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公开(公告)号：CN113948358B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010689990.X
申请日：2020-07-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔、第一气体源、第二气体源、第三气体源和抽气泵；反应腔内底部包括基座，基座用于承载待处理基片；第一气体源、第二气体源和第三气体源，分别通过第一通路、第二通路和第三通路与反应腔连接；抽气泵的第一端与第二通路连接，第二端与第三通路连接，用于隔离第二气体源与第三气体源中的气体。此发明解决了待处理基片在刻蚀过程中产生副产物的堆积，而影响刻蚀的非平坦的问题，通过设置多条刻蚀气体的通路，实现多条通路的频繁动态切换，实现了刻蚀处理过程中待处理基片的刻蚀平坦化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112289669B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201910677224.9
申请日：2019-07-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种在无晶圆的真空反应腔内镀膜的方法及晶圆处理方法，该镀膜方法包含以下步骤：步骤1：向无晶圆的真空反应腔内输送沉积气体并点燃等离子体，在暴露于等离子体的真空反应腔内壁及内部部件表面沉积一定厚度的保护膜；步骤2：向无晶圆的真空反应腔内输送刻蚀气体并点燃等离子体，等离子体对步骤1沉积的保护膜进行修饰处理；步骤3：重复步骤1‑步骤2若干次以得到高致密度的保护膜。本发明通过重复沉积‑刻蚀的方式在真空反应腔内表面所形成致密的保护膜，从而减小晶圆表面颗粒的尺寸和数量，工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN113948358A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010689990.X
申请日：2020-07-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔、第一气体源、第二气体源、第三气体源和抽气泵；反应腔内底部包括基座，基座用于承载待处理基片；第一气体源、第二气体源和第三气体源，分别通过第一通路、第二通路和第三通路与反应腔连接；抽气泵的第一端与第二通路连接，第二端与第三通路连接，用于隔离第二气体源与第三气体源中的气体。此发明解决了待处理基片在刻蚀过程中产生副产物的堆积，而影响刻蚀的非平坦的问题，通过设置多条刻蚀气体的通路，实现多条通路的频繁动态切换，实现了刻蚀处理过程中待处理基片的刻蚀平坦化。
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公开(公告)号：CN112289669A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910677224.9
申请日：2019-07-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种在无晶圆的真空反应腔内镀膜的方法及晶圆处理方法，该镀膜方法包含以下步骤：步骤1：向无晶圆的真空反应腔内输送沉积气体并点燃等离子体，在暴露于等离子体的真空反应腔内壁及内部部件表面沉积一定厚度的保护膜；步骤2：向无晶圆的真空反应腔内输送刻蚀气体并点燃等离子体，等离子体对步骤1沉积的保护膜进行修饰处理；步骤3：重复步骤1‑步骤2若干次以得到高致密度的保护膜。本发明通过重复沉积‑刻蚀的方式在真空反应腔内表面所形成致密的保护膜，从而减小晶圆表面颗粒的尺寸和数量，工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN113035683B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201911356890.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理器，下电极组件位于等离子体处理器的反应腔内，下电极组件包含基座、用于控制基片温度的中间层和用于支撑基片的静电夹盘，中间层位于基座之上，静电夹盘位于中间层之上并与中间层进行热交换；静电夹盘包含中间部分，以及向下突出的边缘部分，静电夹盘的中间部分与边缘部分构成一内凹空间，供中间层嵌入，静电夹盘的边缘部分与中间层的至少部分的侧边缘接触。本发明增大了静电夹盘的边缘部分与中间层的接触面积，加强了热交换能力，能够有效降低等离子体处理过程中的静电夹盘边缘区域的局部过热情况的出现；同时改善边缘的等离子体方向性，使得等离子体鞘层的厚度和轮廓的均匀性更好。
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公开(公告)号：CN113035683A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911356890.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理器，下电极组件位于等离子体处理器的反应腔内，下电极组件包含基座、用于控制基片温度的中间层和用于支撑基片的静电夹盘，中间层位于基座之上，静电夹盘位于中间层之上并与中间层进行热交换；静电夹盘包含中间部分，以及向下突出的边缘部分，静电夹盘的中间部分与边缘部分构成一内凹空间，供中间层嵌入，静电夹盘的边缘部分与中间层的至少部分的侧边缘接触。本发明增大了静电夹盘的边缘部分与中间层的接触面积，加强了热交换能力，能够有效降低等离子体处理过程中的静电夹盘边缘区域的局部过热情况的出现；同时改善边缘的等离子体方向性，使得等离子体鞘层的厚度和轮廓的均匀性更好。
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