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公开(公告)号：CN102099896A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980127791.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/208 , C30B19/12 , C30B29/38 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B9/00 , C30B29/406 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02625 , H01L21/02658 , H01L33/0075 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了生长GaN晶体的方法。所述方法包括以下步骤：准备具有一个主面(10m)并包含具有所述主面(10m)的GaxAlyIn1-x-yN晶体(10a)的衬底(10)；以及在800℃至1500℃的气氛温度和500至小于2,000atm的气压下使溶液(7)与所述衬底(10)的所述主面(10m)进行接触，在该状态下在所述主面(10m)上生长GaN晶体(20)，其中该溶液(7)通过使氮(5)溶解在Ga熔融体(3)中而制得。所述方法在所述准备衬底(10)的步骤之后并且在所述生长GaN晶体(20)的步骤之前还包括腐蚀所述衬底(10)的所述主面(10m)的步骤。因此，在不将原料以外的任何杂质添加到熔融体中并且不需要增加晶体生长装置尺寸的情况下，可以生长具有低位错密度和高结晶度的GaN晶体。
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公开(公告)号：CN111406130B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201880052390.3
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 一种砷化镓晶体基板具有150mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硅的原子浓度为3.0×1016cm‑3以上且3.0×1019cm‑3以下时，所述砷化镓晶体基板具有0cm‑2以上且15000cm‑2以下的平均位错密度，并且当碳的原子浓度为1.0×1015cm‑3以上且5.0×1017cm‑3以下时，所述砷化镓晶体基板具有3000cm‑2以上且20000cm‑2以下的平均位错密度。
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公开(公告)号：CN111406130A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201880052390.3
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 一种砷化镓晶体基板具有150mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硅的原子浓度为3.0×1016cm-3以上且3.0×1019cm-3以下时，所述砷化镓晶体基板具有0cm-2以上且15000cm-2以下的平均位错密度，并且当碳的原子浓度为1.0×1015cm-3以上且5.0×1017cm-3以下时，所述砷化镓晶体基板具有3000cm-2以上且20000cm-2以下的平均位错密度。
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公开(公告)号：CN113423876B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201980091920.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种砷化镓单晶基板，具有圆形主面，其中，所述砷化镓单晶基板在将所述主面的直径表示为D、并且测定了通过将所述砷化镓单晶基板在500℃的熔融氢氧化钾中浸渍10分钟而形成在所述主面上的蚀坑的个数的情况下，以所述主面的中心为中心具有0.2D长度的直径的第一圆区域中的所述蚀坑的个数C1为0以上且10以下。
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公开(公告)号：CN113423876A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201980091920.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种砷化镓单晶基板，具有圆形主面，其中，所述砷化镓单晶基板在将所述主面的直径表示为D、并且测定了通过将所述砷化镓单晶基板在500℃的熔融氢氧化钾中浸渍10分钟而形成在所述主面上的蚀坑的个数的情况下，以所述主面的中心为中心具有0.2D长度的直径的第一圆区域中的所述蚀坑的个数C1为0以上且10以下。
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