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公开(公告)号：CN114639582B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202011479359.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/32 , G01B11/06
Abstract: 本发明提供了一种边缘环高度测量装置及方法，包括放在静电吸盘上的带有定位点的承载盘，以及承载盘上的成像设备，通过成像设备多次获取边缘环的图像，然后进行数据处理后计算边缘环的高度或者厚度变化，变化数据有利于对边缘环损耗的调整，利用对不同区域多点的测量能降低误差，不需要破坏原有真空环境，大大降低了因边缘环调整耗费的停滞时间。
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公开(公告)号：CN114530361B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202011321713.X
申请日：2020-11-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法，其中，所述下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；遮盖环，设于所述聚焦环下方，沿其周向设有若干个凹槽；移动块，设于所述凹槽内，其内侧顶角设有台阶，所述台阶用于支撑部分聚焦环；驱动装置，与所述移动块连接，用于驱动所述移动块带动聚焦环上下移动。利用所述下电极组件更换聚焦环时无需打开反应腔就能够实现更换。
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公开(公告)号：CN114688457B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202011586160.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置气体供应系统，包括歧管、位于歧管支路上的控制箱和位于歧管干路上的调节箱，利用调节箱的物态变化稳定气体管路中的气体压力。借助不同规格的存气罐，对管路中气体流量的大幅变化起到缓冲作用。在管路外壁还设置有加热装置，防止低压气体的液化导致的堵塞。同时将干路的内径增加，也起到了一定的缓冲作用。该系统可以提供稳定的气体压力平衡，抗扰能力突出，对于持续保持等离子体反应时气体的比例具有显著效果，此外，相比从厂务端单独向反应腔接通输气管线，本发明的气体供应系统节省了成本，降低了厂务端的管路占地空间。
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公开(公告)号：CN117672794A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211041969.4
申请日：2022-08-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法，所述等离子体边缘刻蚀设备包括：升降装置，用于升降上电极组件；牵拉装置，用于连接顶盖与上电极组件；当顶盖升降时，上电极组件通过牵拉装置随顶盖移动；顶盖移动至预设位置后，升降装置承接上电极组件并带动上电极组件下降，并在上电极组件下降到工作位置时，上电极组件与下电极组件通过相互配合的对准单元自动对心。本发明中升降装置的位置不受开关腔的影响，在顶盖降至预设位置后，由升降装置承接上电极组件并控制上电极组件的升降，能够使上电极组件与下电极组件自动对心，从而保证上电极组件与下电极组件的同心度。
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公开(公告)号：CN117558646A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210925919.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 一种用于半导体处理设备的气体分配装置，通过主气体分配管路将来自气体源的反应气体送至反应腔，通过相互之间独立设置的调节气体分配管路来微调主气体分配管路中与反应腔的进气口相连的每一个主管路中的气体流量，并进一步通过相互之间独立设置的分支调节气体分配管路来微调反应腔上的每一个进气口的气体流量，同时微调气体分配器的进气端的气体流量，抵消由于等分限流孔的尺寸公差和共用抽气装置带来的气体流量偏差，从而使每个反应腔中的每个进气口的气体流量都达到预期的标准，消除反应腔之间的气体流量分布差异，使反应腔中的气体分布更加均衡，令半导体制程的结果更加符合预期效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113838732B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010515811.0
申请日：2020-06-08
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于等离子体处理装置的聚焦环升降机构，聚焦环升降机构位于一真空反应腔内，真空反应腔内底部设置一载台，载台包括基座和基座上方的静电夹盘，一聚焦环环绕设置于载台外周；聚焦环升降机构包括驱动杆和驱动驱动杆升降的驱动源，基座下方设置一屏蔽环，驱动源设置于屏蔽环内部，驱动杆贯穿基座至聚焦环下方以实现聚焦环的升降。本申请通过设置驱动杆和用于使得驱动杆升降的驱动源，实现了聚焦环的自动升降，聚焦环因此可以升降到一定位置后从用于取放基片的传片口中取出，整个过程简单方便。
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公开(公告)号：CN114582694A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011392147.1
申请日：2020-12-01
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/18 , H01J37/305 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种集尘器，等离子体处理设备及调压方法，包括与等离子设备腔室相连的气体管道，真空泵，位于腔室和真空泵之间的圆环形的第一框架，通过第一转动轴与第一框架的侧壁连接的多个叶片，多个所述叶片之间按照一定间隔排列，电压设备，用于在相邻两个叶片之间施加不同极性电压，可以在等离子体反应过程中，利用静电吸附原理，将反应过程中产生的大颗粒灰尘固定在通电的叶片上，倾斜的叶片还可以阻挡气体管道中的颗粒逆流回反应腔，并且叶片的倾斜角度可以调整，以适应反应腔内所需气压。
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公开(公告)号：CN109962030B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201711407089.3
申请日：2017-12-22
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本申请提供一种静电吸盘，在基座的中心区域和边缘区域分别设置热交换通道，在中心区域和边缘区域之间设置有隔离槽，隔离槽的形状为环状，隔离槽靠近边缘区域的外壁和靠近中心区域的内壁之间设置有连接体，隔离槽可隔断中心区域和边缘区域的热传递，实现两个区域的温度不同，同时，由于连接体的存在，起到加强筋的作用，在中心区域和边缘区域的温度差别较大时，避免因为应力过大导致的基座表面向上凸起变形。
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公开(公告)号：CN114188205A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010960549.0
申请日：2020-09-14
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种静电装置、其所在的基片处理系统及其置换清洁方法，所述基片处理系统包含等离子体处理装置、传输腔及静电装置，所述传输腔内有传输机械手，所述静电装置用于产生吸附静电以吸附所述等离子体处理装置中的真空反应腔中的边缘环，并通过所述传输机械手将所述边缘环移入或移出所述真空反应腔，实现在不打开所述真空反应腔的情况下置换所述边缘环。本发明结构简单，操作方便，极大地降低了基片处理系统的维护成本。
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公开(公告)号：CN113972124A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010716962.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种用于等离子体处理装置中的接地组件及其等离子体处理装置与工作方法，该等离子体处理装置包含：真空反应腔；下电极组件，位于真空反应腔内，下电极组件包括承载面，用于承载待处理晶圆；接地组件，其环绕设置在下电极组件的外侧，接地组件内包含若干个电磁场屏蔽的容纳空间；晶圆边缘保护环，环绕覆盖在待处理晶圆的边缘；若干个升降装置，其包含升降杆和驱动装置，驱动装置设置在容纳空间内，驱动装置与升降杆连接以便驱动升降杆带动晶圆边缘保护环升降。其优点是：在接地组件内设置容纳空间，将驱动装置设置于容纳空间内，避免过多占用真空反应腔内的空间，使驱动装置免受真空反应腔内的电磁场影响，有利于刻蚀工作的稳定性。
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