的风险。

公开(公告)号：CN113053713B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201911370597.8

申请日：2019-12-26

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 魏强 ,  黄允文 ,  郭盛

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理设备，其包括反应腔、基座、设备板、静电夹盘、射频杆、射频电源、绝缘管道和抗静电涂层；绝缘管道通过所述设备板上的通道连接所述冷却通道，用于输送绝缘液体；抗静电涂层，涂覆于所述绝缘管道的内壁和/或外壁，抗静电涂层包括抗静电剂，所述抗静电剂的浓度范围为1％～20％，所述抗静电涂层接地。通过设置抗静电涂层中抗静电剂的量，能够将抗静电涂层的电阻值设置为合理范围，在允许静电荷导出的同时，也能够满足不消耗射频部件的工作功率，进而兼顾释放冷却液管路静电和确保射频工作功率，大大提高了设备的使用安全。

公开(公告)号：CN111341689B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201811550076.6

申请日：2018-12-18

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 魏强

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种气体流量控制装置和控制方法及应用该装置的半导体设备，气体流量控制装置的一端通过管路连接气体源，另一端通过管路连接半导体设备中的反应腔，用于将气体源中的沉积气体或刻蚀气体通入反应腔中，并根据工艺要求控制流入反应腔中的气体流量的变化，气体流量控制装置包含至少两个并联设置的质量流量控制器MFC，控制所述第一MFC输出第一流量的气体，第二MFC输出第二流量的气体，其中第一流量大于10倍的第二流量，在多个调整步骤中逐步调整第二MFC输出的第二流量，其中第二流量每一步的气体流量最小调整量Δ小于等于第二最大额定流量的20％。本发明利用现有的硬件设备获得了更好的气体流量控制精度，优化了制程工艺，提高了产品良率。

公开(公告)号：CN112951696B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201911256969.4

申请日：2019-12-10

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 魏强 ,  苏兴才 ,  杨金全

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 本申请实施例公开了一种等离子体处理设备的气体挡板结构，第一基板和设置在第一基板第一表面的多个间隔件，第一基板和多个间隔件形成多个气体腔，多个气体腔包括中心腔和环绕中心腔的至少一个环形腔，至少一个环形腔包括至少两个第一气体腔，各第一气体腔分别对应一个第一入气通路，各第一入气通路独立控制，从而使得各第一气体腔对应的第一入气通路中通入的第一气体流量独立控制，进而在刻蚀过程中，可以基于待处理晶圆表面的刻蚀需求和刻蚀情况，单独控制环形腔中的各第一气体腔中通入的气体流量，以调节距离待处理晶圆中心同一距离不同位置处的刻蚀速率，改善待处理晶圆表面距离其中心同一距离不同位置处的刻蚀不均匀现象。

公开(公告)号：CN112863983B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201911191612.2

申请日：2019-11-28

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 吴磊 ,  魏强 ,  叶如彬 ,  洪韬 ,  张一川 ,  廉晓芳 ,  黄允文

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备，在下电极组件的射频高压导体部件和地之间串联一个射频电阻结构，其一端与射频高压导体部件连接，另一端接地，射频电阻结构的直流电阻小于等于100MΩ，射频阻抗大于等于100KΩ。本发明通过在射频高压部件和接地之间增加射频电阻结构，尽管所述绝缘液体在流动过程中产生静电，但是所述射频电阻结构的射频阻抗较大，使得射频难以通过射频电阻结构接地，同时，所述射频电阻结构的直流电阻较小，使得所产生的静电能够通过射频电阻导入地，因此，有利于防止所述静电累积造成的高压击穿损伤。

公开(公告)号：CN114121585A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010871863.1

申请日：2020-08-26

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 魏强

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种等离子体处理装置及气体供应方法，等离子体处理装置包括反应腔，反应腔内设置基座，气体供应装置向反应腔内输送反应气体，气体供应装置包含气体总管道和多路气体分流输送管路，在多路气体分流输送管路上分别设置一流量控制阀，将多个流量控制阀的流量系数和电信号的对应关系存储到一控制器内；设定多路气体分流输送管路的目标气体流量的比例关系，控制器根据多路气体分流输送管路的流量比例输送对应的电信号至流量控制阀，以调节每个流量控制阀的阀开度。本发明能实现1分2路、1分3路甚至1分更多路，本发明在未设置流量反馈模块时仍能准确地分流，耗时很少，响应速度快，控制结果基本不受各阀门差异的影响，实用性强。