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公开(公告)号：CN103964366A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410044191.1
申请日：2014-01-30
Applicant: 因文森斯公司
Inventor： 克刚·黄 , 申钟禹 , 马丁·利姆 , 迈克尔·朱利安·达内曼 , 约瑟夫·西格
CPC classification number: B81C1/00301 , B81B7/0064 , B81B2207/098 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/031
Abstract: 本发明披露了一种MEMS器件。这种MEMS器件包括一个MEMS衬片。该MEMS衬片包括一个第一半导体层，该第一半导体层由处于中间的一个介电层连接到一个第二半导体层上。由该第二半导体层形成了多种MEMS结构，并且这些结构包括多个第一导电垫片。这种MEMS器件进一步包括一个基底衬片，该基底衬片包括在其上的多个第二导电垫片。这些第二导电垫片被连接到第一导电垫片上。最后，这种MEMS器件包括一个导电连接件，这个导电连接件是穿过该MEMS衬片的介电层而形成的以提供在该第一半导体层与该第二半导体层之间的电耦联。该基底衬片被电连接到该第二半导体层以及第一半导体层上。
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公开(公告)号：CN103964366B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201410044191.1
申请日：2014-01-30
Applicant: 因文森斯公司
Inventor： 克刚·黄 , 申钟禹 , 马丁·利姆 , 迈克尔·朱利安·达内曼 , 约瑟夫·西格
CPC classification number: B81C1/00301 , B81B7/0064 , B81B2207/098 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/031
Abstract: 在此披露了一种MEMS器件。这种MEMS器件包括一个MEMS衬片。该MEMS衬片包括一个第一半导体层，该第一半导体层由处于中间的一个介电层连接到一个第二半导体层上。由该第二半导体层形成了多种MEMS结构，并且这些结构包括多个第一导电垫片。这种MEMS器件进一步包括一个基底衬片，该基底衬片包括在其上的多个第二导电垫片。这些第二导电垫片被连接到第一导电垫片上。最后，这种MEMS器件包括一个导电连接件，这个导电连接件是穿过该MEMS衬片的介电层而形成的以提供在该第一半导体层与该第二半导体层之间的电耦联。该基底衬片被电连接到该第二半导体层以及第一半导体层上。
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公开(公告)号：CN105480935A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510646926.2
申请日：2015-10-08
Applicant: 因文森斯公司
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B7/0038 , B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0228 , B81B2207/017 , B81C1/00285 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , B81C2203/0785
Abstract: 一种集成MEMS装置，包括两个基底，其中该第一和第二基底被联接在一起并且在其间具有两个闭合空间。该第一和第二基底之一包括一个除气源层和一个除气阻挡层以便调节这两个闭合空间内的压力。该方法包括在基底上沉积并且构图除气源层和第一除气阻挡层，从而产生两个截面。在这两个截面中的一者中，该除气源层的顶表面没有被该除气阻挡层所覆盖并且在这两个截面中的另一者中，该除气源层被封装在该除气阻挡层中。该方法还包括保形地沉积第二除气阻挡层并且蚀刻该第二除气阻挡层以便在该除气源层的侧壁上留下该第二除气阻挡层的间隙。
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公开(公告)号：CN105084304A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510251130.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 因文森斯公司
CPC classification number: B81C1/00626 , B81C1/00825 , B81C2201/0169
Abstract: 在此披露了一种用于形成MEMS器件的致动器层的方法。该方法包括对致动器层进行蚀刻并且在蚀刻之后对致动器层进行退火处理以减少MEMS器件的表面粗糙度。
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