-
公开(公告)号：CN114678771A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111430169.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种抑制因芯片内的高度的差异而产生的实用上的问题的半导体激光装置。半导体激光装置(LD001)具有基板(1)；层叠于所述基板的主面的第一导电型的第一包覆层(2)和第二导电型的第二包覆层(3)；以及以被所述第一包覆层(2)与所述第二包覆层(3)夹持的方式形成、且在与所述基板主面平行的第一面上形成的发光层(EL)。所述发光层(EL)具有放射红色区域的激光的多个发光区域。从所述多个发光区域的每一个放射的激光的光谱中的峰值波长(λ)的值根据所述发光层(EL)距所述第一面的厚度EH而不同。
-
公开(公告)号：CN118693610A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410168075.4
申请日：2024-02-06
Applicant: 优志旺电机株式会社
Abstract: 提供具有宽的光谱宽度的半导体激光装置。半导体激光装置(100)具备驱动电路(110)及半导体激光元件(200)。在端面发光型的半导体激光元件(200)中，在通过脉冲驱动进行激光振荡时从一个发光部出射的光的光谱的包络线通过合成多个单一峰值的光谱而构成，并以所述包络线的半值宽度为3nm以上的方式构成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119381883A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410566434.1
申请日：2024-05-09
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01S5/02345 , H01S5/02335 , H01S5/0232 , H01S5/40
Abstract: 课题在于提供抑制了涂敷工序中的可靠性降低的半导体激光元件。半导体激光元件(100)具备沿第一方向相邻而集成化的三个以上的多个激光共振器(200＿1～200＿4)。各激光共振器(200)具有独立的供电用电极(150)，并且以第二方向为长度方向，端面被涂敷。多个电极焊盘(Pe1～Pe4)形成于与激光区域(102)在第一方向上邻接的焊盘区域(104、106)。连接用布线(Lc1～Lc4)分别沿第一方向延伸，将对应的激光共振器(200)的供电用电极(150)与对应的电极焊盘(Pe)电连接。厚膜焊盘(170)形成于焊盘区域(104、106)，高度比连接用布线(Lc1～Lc4)的层叠布线结构(160)高。
-
公开(公告)号：CN117154543A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310628622.8
申请日：2023-05-31
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 提供一种半导体激光装置，其改善了可靠性。半导体激光装置(200A)具备基台(210)和以结朝下的方式安装于基台(210)的端面发光型的半导体激光芯片(100A)。在半导体激光芯片(100A)的层叠生长层(120)形成有m个(m≥1)激光谐振器(102)。在将光束的出射方向设为z轴，将半导体基板(110)的厚度方向设为y轴，将与z轴及y轴正交的方向设为x轴时，在x轴方向上，m个激光谐振器(102)从半导体基板110的第一面(S1)的中心(xp)观察存在于与半导体基板(110)的第二面(S2)的中心(xn)相反的一侧。
-
公开(公告)号：CN116613633A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310039678.X
申请日：2023-01-13
Applicant: 优志旺电机株式会社
Abstract: 本发明提供多光束半导体激光元件及激光装置，课题在于抑制多光束型半导体激光元件的多个光束的出射方向(光轴)的相对差。多光束半导体激光元件(100)是端面发光型，出射多个光束。多个激光谐振器沿第一方向(x方向)邻接地集成在半导体基板(110)上。多个激光谐振器分别具有沿与第一方向正交的第二方向延伸的条型的电流限制结构。多个激光谐振器各自的延伸方向至少在多光束半导体激光元件的出射端面侧的某区域是非平行的。
-
公开(公告)号：CN116937332A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310295707.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 优志旺电机株式会社
Abstract: 提供多光束半导体激光装置，改善了成品率。多光束半导体激光装置(200)具备第一半导体激光芯片(100_1)及第二半导体激光芯片(100_2)，第一半导体激光芯片(100_1)及第二半导体激光芯片(100_2)被沿第一方向邻接地支承。在第一半导体激光芯片(100_1)上，形成有沿与第一方向正交的第二方向延伸的m个(m≥1)激光谐振器(140)。在第二半导体激光芯片(100_2)上，形成有沿第二方向延伸的n个(n≥1)激光谐振器(140)。第一半导体激光芯片(100_1)的m个激光谐振器(140)偏向第二半导体激光芯片(100_2)侧配置。
-
公开(公告)号：CN114678770A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111428627.3
申请日：2021-11-29
Applicant: 优志旺电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种有助于提高可见度和画质的半导体激光装置。半导体激光装置(LD001)具有：基板(1)；层叠于所述基板(1)的主面的第一导电型的第一包覆层(2)和第二导电型的第二包覆层(3)；以及以被所述第一包覆层(2)与所述第二包覆层(3)夹持的方式形成、且在与所述基板主面平行的第一面上形成的发光层(EL)。所述发光层(EL)具有放射红色区域的激光的多个发光区域，在从所述多个发光区域放射的激光中，至少一个激光的光谱中的峰值波长与其他激光的光谱中的峰值波长之差为1.5nm以上。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.035 seconds)
