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公开(公告)号：CN1599941A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02824252.1
申请日：2002-12-05
Applicant: 先锋株式会社
Abstract: 电子发射器件及其制造方法以及使用该器件的显示装置。一种电子发射器件，其包括：由硅、含有硅作为主要成分的混合物以及非晶相的硅化合物中的至少一种制成的电子供应层；形成在所述电子供应层上的绝缘体层；以及形成在所述绝缘体层上的薄膜金属电极。一旦在所述电子供应层和所述薄膜金属电极之间施加电场就发射电子。所述绝缘体层具有构成电子发射部分的至少一个岛区，在该岛区中所述绝缘体层的膜厚逐渐减小。该电子发射器件还包括设置在岛区的顶部、底部和内部中的至少一个上的由碳和碳化合物之一制成的碳区。所述岛区具有在最小厚度部分或其邻近部分中的所述电子供应层内的结晶区，该结晶区由硅、含有硅作为主要成分的混合物以及硅化合物中的至少一种制成。
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公开(公告)号：CN1204585C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN99119376.8
申请日：1999-09-13
Applicant: 先锋株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127
Abstract: 一种电子发射装置，包括由一半导体材料，一金属复合物或金属制成的电子提供层；形成在该电子提供层上的一绝缘体层；和形成在该绝缘体层上的一薄膜金属电极。其特征在于该绝缘体层和该薄膜金属具有多个岛形区，其中该绝缘体层和该薄膜金属电极两者的厚度逐渐减小。
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公开(公告)号：CN1264151A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN99119376.8
申请日：1999-09-13
Applicant: 先锋株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127
Abstract: 一种电子发射装置,包括由一半导体材料,一金属复合物或金属制成的电子提供层;形成在该电子提供层上的一绝缘体层;和形成在该绝缘体层上的一薄膜金属电极。其特征在于该绝缘体层和该薄膜金属具有多个岛形区,其中该绝缘体层和该薄膜金属电极两者的厚度逐渐减小。
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公开(公告)号：CN1985292A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580022818.2
申请日：2005-06-24
Applicant: 先锋株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , G09G3/22 , G09G2320/043 , H01J29/96 , H01J31/127 , H01J2201/3125 , H01J2329/0484 , H01J2329/96
Abstract: 本发明提供一种电子发射装置及其驱动方法，所述电子发射装置用于显示器、摄像元件、平面光源等，能够抑制经时变化。电子发射装置的驱动方法是具有多个封装起来的电子发射元件的电子发射装置的驱动方法，各个电子发射元件包括：电子供给层，其由硅或主成分为硅的混合物或硅的化合物构成；绝缘体层，其形成于电子供给层上；以及金属薄膜电极，其形成于绝缘体层上，驱动方法的特征在于，其包括：驱动步骤，对电子供给层和金属薄膜电极层之间供电，从电子发射元件发射电子；以及再活化步骤，在驱动步骤之后施加再活化电压，所述再活化电压为使得在电子供给层和金属薄膜电极之间流动的元件电流关于施加电压的微分值中产生不连续的施加电压值以上的电压。
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公开(公告)号：CN100373520C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN02824252.1
申请日：2002-12-05
Applicant: 先锋株式会社
Abstract: 电子发射器件及其制造方法以及使用该器件的显示装置。一种电子发射器件，其包括：由硅、含有硅作为主要成分的混合物以及非晶相的硅化合物中的至少一种制成的电子供应层；形成在所述电子供应层上的绝缘体层；以及形成在所述绝缘体层上的薄膜金属电极。一旦在所述电子供应层和所述薄膜金属电极之间施加电场就发射电子。所述绝缘体层具有构成电子发射部分的至少一个岛区，在该岛区中所述绝缘体层的膜厚逐渐减小。该电子发射器件还包括设置在岛区的顶部、底部和内部中的至少一个上的由碳和碳化合物之一制成的碳区。所述岛区具有在最小厚度部分或其邻近部分中的所述电子供应层内的结晶区，该结晶区由硅、含有硅作为主要成分的混合物以及硅化合物中的至少一种制成。
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