半导体装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109075145B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201780023523.X

    申请日:2017-04-14

    Inventor: 宗石猛

    Abstract: 本公开的半导体装置具备:电路单元,其具有散热层、布线层以及位于散热层与布线层之间的半导体元件;第一流路构件,其由绝缘材料构成;以及第二流路构件,其由绝缘材料构成,其中,电路单元位于第一流路构件与第二流路构件之间,布线层面向第一流路构件或第二流路构件。

    静电卡盘
    4.
    发明公开
    静电卡盘 审中-实审

    公开(公告)号:CN117642849A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202280049289.9

    申请日:2022-07-13

    Abstract: 静电卡盘具备卡盘构件、基座构件以及接合材料。接合材料位于卡盘构件与基座构件之问。接合材料含有聚酰亚胺。接合材料在从卡盘构件以及基座构件分离的中间部分具有空隙。

    半导体装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109075145A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780023523.X

    申请日:2017-04-14

    Inventor: 宗石猛

    Abstract: 本公开的半导体装置具备:电路单元,其具有散热层、布线层以及位于散热层与布线层之间的半导体元件;第一流路构件,其由绝缘材料构成;以及第二流路构件,其由绝缘材料构成,其中,电路单元位于第一流路构件与第二流路构件之间,布线层面向第一流路构件或第二流路构件。

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