公开(公告)号：CN1204585C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN99119376.8

申请日：1999-09-13

Applicant: 先锋株式会社

Inventor： 山田高士 ,  吉泽淳志 ,  秦拓也 ,  岩崎新吾 ,  根岸伸安 ,  中马隆 ,  佐藤英夫 ,  伊藤宽 ,  吉川高正 ,  小笠原清秀

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J31/127

Abstract: 一种电子发射装置，包括由一半导体材料，一金属复合物或金属制成的电子提供层；形成在该电子提供层上的一绝缘体层；和形成在该绝缘体层上的一薄膜金属电极。其特征在于该绝缘体层和该薄膜金属具有多个岛形区，其中该绝缘体层和该薄膜金属电极两者的厚度逐渐减小。

公开(公告)号：CN1264151A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN99119376.8

申请日：1999-09-13

Applicant: 先锋株式会社

Inventor： 山田高士 ,  吉泽淳志 ,  秦拓也 ,  岩崎新吾 ,  根岸伸安 ,  中马隆 ,  佐藤英夫 ,  伊藤宽 ,  吉川高正 ,  小笠原清秀

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J31/127

Abstract: 一种电子发射装置,包括由一半导体材料,一金属复合物或金属制成的电子提供层;形成在该电子提供层上的一绝缘体层;和形成在该绝缘体层上的一薄膜金属电极。其特征在于该绝缘体层和该薄膜金属具有多个岛形区,其中该绝缘体层和该薄膜金属电极两者的厚度逐渐减小。