-
公开(公告)号：CN1825664A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610008884.0
申请日：2006-02-23
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本发明公开一种陶瓷容器，备有：陶瓷基体(1)，其具有由侧壁(1b)和底部(1c)所形成且将电池要素或电双层电容器要素收置于内部的凹部(1a)；陶瓷涂层(3)，其以围绕所述底部(1c)的面对着所述凹部(1a)的底面，从面对着所述凹部的侧壁(1b)的下端到所述底面上沿所述底面的外缘的方式形成；第一金属化层(2a)，其在所述底面上从所述侧壁(1b)的正下，经由所述陶瓷涂层(3)的正下而延伸至比所述陶瓷涂层(3)的内侧端部更靠近内侧；以及导电层(2c)，其以覆盖所述金属化层(2a)的延伸部(2a－B)以及其周围的所述陶瓷涂层(3)的方式形成于凹部(1a)的底面。
-
公开(公告)号：CN111133594A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880061269.7
申请日：2018-05-10
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 发光装置等具备：发光元件，其具有发光部，该发光部辐射在380～425nm具有第1峰值波长、半值宽度为15～35nm的第1辐射光；和被覆材料，其位于发光元件的发光部上，包含荧光体，该荧光体辐射在430～475nm具有第2峰值波长并在490～540nm具有第3峰值波长的第2辐射光，发光装置等辐射外部辐射光，该外部辐射光具有：包含第1峰值波长、第2峰值波长以及第3峰值波长14P02303的峰值区域；和从第3峰值波长的上限到750nm的波长而光强度连续减少的长波长区域。
-
公开(公告)号：CN101375431B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200780003789.4
申请日：2007-01-29
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01G9/08 , H01G9/016 , H01G9/155 , H01G11/74 , H01G11/78 , H01G11/80 , H01M2/0217 , H01M2/0225 , H01M2/1022 , H01M2/30 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及制造效率优越且能够表面安装于外部电路基板的蓄电体用容器及使用其的高性能的电池或双电荷层电容器。蓄电体用容器具备：框体(1)；以堵塞框体(1)的第一开口的方式接合于框体(1)的第一封口体(2)；以堵塞框体(1)的第二开口的方式接合于框体(1)，且具有与第一封口体(2)排列设置的连接端部的第二封口体。由此，能够形成为制造工序简单且表面安装容易的蓄电体用容器。
-
公开(公告)号：CN101375431A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003789.4
申请日：2007-01-29
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01G9/08 , H01G9/016 , H01G9/155 , H01G11/74 , H01G11/78 , H01G11/80 , H01M2/0217 , H01M2/0225 , H01M2/1022 , H01M2/30 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及制造效率优越且能够表面安装于外部电路基板的蓄电体用容器及使用其的高性能的电池或双电荷层电容器。蓄电体用容器具备：框体(1)；以堵塞框体(1)的第一开口的方式接合于框体(1)的第一封口体(2)；以堵塞框体(1)的第二开口的方式接合于框体(1)，且具有与第一封口体(2)排列设置的连接端部的第二封口体。由此，能够形成为制造工序简单且表面安装容易的蓄电体用容器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111133594B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201880061269.7
申请日：2018-05-10
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 发光装置等具备：发光元件，其具有发光部，该发光部辐射在380～425nm具有第1峰值波长、半值宽度为15～35nm的第1辐射光；和被覆材料，其位于发光元件的发光部上，包含荧光体，该荧光体辐射在430～475nm具有第2峰值波长并在490～540nm具有第3峰值波长的第2辐射光，发光装置等辐射外部辐射光，该外部辐射光具有：包含第1峰值波长、第2峰值波长以及第3峰值波长14P02303的峰值区域；和从第3峰值波长的上限到750nm的波长而光强度连续减少的长波长区域。
-
公开(公告)号：CN114556598A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080071086.0
申请日：2020-10-15
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/50 , F21K9/64 , F21V9/38 , F21Y115/10
Abstract: 本公开的一实施方式所涉及的发光装置发出第1光，该第1光在630～680nm的波长区域具有第1峰值波长，在430nm～480nm的波长区域具有第2峰值波长，在380nm～430nm的波长区域具有第3峰值波长。第1光在将第2峰值波长处的光强度设为1的情况下，第1峰值波长处的相对光强度为0.05～0.35，第3峰值波长处的相对光强度为0.25～0.45。第1光在从480nm到第1峰值波长的波长区域，具有光强度的第1极小值。
-
-
公开(公告)号：CN100517800C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610008884.0
申请日：2006-02-23
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本发明公开一种陶瓷容器，备有：陶瓷基体(1)，其具有由侧壁(1b)和底部(1c)所形成且将电池要素或电双层电容器要素收置于内部的凹部(1a)；陶瓷涂层(3)，其以围绕所述底部(1c)的面对着所述凹部(1a)的底面，从面对着所述凹部的侧壁(1b)的下端到所述底面上沿所述底面的外缘的方式形成；第一金属化层(2a)，其在所述底面上从所述侧壁(1b)的正下，经由所述陶瓷涂层(3)的正下而延伸至比所述陶瓷涂层(3)的内侧端部更靠近内侧；以及导电层(2c)，其以覆盖所述金属化层(2a)的延伸部(2a-B)以及其周围的所述陶瓷涂层(3)的方式形成于凹部(1a)的底面。
-
公开(公告)号：CN1913195A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610108709.9
申请日：2006-07-28
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本发明提供一种容器(A)，具备：基体(1)，其由侧壁(1d)与底部(1e)形成，且具有在内部收容蓄电要素的凹部(1a)；导电层(1b)，其配置在底部(1e)的面对凹部(1a)的底面；第一电极(2d)，其与导电层(1b)电连接，并被导出到基体(1)的侧壁(1d)的上面；和盖体(3)，其上面侧成为第二电极(3a)并与下面侧的导电部(3b)电连接，并且以堵塞凹部(1a)的方式接合于基体(1)的侧壁(1d)的上面。由于第一电极(2d)与第二电极(3a)排列配置在近似同一平面，所以，可提供平面安装容易且电路基板的生产率优异的电池(B)或双电荷层电容器(B)。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.038 seconds)
