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公开(公告)号：CN118693610A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410168075.4
申请日：2024-02-06
Applicant: 优志旺电机株式会社
Abstract: 提供具有宽的光谱宽度的半导体激光装置。半导体激光装置(100)具备驱动电路(110)及半导体激光元件(200)。在端面发光型的半导体激光元件(200)中，在通过脉冲驱动进行激光振荡时从一个发光部出射的光的光谱的包络线通过合成多个单一峰值的光谱而构成，并以所述包络线的半值宽度为3nm以上的方式构成。
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公开(公告)号：CN117154543A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310628622.8
申请日：2023-05-31
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 提供一种半导体激光装置，其改善了可靠性。半导体激光装置(200A)具备基台(210)和以结朝下的方式安装于基台(210)的端面发光型的半导体激光芯片(100A)。在半导体激光芯片(100A)的层叠生长层(120)形成有m个(m≥1)激光谐振器(102)。在将光束的出射方向设为z轴，将半导体基板(110)的厚度方向设为y轴，将与z轴及y轴正交的方向设为x轴时，在x轴方向上，m个激光谐振器(102)从半导体基板110的第一面(S1)的中心(xp)观察存在于与半导体基板(110)的第二面(S2)的中心(xn)相反的一侧。
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公开(公告)号：CN119381883A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410566434.1
申请日：2024-05-09
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01S5/02345 , H01S5/02335 , H01S5/0232 , H01S5/40
Abstract: 课题在于提供抑制了涂敷工序中的可靠性降低的半导体激光元件。半导体激光元件(100)具备沿第一方向相邻而集成化的三个以上的多个激光共振器(200＿1～200＿4)。各激光共振器(200)具有独立的供电用电极(150)，并且以第二方向为长度方向，端面被涂敷。多个电极焊盘(Pe1～Pe4)形成于与激光区域(102)在第一方向上邻接的焊盘区域(104、106)。连接用布线(Lc1～Lc4)分别沿第一方向延伸，将对应的激光共振器(200)的供电用电极(150)与对应的电极焊盘(Pe)电连接。厚膜焊盘(170)形成于焊盘区域(104、106)，高度比连接用布线(Lc1～Lc4)的层叠布线结构(160)高。
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公开(公告)号：CN116316066A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211374511.0
申请日：2022-11-04
Applicant: 优志旺电机株式会社
Abstract: 提供多光束半导体激光元件及其制造方法，容易地或者经济地制造具有多个振荡波长的半导体激光器。在端面发射型的多光束半导体激光元件(100)中，层叠构造(130)包含基板(110)、n型覆盖层(122)、发光层(124)、p型覆盖层(126)。就层叠构造(130)而言，基板(110)与n型覆盖层(122)合在一起的高度在沿第一方向邻接的m个(m≥2)区域中不同。在m个区域中的n个(2≤n≤m)区域，形成有沿与第一方向垂直的第二方向延伸的脊条构造的n个激光谐振器(140)。
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公开(公告)号：CN116937332A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310295707.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 优志旺电机株式会社
Abstract: 提供多光束半导体激光装置，改善了成品率。多光束半导体激光装置(200)具备第一半导体激光芯片(100_1)及第二半导体激光芯片(100_2)，第一半导体激光芯片(100_1)及第二半导体激光芯片(100_2)被沿第一方向邻接地支承。在第一半导体激光芯片(100_1)上，形成有沿与第一方向正交的第二方向延伸的m个(m≥1)激光谐振器(140)。在第二半导体激光芯片(100_2)上，形成有沿第二方向延伸的n个(n≥1)激光谐振器(140)。第一半导体激光芯片(100_1)的m个激光谐振器(140)偏向第二半导体激光芯片(100_2)侧配置。
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