陶瓷容器和使用其的电池以及电双层电容器

    公开(公告)号:CN1825664A

    公开(公告)日:2006-08-30

    申请号:CN200610008884.0

    申请日:2006-02-23

    Abstract: 本发明公开一种陶瓷容器,备有:陶瓷基体(1),其具有由侧壁(1b)和底部(1c)所形成且将电池要素或电双层电容器要素收置于内部的凹部(1a);陶瓷涂层(3),其以围绕所述底部(1c)的面对着所述凹部(1a)的底面,从面对着所述凹部的侧壁(1b)的下端到所述底面上沿所述底面的外缘的方式形成;第一金属化层(2a),其在所述底面上从所述侧壁(1b)的正下,经由所述陶瓷涂层(3)的正下而延伸至比所述陶瓷涂层(3)的内侧端部更靠近内侧;以及导电层(2c),其以覆盖所述金属化层(2a)的延伸部(2a-B)以及其周围的所述陶瓷涂层(3)的方式形成于凹部(1a)的底面。

    发光装置以及照明装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111133594A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201880061269.7

    申请日:2018-05-10

    Abstract: 发光装置等具备:发光元件,其具有发光部,该发光部辐射在380~425nm具有第1峰值波长、半值宽度为15~35nm的第1辐射光;和被覆材料,其位于发光元件的发光部上,包含荧光体,该荧光体辐射在430~475nm具有第2峰值波长并在490~540nm具有第3峰值波长的第2辐射光,发光装置等辐射外部辐射光,该外部辐射光具有:包含第1峰值波长、第2峰值波长以及第3峰值波长14P02303的峰值区域;和从第3峰值波长的上限到750nm的波长而光强度连续减少的长波长区域。

    发光装置以及照明装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111133594B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN201880061269.7

    申请日:2018-05-10

    Abstract: 发光装置等具备:发光元件,其具有发光部,该发光部辐射在380~425nm具有第1峰值波长、半值宽度为15~35nm的第1辐射光;和被覆材料,其位于发光元件的发光部上,包含荧光体,该荧光体辐射在430~475nm具有第2峰值波长并在490~540nm具有第3峰值波长的第2辐射光,发光装置等辐射外部辐射光,该外部辐射光具有:包含第1峰值波长、第2峰值波长以及第3峰值波长14P02303的峰值区域;和从第3峰值波长的上限到750nm的波长而光强度连续减少的长波长区域。

    发光装置以及照明装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114556598A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202080071086.0

    申请日:2020-10-15

    Abstract: 本公开的一实施方式所涉及的发光装置发出第1光,该第1光在630~680nm的波长区域具有第1峰值波长,在430nm~480nm的波长区域具有第2峰值波长,在380nm~430nm的波长区域具有第3峰值波长。第1光在将第2峰值波长处的光强度设为1的情况下,第1峰值波长处的相对光强度为0.05~0.35,第3峰值波长处的相对光强度为0.25~0.45。第1光在从480nm到第1峰值波长的波长区域,具有光强度的第1极小值。

    发光装置以及照明装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111788703A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201980015428.4

    申请日:2019-02-26

    Abstract: 本发明的一实施方式所涉及的发光装置具备发光元件、第1荧光体和第2荧光体。第1荧光体放射相对于从发光元件发出的光在400~480nm的波长区域具有第1峰值波长的光。第2荧光体放射相对于从发光元件发出的光在480~600nm的波长区域具有第2峰值波长的光。发光元件在280~315nm的波长区域具有第3峰值波长,并放射280~315nm的光。

    陶瓷容器和使用其的电池以及电双层电容器

    公开(公告)号:CN100517800C

    公开(公告)日:2009-07-22

    申请号:CN200610008884.0

    申请日:2006-02-23

    Abstract: 本发明公开一种陶瓷容器,备有:陶瓷基体(1),其具有由侧壁(1b)和底部(1c)所形成且将电池要素或电双层电容器要素收置于内部的凹部(1a);陶瓷涂层(3),其以围绕所述底部(1c)的面对着所述凹部(1a)的底面,从面对着所述凹部的侧壁(1b)的下端到所述底面上沿所述底面的外缘的方式形成;第一金属化层(2a),其在所述底面上从所述侧壁(1b)的正下,经由所述陶瓷涂层(3)的正下而延伸至比所述陶瓷涂层(3)的内侧端部更靠近内侧;以及导电层(2c),其以覆盖所述金属化层(2a)的延伸部(2a-B)以及其周围的所述陶瓷涂层(3)的方式形成于凹部(1a)的底面。

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