-
公开(公告)号：CN101085697A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710084673.X
申请日：2007-03-01
Applicant: 古河电子北美公司
Inventor： 埃里克·L.·巴里什 , 小罗伯特·林格尔 , 大卫·贝克翰姆 , 吴风清
IPC: C03B37/018 , C03C13/04 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01211 , C03B37/014 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03C3/04 , C03C13/04 , G02B6/03627 , G02B6/03644 , G02B6/03677 , G02B6/03694
Abstract: 本文描述一种制作用于内包层光纤的凹陷折射率包层的方法。本方法包括在两个步骤中制作凹陷折射率包层。内包层的最内部分，是用粉末方法生产，从而对载运最多光功率的包层区，取得粉末方法的优点，然后用管棒法步骤，形成内包层的其余部分。本方法有效地把两种方法的优点和缺点相配合。
-
公开(公告)号：CN1891649A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610071692.4
申请日：2006-03-28
Applicant: 古河电子北美公司
IPC: C03B37/02 , C03B37/018
CPC classification number: G02B6/03683 , C03B37/01211 , C03B37/01228 , C03B37/014 , C03B37/018 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22
Abstract: 本说明书说明一种借助混合VAD/MCVD处理过程生产的改进的光纤。光纤的纤芯用VAD生产，而内包层有凹陷的折射率并用MCVD生产。在优选的实施例中，光功率包络基本上全部包含在VAD生产的纤芯材料和MCVD生产的凹陷折射率包层材料中。借助把绝大部分光功率限制在低OH的VAD纤芯，以及借助使无掺杂石英区中的光功率最大化，使光损耗达到最小。MCVD衬底管材料中基本上没有光功率。
-
公开(公告)号：CN1715226A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510078695.6
申请日：2005-06-28
Applicant: 古河电子北美公司
IPC: C03B37/01 , C03B37/025
CPC classification number: C03B37/01413 , C03B37/01211 , C03B37/01473 , C03B37/01807 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , Y02P40/57
Abstract: 本发明说明一种处理光纤芯中心区缺陷的方法，这些缺陷在高温操作步骤期间形成，这些操作步骤是塌缩由MCVD、PCVD或者OVD方法制造的空心芯。这些缺陷形成吸收中心，并损害光纤的光传输特性。按照本发明，可以减少或者消除这些缺陷，方法是，在塌缩之前形成作为最后沉积层的缓冲层。该缓冲层是不掺杂的或者轻度掺杂的，构成一种扩散阻挡层，从而可以防止或者减慢氧化物玻璃化学剂量成份的变化。结果是，在塌缩期间，更小量的掺杂物和氧原子从芯层通过自由表面扩散出去，从而造成较少的缺陷和较小的光纤衰减。
-
公开(公告)号：CN1891649B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200610071692.4
申请日：2006-03-28
Applicant: 古河电子北美公司
IPC: C03B37/02 , C03B37/018
CPC classification number: G02B6/03683 , C03B37/01211 , C03B37/01228 , C03B37/014 , C03B37/018 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22
Abstract: 本说明书说明一种借助混合VAD/MCVD处理过程生产的改进的光纤。光纤的纤芯用VAD生产，而内包层有凹陷的折射率并用MCVD生产。在优选的实施例中，光功率包络基本上全部包含在VAD生产的纤芯材料和MCVD生产的凹陷折射率包层材料中。借助把绝大部分光功率限制在低OH的VAD纤芯，以及借助使无掺杂石英区中的光功率最大化，使光损耗达到最小。MCVD衬底管材料中基本上没有光功率。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.028 seconds)
