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公开(公告)号：CN107017355A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611063150.2
申请日：2016-11-28
Applicant: 双叶电子工业株式会社
Inventor： 白神崇生
Abstract: 本发明提供一种密封结构、有机EL显示装置及传感器。密封结构(1)具备：第1基板(2)，具有主面(2a)；框状的第1金属层(11)，沿第1基板(2)的边缘设置在主面(2a)上；框状的粘接层(12)，设置于第1金属层(11)上；第2基板(4)，位于粘接层(12)的上方且具有与主面(2a)对置的主面(4a)；元件部(5)，设置在主面(2a)上且设置于被第1基板(2)、第1金属层(11)、粘接层(12)以及第2基板(4)包围而被密封的密封空间(S)内。粘接层(12)含有烃类树脂或者非极性热塑性树脂，并且粘接层(12)粘接于第1金属层(11)。
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公开(公告)号：CN100388404C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200310123737.4
申请日：2003-12-02
Applicant: 双叶电子工业株式会社
CPC classification number: H01J1/63 , C09K11/0811 , C09K11/565 , C09K11/623 , C09K11/642 , C09K11/673 , C09K11/7703 , C09K11/7787 , C09K11/7789
Abstract: 本发明涉及一种暖发光色的荧光体及荧光显示器件。通过混合无镉的红发光色荧光体和同样无镉的绿色系发光色荧光体，提供一种混合荧光体，其中混合荧光体的发光色为从黄色至橙色范围内的暖色。而且在该混合荧光体中，硫组分被除去或少于常规的暖发光色荧光体的量。因此，暗纹不会出现或可延迟暗纹出现时间，从而提供具有改善显示质量的荧光显示器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100555531C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510076290.9
申请日：2005-01-26
Applicant: 双叶电子工业株式会社
Abstract: 本发明涉及自发光元件。提供了一种安全、易于处理、节省空间且吸收密封外壳内的残留气体以维持气密外壳于高真空度的真空保持剂，替代常规的金属吸气剂。提供了包括真空保持剂的显示装置。在气密外壳中设置由气体吸留材料ZrOx(1≤x≤2)组成的气体吸留层，形成自发光元件。由二氧化锆胶把ZrOx形成为图案，通常其可作为试剂而得到。在制造步骤中，在120℃到500℃的环境中把构图的自发光元件气密地封装在真空中，由此可更加改进真空保持效果。
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公开(公告)号：CN112993451A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011426539.5
申请日：2020-12-09
Applicant: 双叶电子工业株式会社
IPC: H01M50/105 , H01M50/178 , H01M50/188
Abstract: 本发明提供一种接片引线、锂离子电池及非水电解质器件，所述接片引线使用于在层压材料的内部至少封入有电解液或固体电解质的层压型锂离子电池，所述接片引线具备：引线端子，由金属材料形成；及一对膜部，在内部至少分散有干燥剂，从两侧紧贴于引线端子，并将引线端子与层压材料的间隙进行密封，膜部由层叠为三层至五层中的任一层的树脂膜组成，干燥剂分散于树脂膜中除了最外层以外的至少一个树脂膜中。
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公开(公告)号：CN109748779A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811105349.6
申请日：2018-09-21
Applicant: 双叶电子工业株式会社
Inventor： 白神崇生
IPC: C07C33/025 , C07C33/03 , C07C29/68 , B01D53/28 , H01L51/52
Abstract: 本发明提供一种烷氧基化合物及包含该烷氧基化合物的干燥剂。本发明的烷氧基化合物具有：选自铝原子、钛原子、硅原子及硼原子的中心原子；与所述中心原子键合的醇类化合物的残基。所述醇类化合物的残基具有由下式(1)表示的碳碳双键基团，
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公开(公告)号：CN102800706A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210151986.3
申请日：2012-05-16
Applicant: 双叶电子工业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/29
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明的课题为提供一种薄膜半导体器件及使用薄膜半导体器件的显示器件，该薄膜半导体器件是由IGZO等氧化物半导体膜所构成者，该薄膜半导体器件即使在无氧氛围中加热，氧也会扩散至氧化物半导体膜，而表现TFT特性。解决上述课题的手段为一种薄膜半导体器件，其是由玻璃基板（20）、栅极电极（23G）、栅极绝缘膜（21）、源极电极（23S）、漏极电极（23D）、IGZO的氧化物半导体膜（24）、二氧化锰（MnO2）的释氧绝缘膜（25）、保护膜（22）所构成。薄膜半导体器件若在萤光显示器件等的薄膜形成时的加热步骤、烧成步骤、密封步骤中加热，则氧会从释氧绝缘膜（25）释出而扩散至氧化物半导体膜（24），而表现TFT特性。
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公开(公告)号：CN101840822A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010145409.4
申请日：2010-03-19
Applicant: 双叶电子工业株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J3/021 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2203/022 , H01J2329/4617
Abstract: 本发明提供一种冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源，提供能以简单的步骤对某种程度的面积以一次进行加工的冷阴极电子源的制造方法。本发明的冷阴极电子源的制造方法为在衬底(1)上重叠阴极电极(2)、绝缘层(4)及栅极电极(5)，以溶剂溶解不会相溶的聚合物A、B并使其被覆在栅极电极的表面。使溶剂蒸发而将聚合物A以微粒子状析出在聚合物B中并予以固定化，再以显影液去除聚合物A而形成蚀刻孔洞(9)，并进行蚀刻而在栅极电极形成孔洞(6)。并且，从孔洞(6)进行蚀刻而在绝缘层也形成孔洞，在孔洞内形成射极而作成冷阴极电子源(10)。
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