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公开(公告)号：CN100570909C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200580010018.9
申请日：2005-03-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/208
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L21/02392 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 获得一种半导体发光器件，包括透明化合物半导体衬底，其晶格常数与发射光的化合物半导体不一致并显示出高光输出。一种半导体发光器件(10)包括，GaP衬底(1)，位于所述GaP衬底(1)上并包括n-型AlInGaP层和p-型AlInGaP层的有源层(4)，以及位于GaP衬底(1)和有源层(4)之间并通过外延横向生长(ELO)形成的ELO层(3)。
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公开(公告)号：CN1938871A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010018.9
申请日：2005-03-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/208
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L21/02392 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 获得一种半导体发光器件，包括透明化合物半导体衬底，其晶格常数与发射光的化合物半导体不一致并显示出高光输出。一种半导体发光器件(10)包括，GaP衬底(1)，位于所述GaP衬底(1)上并包括n－型AlInGaP层和p－型AlInGaP层的有源层(4)，以及位于GaP衬底(1)和有源层(4)之间并通过外延横向生长(ELO)形成的ELO层(3)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113423876B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201980091920.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种砷化镓单晶基板，具有圆形主面，其中，所述砷化镓单晶基板在将所述主面的直径表示为D、并且测定了通过将所述砷化镓单晶基板在500℃的熔融氢氧化钾中浸渍10分钟而形成在所述主面上的蚀坑的个数的情况下，以所述主面的中心为中心具有0.2D长度的直径的第一圆区域中的所述蚀坑的个数C1为0以上且10以下。
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公开(公告)号：CN102016136A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115891.2
申请日：2009-05-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , C30B19/00 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L21/02628 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/30
Abstract: 本发明提供了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法、以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的特性的半导体器件。具体地，本发明涉及AlxGa(1-x)As衬底(10a)，其特征在于，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)具有AlxGa(1-x)As层(11)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中在所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可以包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。
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公开(公告)号：CN101960056A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107544.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , C30B19/00 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L21/02628 , H01L33/0062 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。
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公开(公告)号：CN113423876A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201980091920.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种砷化镓单晶基板，具有圆形主面，其中，所述砷化镓单晶基板在将所述主面的直径表示为D、并且测定了通过将所述砷化镓单晶基板在500℃的熔融氢氧化钾中浸渍10分钟而形成在所述主面上的蚀坑的个数的情况下，以所述主面的中心为中心具有0.2D长度的直径的第一圆区域中的所述蚀坑的个数C1为0以上且10以下。
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公开(公告)号：CN101981237A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111737.8
申请日：2009-05-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0062 , C30B19/00 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法，所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面11a和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，并且本发明的AlxGa(1-x)As衬底(10a)的特征在于，在所述AlxGa(1-x)As层(11)中，所述背面(11b)中Al的组成比x大于在所述主面(11a)中Al的组成比x。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还包含与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触的GaAs衬底(13)。
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