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公开(公告)号：CN115966499A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111176772.7
申请日：2021-10-09
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆对中检测装置，包含：载体盘，通过传送机构放置在静电吸盘上，载体盘的放置位置与待处理晶圆在静电吸盘的放置位置对应；设置在载体盘的多个第一电极和/或多个成对第二电极，第一电极与静电电极构成第一电容，成对第二电极构成第二电容，第一、第二电容的电容值取决于载体盘与静电电极之间的相对位置；计算单元，其基于第一电容的电容值，和/或第二电容的电容值获取载体盘与静电吸盘对中的位置偏差。本发明还提供一种等离子体处理系统及一种晶圆对中方法。
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公开(公告)号：CN115706041A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110919012.4
申请日：2021-08-11
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L21/677 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种基片位置检测装置及其系统和方法，该装置包含：载体盘，其通过传送机构放置在反应腔内的静电夹盘的上表面，所述载体盘在传送机构上的放置位置与基片在传送机构上的放置位置具有对应关系；设置在所述载体盘底面的多个电容组件，所述电容组件的电容值取决于所述电容组件和所述凹陷部之间的相对位置；运算单元，其通过多个所述电容组件的电容值计算所述载体盘与所述静电夹盘上表面的相对位置，以得出所述基片与静电夹盘上表面的相对位置。其优点是：该装置将载体盘、电容组件和运算单元等相结合，利用静电夹盘现有的凹陷部实现了基片和静电夹盘之间对中性的检测，无需额外对腔体内构件进行加工，减小了加工难度。
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公开(公告)号：CN117672794A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211041969.4
申请日：2022-08-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法，所述等离子体边缘刻蚀设备包括：升降装置，用于升降上电极组件；牵拉装置，用于连接顶盖与上电极组件；当顶盖升降时，上电极组件通过牵拉装置随顶盖移动；顶盖移动至预设位置后，升降装置承接上电极组件并带动上电极组件下降，并在上电极组件下降到工作位置时，上电极组件与下电极组件通过相互配合的对准单元自动对心。本发明中升降装置的位置不受开关腔的影响，在顶盖降至预设位置后，由升降装置承接上电极组件并控制上电极组件的升降，能够使上电极组件与下电极组件自动对心，从而保证上电极组件与下电极组件的同心度。
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公开(公告)号：CN117558646A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210925919.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 一种用于半导体处理设备的气体分配装置，通过主气体分配管路将来自气体源的反应气体送至反应腔，通过相互之间独立设置的调节气体分配管路来微调主气体分配管路中与反应腔的进气口相连的每一个主管路中的气体流量，并进一步通过相互之间独立设置的分支调节气体分配管路来微调反应腔上的每一个进气口的气体流量，同时微调气体分配器的进气端的气体流量，抵消由于等分限流孔的尺寸公差和共用抽气装置带来的气体流量偏差，从而使每个反应腔中的每个进气口的气体流量都达到预期的标准，消除反应腔之间的气体流量分布差异，使反应腔中的气体分布更加均衡，令半导体制程的结果更加符合预期效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114582694A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011392147.1
申请日：2020-12-01
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/18 , H01J37/305 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种集尘器，等离子体处理设备及调压方法，包括与等离子设备腔室相连的气体管道，真空泵，位于腔室和真空泵之间的圆环形的第一框架，通过第一转动轴与第一框架的侧壁连接的多个叶片，多个所述叶片之间按照一定间隔排列，电压设备，用于在相邻两个叶片之间施加不同极性电压，可以在等离子体反应过程中，利用静电吸附原理，将反应过程中产生的大颗粒灰尘固定在通电的叶片上，倾斜的叶片还可以阻挡气体管道中的颗粒逆流回反应腔，并且叶片的倾斜角度可以调整，以适应反应腔内所需气压。
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公开(公告)号：CN114582694B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202011392147.1
申请日：2020-12-01
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/18 , H01J37/305 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种集尘器，等离子体处理设备及调压方法，包括与等离子设备腔室相连的气体管道，真空泵，位于腔室和真空泵之间的圆环形的第一框架，通过第一转动轴与第一框架的侧壁连接的多个叶片，多个所述叶片之间按照一定间隔排列，电压设备，用于在相邻两个叶片之间施加不同极性电压，可以在等离子体反应过程中，利用静电吸附原理，将反应过程中产生的大颗粒灰尘固定在通电的叶片上，倾斜的叶片还可以阻挡气体管道中的颗粒逆流回反应腔，并且叶片的倾斜角度可以调整，以适应反应腔内所需气压。
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公开(公告)号：CN117672793A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211007788.X
申请日：2022-08-22
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种边缘刻蚀设备及使用方法，所述刻蚀设备包括反应腔，反应腔上部设有上电极组件，反应腔的下部设有用于承载晶圆的基座，基座的外围设有下电极环和接地环；上电极组件包括：安装基板，用于安装上电极环；安装基板的外缘设有第一抵接部，第一抵接部位于上电极环的径向外侧；接地环的外缘设有第二抵接部，第二抵接部位于下电极环的径向外侧；在刻蚀过程中，第二抵接部与第一抵接部抵接以在晶圆边缘区域形成约束空间，其中约束空间设有第一抽气通道。本发明既能够对等离子体进行约束，还能使等离子体分布均匀，从而保证晶圆边缘刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN220585183U
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202321355536.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种接地环组件、上电极组件及边缘刻蚀设备。所述接地环组件包括接地环和匀气环，其中，所述匀气环与所述接地环同心设置，所述匀气环构成供应工艺气体的气体通道的至少一部分，并且所述匀气环采用多孔材料制成。本实用新型能够使工艺气体在匀气环的孔隙中均匀扩散，从而使流入到反应空间的工艺气体均匀扩散到晶圆边缘，使晶圆边缘刻蚀均匀。
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公开(公告)号：CN219626589U
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202223404128.3
申请日：2022-12-19
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种等离子体边缘刻蚀设备，其包括：等离子体处理腔室，所述等离子体处理腔室包括腔室盖和腔室壁；位于所述等离子体处理腔室内且相对设置的上电极组件和下电极组件；升降装置，用于使所述上电极组件上下运动；限位组件，所述上电极组件通过所述限位组件与所述腔室盖选择性地进行限位，其中，所述限位组件用于在开关所述腔室盖的过程中使所述上电极组件处于限位状态。本实用新型通过设置限位组件将上电极组件限位在腔室盖，避免在开腔时上电极组件相对于腔室盖之间的不规则晃动，这样的晃动会影响供水供气管路的连接稳定性，带来漏水漏气的风险。
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