公开(公告)号：CN1599941A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02824252.1

申请日：2002-12-05

Applicant: 先锋株式会社

Inventor： 根岸伸安 ,  山田高士 ,  吉川高正 ,  小笠原清秀 ,  佐藤英夫 ,  中马隆 ,  岩崎新吾 ,  酒村一到 ,  泰拓也

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022

Abstract: 电子发射器件及其制造方法以及使用该器件的显示装置。一种电子发射器件，其包括：由硅、含有硅作为主要成分的混合物以及非晶相的硅化合物中的至少一种制成的电子供应层；形成在所述电子供应层上的绝缘体层；以及形成在所述绝缘体层上的薄膜金属电极。一旦在所述电子供应层和所述薄膜金属电极之间施加电场就发射电子。所述绝缘体层具有构成电子发射部分的至少一个岛区，在该岛区中所述绝缘体层的膜厚逐渐减小。该电子发射器件还包括设置在岛区的顶部、底部和内部中的至少一个上的由碳和碳化合物之一制成的碳区。所述岛区具有在最小厚度部分或其邻近部分中的所述电子供应层内的结晶区，该结晶区由硅、含有硅作为主要成分的混合物以及硅化合物中的至少一种制成。