公开(公告)号：CN102891154B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201210319474.3

申请日：2012-07-20

Applicant: 埃斯普罗光电股份公司

Inventor： M·波普 ,  B·德科伊 ,  M·安尼斯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及用于光子检测的半导体结构。本发明提出了用于光子检测的半导体结构(1，101，201)，包括：衬底(2，102，202)，其由具有第一类型的掺杂的半导体材料构成，接触区(3，103，203)，其设置在所述衬底的前侧，偏置层(4，104，204)，由具有第二掺杂的半导体材料构成，设置在距离所述接触区一距离的衬底的背侧，其中接触区至少部分地与偏置层相对，以便在横向方向出现重叠区域，保护环(5，105，205)，设置在所述衬底的前侧并围绕所述接触区，其中在接触区和保护环之间施加反向偏压。为了实现更加成本有效的制造，所述重叠区域具有至少达到接触区和偏置层之间距离的四分之一的横向范围。

公开(公告)号：CN102891154A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210319474.3

申请日：2012-07-20

Applicant: 埃斯普罗光电股份公司

Inventor： M·波普 ,  B·德科伊 ,  M·安尼斯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及用于光子检测的半导体结构。本发明提出了用于光子检测的半导体结构(1，101，201)，包括：衬底(2，102，202)，其由具有第一类型的掺杂的半导体材料构成，接触区(3，103，203)，其设置在所述衬底的前侧，偏置层(4，104，204)，由具有第二掺杂的半导体材料构成，设置在距离所述接触区一距离的衬底的背侧，其中接触区至少部分地与偏置层相对，以便在横向方向出现重叠区域，保护环(5，105，205)，设置在所述衬底的前侧并围绕所述接触区，其中在接触区和保护环之间施加反向偏压。为了实现更加成本有效的制造，所述重叠区域具有至少达到接触区和偏置层之间距离的四分之一的横向范围。