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公开(公告)号：CN113948358B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010689990.X
申请日：2020-07-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔、第一气体源、第二气体源、第三气体源和抽气泵；反应腔内底部包括基座，基座用于承载待处理基片；第一气体源、第二气体源和第三气体源，分别通过第一通路、第二通路和第三通路与反应腔连接；抽气泵的第一端与第二通路连接，第二端与第三通路连接，用于隔离第二气体源与第三气体源中的气体。此发明解决了待处理基片在刻蚀过程中产生副产物的堆积，而影响刻蚀的非平坦的问题，通过设置多条刻蚀气体的通路，实现多条通路的频繁动态切换，实现了刻蚀处理过程中待处理基片的刻蚀平坦化。
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公开(公告)号：CN112289669B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201910677224.9
申请日：2019-07-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种在无晶圆的真空反应腔内镀膜的方法及晶圆处理方法，该镀膜方法包含以下步骤：步骤1：向无晶圆的真空反应腔内输送沉积气体并点燃等离子体，在暴露于等离子体的真空反应腔内壁及内部部件表面沉积一定厚度的保护膜；步骤2：向无晶圆的真空反应腔内输送刻蚀气体并点燃等离子体，等离子体对步骤1沉积的保护膜进行修饰处理；步骤3：重复步骤1‑步骤2若干次以得到高致密度的保护膜。本发明通过重复沉积‑刻蚀的方式在真空反应腔内表面所形成致密的保护膜，从而减小晶圆表面颗粒的尺寸和数量，工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN113000233B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201911307952.7
申请日：2019-12-18
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种等离子体反应器及其气体喷嘴，所述等离子体反应器具有内衬，所述气体喷嘴包括：插入部，所述插入部的第一端用于插入固定在管道的气体出口，与所述第一端相对的第二端用于置于所述管道外部；出气部，所述出气部的一侧表面具有安装槽，所述安装槽朝向所述插入部的第二端，且所述插入部的第二端与所述安装槽底部连接，所述出气部相对的另一侧表面具有主气体喷口；其中，所述气体喷嘴内具有连通所述插入部第一端与所述主气体喷口的主气体喷射通道；所述内衬具有用于放置在所述安装槽内的安装部，所述安装部位于所述内衬具有所述气体出口的表面，凸出该表面。应用本发明提供的技术方案，可以有效防止气体腐蚀现象发生。
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公开(公告)号：CN119069332B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411561997.8
申请日：2024-11-04
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种防止下电极组件发生电弧放电的方法及等离子体处理设备，所述方法包括：测量基片的直流自偏压，获得对应的自偏压测量值；基于所述自偏压测量值计算自偏压补偿值；向所述下电极组件施加第一直流电压，所述第一直流电压的电压值为所述自偏压补偿值，实现所述下电极组件与基片之间的电压差值小于预设的第一阈值。其优点是：通过向下电极组件施加电压值为自偏压补偿值的第一直流电压，有效减少了基片与下电极组件之间的电压差，大大降低了高深宽比刻蚀中下电极组件发生电弧放电的概率，提高了基片加工的安全性。
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公开(公告)号：CN119069332A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411561997.8
申请日：2024-11-04
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种防止下电极组件发生电弧放电的方法及等离子体处理设备，所述方法包括：测量基片的直流自偏压，获得对应的自偏压测量值；基于所述自偏压测量值计算自偏压补偿值；向所述下电极组件施加第一直流电压，所述第一直流电压的电压值为所述自偏压补偿值，实现所述下电极组件与基片之间的电压差值小于预设的第一阈值。其优点是：通过向下电极组件施加电压值为自偏压补偿值的第一直流电压，有效减少了基片与下电极组件之间的电压差，大大降低了高深宽比刻蚀中下电极组件发生电弧放电的概率，提高了基片加工的安全性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112289669A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910677224.9
