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发明公开
多光束半导体激光元件、半导体激光装置及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN119381883A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202410566434.1

申请日：2024-05-09

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 井上裕隆 , 坂井繁太 , 反町进

IPC: H01S5/02345 , H01S5/02335 , H01S5/0232 , H01S5/40

Abstract: 课题在于提供抑制了涂敷工序中的可靠性降低的半导体激光元件。半导体激光元件(100)具备沿第一方向相邻而集成化的三个以上的多个激光共振器(200＿1～200＿4)。各激光共振器(200)具有独立的供电用电极(150)，并且以第二方向为长度方向，端面被涂敷。多个电极焊盘(Pe1～Pe4)形成于与激光区域(102)在第一方向上邻接的焊盘区域(104、106)。连接用布线(Lc1～Lc4)分别沿第一方向延伸，将对应的激光共振器(200)的供电用电极(150)与对应的电极焊盘(Pe)电连接。厚膜焊盘(170)形成于焊盘区域(104、106)，高度比连接用布线(Lc1～Lc4)的层叠布线结构(160)高。

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