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公开(公告)号：CN102714191B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180005905.2
申请日：2011-01-13
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L23/13 , C04B35/587 , C04B37/026 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3878 , C04B2235/3882 , C04B2235/5276 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/6587 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/945 , C04B2235/9607 , C04B2237/125 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/74 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L35/32 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/38 , H05K2201/0248 , H05K2201/0266 , H05K2201/0269 , Y10T428/24413 , Y10T428/24421 , Y10T428/25 , Y10T428/259 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供能够使将由金属形成的构件接合时的接合强度提高的氮化硅质基板、以及可通过使用这种氮化硅质基板而提高可靠性的电路基板和电子装置。所述氮化硅质基板(1)，在由氮化硅质烧结体形成的基板(1a)的主面一体化有含硅的多个粒状体(1b)，从粒状体(1b)的局部延伸出多个以氮化硅为主成分的针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)。在基板(1a)的主面上涂布焊料，在已涂布的焊料上配置电路构件、放热构件，然后通过在经加热而进行接合时使多个粒状体(1b)一体化于基板(1a)的主面，从粒状体(1b)的局部延伸出多个针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)，从而可得到较高的固定效果，因此能够使氮化硅质基板(1)与电路构件、放热构件牢固接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102781878A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180012715.3
申请日：2011-03-09
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/584
CPC classification number: C04B35/584 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , H01L35/32
Abstract: 本发明提供导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体、不易产生龟裂的电路基板、可靠性高的电子装置及可靠性高的热电转换组件。通过使主晶相以氮化硅作为主成分，晶界相以氧化镁及稀土类氧化物作为主成分，并且包含组成式以REMgSi2O5N(RE为稀土类金属)表示的成分，从而能够得到导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体。此外，若将该烧结体用于电路基板，则能够制成不易产生龟裂的、可靠性高的电路基板，使用该电路基板的电子装置及热电转换组件的可靠性高。
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公开(公告)号：CN108025986A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680056028.4
申请日：2016-09-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B37/00
CPC classification number: C04B37/003 , B32B18/00 , B32B2250/02 , B32B2307/752 , C04B37/00 , C04B37/005 , C04B37/006 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/16 , C04B2237/365 , C04B2237/708 , C04B2237/78
Abstract: 本公开的陶瓷接合体具备第1碳化硅质陶瓷、第2碳化硅质陶瓷、和位于第1碳化硅质陶瓷与第2碳化硅质陶瓷之间的接合层。接合层中，构成接合层的全部成分100质量％中，含有金属硅25质量％以上、碳化硅25质量％以上，且金属硅和碳化硅总计含有75质量％以上，此外，含有镍硅化物和铬硅化物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102714191A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180005905.2
申请日：2011-01-13
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L23/13 , C04B35/587 , C04B37/026 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3878 , C04B2235/3882 , C04B2235/5276 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/6587 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/945 , C04B2235/9607 , C04B2237/125 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/74 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L35/32 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/38 , H05K2201/0248 , H05K2201/0266 , H05K2201/0269 , Y10T428/24413 , Y10T428/24421 , Y10T428/25 , Y10T428/259 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供能够使将由金属形成的构件接合时的接合强度提高的氮化硅质基板、以及可通过使用这种氮化硅质基板而提高可靠性的电路基板和电子装置。所述氮化硅质基板(1)，在由氮化硅质烧结体形成的基板(1a)的主面一体化有含硅的多个粒状体(1b)，从粒状体(1b)的局部延伸出多个以氮化硅为主成分的针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)。在基板(1a)的主面上涂布焊料，在已涂布的焊料上配置电路构件、放热构件，然后通过在经加热而进行接合时使多个粒状体(1b)一体化于基板(1a)的主面，从粒状体(1b)的局部延伸出多个针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)，从而可得到较高的固定效果，因此能够使氮化硅质基板(1)与电路构件、放热构件牢固接合。
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公开(公告)号：CN102781878B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201180012715.3
申请日：2011-03-09
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/584
CPC classification number: C04B35/584 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , H01L35/32
Abstract: 本发明提供导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体、不易产生龟裂的电路基板、可靠性高的电子装置及可靠性高的热电转换组件。通过使主晶相以氮化硅作为主成分，晶界相以氧化镁及稀土类氧化物作为主成分，并且包含组成式以REMgSi2O5N(RE为稀土类金属)表示的成分，从而能够得到导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体。此外，若将该烧结体用于电路基板，则能够制成不易产生龟裂的、可靠性高的电路基板，使用该电路基板的电子装置及热电转换组件的可靠性高。
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