申请日：2019-07-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种在无晶圆的真空反应腔内镀膜的方法及晶圆处理方法，该镀膜方法包含以下步骤：步骤1：向无晶圆的真空反应腔内输送沉积气体并点燃等离子体，在暴露于等离子体的真空反应腔内壁及内部部件表面沉积一定厚度的保护膜；步骤2：向无晶圆的真空反应腔内输送刻蚀气体并点燃等离子体，等离子体对步骤1沉积的保护膜进行修饰处理；步骤3：重复步骤1‑步骤2若干次以得到高致密度的保护膜。本发明通过重复沉积‑刻蚀的方式在真空反应腔内表面所形成致密的保护膜，从而减小晶圆表面颗粒的尺寸和数量，工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN113035683B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201911356890.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理器，下电极组件位于等离子体处理器的反应腔内，下电极组件包含基座、用于控制基片温度的中间层和用于支撑基片的静电夹盘，中间层位于基座之上，静电夹盘位于中间层之上并与中间层进行热交换；静电夹盘包含中间部分，以及向下突出的边缘部分，静电夹盘的中间部分与边缘部分构成一内凹空间，供中间层嵌入，静电夹盘的边缘部分与中间层的至少部分的侧边缘接触。本发明增大了静电夹盘的边缘部分与中间层的接触面积，加强了热交换能力，能够有效降低等离子体处理过程中的静电夹盘边缘区域的局部过热情况的出现；同时改善边缘的等离子体方向性，使得等离子体鞘层的厚度和轮廓的均匀性更好。
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公开(公告)号：CN114695107A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011606614.6
申请日：2020-12-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种等离子体刻蚀方法，通过电感耦合射频激发氟甲烷、氧气、含硫氧气体和溴化氢等混合气体，形成等离子体后在脉冲偏置射频的作用下，对由前置等离子体刻蚀成的高深宽比孔进行刻蚀，适用于包括介电层和导电层堆叠组成的高深宽比的孔底部氮化硅层的刻蚀，具有对掩膜层和二氧化硅层的高选择比，可以对掩膜的顶部和侧面生成保护沉积层，减弱等离子体对掩膜的消耗，同时，抑制二氧化硅层的分解，又能维持氮化硅的高速率刻蚀，有效抑制因介电层的损失量较大导致的漏电流的增大的风险，保证制得的电子器件安全运行。通过使用脉冲偏置射频，可以消除孔底部的带电粒子引起的小分子聚合物堆积，维持高速平稳的氮化硅刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN113035683A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911356890.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理器，下电极组件位于等离子体处理器的反应腔内，下电极组件包含基座、用于控制基片温度的中间层和用于支撑基片的静电夹盘，中间层位于基座之上，静电夹盘位于中间层之上并与中间层进行热交换；静电夹盘包含中间部分，以及向下突出的边缘部分，静电夹盘的中间部分与边缘部分构成一内凹空间，供中间层嵌入，静电夹盘的边缘部分与中间层的至少部分的侧边缘接触。本发明增大了静电夹盘的边缘部分与中间层的接触面积，加强了热交换能力，能够有效降低等离子体处理过程中的静电夹盘边缘区域的局部过热情况的出现；同时改善边缘的等离子体方向性，使得等离子体鞘层的厚度和轮廓的均匀性更好。
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公开(公告)号：CN106356318B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201510418759.6
申请日：2015-07-16
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种气体分布扩散板，其包括：温度控制装置，所述温度控制装置用于控制所述气体分布扩散板的温度保持稳定。稳定的表面温度使得进入反应腔内的反应气体吸附在气体分布扩散板表面的几率以及该反应气体原子活性基与气体分布扩散板表面的复合速率保持稳定，所以，通过本发明提供的气体分布扩散板，能够保证参与晶圆处理的反应气体中的气体分子和原子自由基浓度基本稳定，从而保证晶圆处理工艺的稳定性，进而提高晶圆处理的质量和性能。稳定的表面的温度可以降低工艺处理中反应副产物在扩散板表面的沉积形成固体颗粒掉落处理晶圆表面的风险，提高产品良率。本发明还提供了一种等离子体处理器。
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