公开(公告)号：CN101454720B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200780019759.2

申请日：2007-05-15

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： S·E·飞利普 ,  T·J·崔威尔 ,  L·W·塔特 ,  G·T·皮尔斯 ,  K·恩古颜 ,  R·M·威克勒

IPC: G03F1/54

CPC classification number: G03F1/00 ,  Y10S430/145 ,  Y10S430/146

Abstract: 通过将第一层抗蚀剂(12)涂覆在基板(10)上制造微结构器件的方法。通过该抗蚀剂的辐射引发的热去除在该基板上产生图案。

公开(公告)号：CN101277821B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200680036390.1

申请日：2006-09-15

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： T·J·崔威尔 ,  L·W·塔特 ,  D·B·凯 ,  洪阳泰 ,  G·T·皮尔斯 ,  S·E·菲利普

IPC: B41M5/382 ,  H05K3/06

CPC classification number: H05K3/0079 ,  B41M5/38207 ,  B41M5/398 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107

Abstract: 一种用于在基板(18)上形成抗蚀剂图案的方法，其包括：将具有热抗蚀剂材料层的供体元件(12)靠近该基板放置。维持一间隙，以使该热抗蚀剂材料层的表面与该基板的表面被多个间隔元件间隔开。依照该抗蚀剂的图案将热能导向供体元件(12)，从而通过烧蚀转移使热抗蚀剂材料的一部分跨越该间隙自供体元件(12)转移并沉积于基板(18)上，形成该抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN101454720A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019759.2

申请日：2007-05-15

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： S·E·飞利普 ,  T·J·崔威尔 ,  L·W·塔特 ,  G·T·皮尔斯 ,  K·恩古颜 ,  R·M·威克勒

IPC: G03F1/00 ,  B23K26/40

CPC classification number: G03F1/00 ,  Y10S430/145 ,  Y10S430/146

Abstract: 通过将第一层抗蚀剂(12)涂覆在基板(10)上制造微结构器件的方法。通过该抗蚀剂的辐射引发的热去除在该基板上产生图案。

公开(公告)号：CN101277821A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680036390.1

申请日：2006-09-15

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： T·J·崔威尔 ,  L·W·塔特 ,  D·B·凯 ,  洪阳泰 ,  G·T·皮尔斯 ,  S·E·菲利普

IPC: B41M5/382 ,  H05K3/06

CPC classification number: H05K3/0079 ,  B41M5/38207 ,  B41M5/398 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107

Abstract: 一种用于在基板(18)上形成抗蚀剂图案的方法，其包括：将具有热抗蚀剂材料层的供体元件(12)靠近该基板放置。维持一间隙，以使该热抗蚀剂材料层的表面与该基板的表面被多个间隔元件间隔开。依照该抗蚀剂的图案将热能导向供体元件(12)，从而通过烧蚀转移使热抗蚀剂材料的一部分跨越该间隙自供体元件(12)转移并沉积于基板(18)上，形成该抗蚀剂图案。