公开(公告)号：CN105637405A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480057389.1

申请日：2014-11-07

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 平田泰之 ,  松冈元

IPC: G02B26/08 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0198 ,  G02B26/0841

Abstract: 在从第一硅层(210)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第一蚀刻工序中，将第一结构体中的由第一硅层(210)所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构。在将最终掩模(390)形成在SOI基板(200)的第二硅层(230)侧的掩模形成工序中，将与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391)形成为布置在预结构内。在从第二硅层(230)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第二蚀刻工序中，通过利用第一掩模(391)对第二硅层(230)和预结构进行蚀刻，从而形成第一结构体的最终形状。

公开(公告)号：CN105637405B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201480057389.1

申请日：2014-11-07

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 平田泰之 ,  松冈元

IPC: G02B26/08 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0198 ,  G02B26/0841

Abstract: 在从第一硅层(210)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第一蚀刻工序中，将第一结构体中的由第一硅层(210)所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构。在将最终掩模(390)形成在SOI基板(200)的第二硅层(230)侧的掩模形成工序中，将与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391)形成为布置在预结构内。在从第二硅层(230)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第二蚀刻工序中，通过利用第一掩模(391)对第二硅层(230)和预结构进行蚀刻，从而形成第一结构体的最终形状。